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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JAN2N1878MOTOROLA
auf Bestellung 3200 Stücke:
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JAN2N1878AMOTOROLA
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JAN2N1879MOTOROLA
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JAN2N1879AMOTOROLA
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JAN2N1880AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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JAN2N1890Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N1890
auf Bestellung 41 Stücke:
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JAN2N1890Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO5
Qualification: MIL-PRF-19500/225
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N1890SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/225
Grade: Military
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Produkt ist nicht verfügbar
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Jan2N1890SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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JAN2N1893Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 500mA 800mW NPN Power BJT THT
auf Bestellung 56 Stücke:
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1+30.95 EUR
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JAN2N1893Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/182
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N1893MOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N1893SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/182
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N1893S
auf Bestellung 371 Stücke:
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JAN2N1893SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT
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JAN2N1970MOTOROLA
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JAN2N1971MOTOROLA
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JAN2N1972MOTOROLA
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JAN2N1973MOTOROLA
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JAN2N1974MOTOROLA
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JAN2N1975MOTOROLA
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JAN2N1976MOTOROLA
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JAN2N1977MOTOROLA
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JAN2N1978MOTOROLA
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JAN2N1983MOTOROLA
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JAN2N1984MOTOROLA
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JAN2N1985MOTOROLA
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JAN2N1986MOTOROLA
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JAN2N1987MOTOROLA
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JAN2N1988MOTOROLA
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JAN2N1989MOTOROLA
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JAN2N1990MOTOROLA
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JAN2N1990SMOTOROLA
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JAN2N1990WMOTOROLA
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JAN2N1991MOTOROLA
auf Bestellung 17500 Stücke:
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JAN2N1991SMOTOROLA
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N1992MOTOROLA
auf Bestellung 20000 Stücke:
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JAN2N1992AMOTOROLA
auf Bestellung 15000 Stücke:
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JAN2N1998MOTOROLA
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JAN2N2060MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
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JAN2N2060Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/270
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2060AMOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2060BMOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2060LMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/270
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 2.12W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2060LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2060L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2102MOTOROLA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2108MOTOROLA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2192MOTOROLA
auf Bestellung 21890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2218Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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JAN2N2218Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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JAN2N2218MOTOROLA
auf Bestellung 75500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jan2N2218/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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Jan2N2218AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2218AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.8 EUR
10+22.81 EUR
25+16.4 EUR
100+15.1 EUR
250+14.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2218ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2218ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2218AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219MOTOROLA
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219AMOTOROLASOT23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2219A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219ALMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2219AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2219SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2220MOTOROLA
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2220AMOTOROLA
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221MOTOROLA
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AMOTOROLA
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2221AMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2221A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221ALMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Grade: Military
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2221AUAMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Grade: Military
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2221AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Grade: Military
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2221AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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Jan2N2221AUBMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
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 Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
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 Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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JAN2N2221AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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 Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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JAN2N2222Microsemi
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2222AMICROSEMITO-18/ NPN TRANSISTOR 2N2222A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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JAN2N2222AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
100+4 EUR
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JAN2N2222AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/255
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Jan2N2222A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 579 Stücke
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JAN2N2222ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
10+19.52 EUR
25+18.72 EUR
100+14.47 EUR
250+14.16 EUR
500+13.7 EUR
1000+13.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMICROSEMITO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Jan2N2222AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2222APMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2222APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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