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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JAN2N2904AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2904A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2904ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2904ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2904AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.06 EUR
10+87.75 EUR
25+84.07 EUR
100+68.18 EUR
250+66.96 EUR
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JAN2N2905Semicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905MOTOROLA
auf Bestellung 35200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2905/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905AMICROSEMITO-39/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.02 EUR
100+17.66 EUR
1000+17.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ASemicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2905A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ALMICROSEMITO-5/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2905AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906MOTOROLA
auf Bestellung 56623 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906A
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906ASemicoa SemiconductorsPNP Bipolar junction transistor 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2906A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2906AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4SMD
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2906AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907MOTOROLA
auf Bestellung 236500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
100+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AMICROSEMITO-18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
25+4.82 EUR
100+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2907A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907ALMICROSEMITO18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2907AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907APMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907APMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2907AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2907AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2907AUBMICROSEMIUB/PNP TRANSISTOR 2N2907
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JAN2N2907AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
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JAN2N2907AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2907AUBPMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2907AUBP/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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JAN2N2907AUBP/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2919MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N2919MOTOROLA
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Jan2N2919/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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Jan2N2919LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N2919LMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
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Jan2N2919L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JAN2N2919UMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 0.03A
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JAN2N2919UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N2919U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JAN2N291AMOTOROLA
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JAN2N2920MOTOROLA
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JAN2N2920Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2920Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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