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JAN2N2857Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-72-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Qualification: MIL-PRF-19500/343
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JAN2N2857MOTOROLA
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JAN2N2857UBMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
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JAN2N2857UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N2857UB/TRMicrochip TechnologyRF Bipolar Transistors
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JAN2N2880Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N2880Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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JAN2N2890MOTOROLA
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JAN2N2899MOTOROLA
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JAN2N2904MOTOROLA
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JAN2N2904Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
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JAN2N2904Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
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JAN2N2904/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JAN2N2904AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2904AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
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JAN2N2904AMicrosemi
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Jan2N2904A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JAN2N2904ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2904ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT
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Jan2N2904AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JAN2N2905Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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1+94.03 EUR
10+76.17 EUR
25+70.03 EUR
100+67.94 EUR
250+67.93 EUR
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JAN2N2905Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2905Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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JAN2N2905Semicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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Jan2N2905/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2905AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 24 Stücke:
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1+19.02 EUR
100+17.66 EUR
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JAN2N2905AMICROSEMITO-39/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N2905AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2905AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ASemicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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Jan2N2905A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2905ALMICROSEMITO-5/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N2905ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
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JAN2N2905ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2905AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JAN2N2906MOTOROLA
auf Bestellung 56623 Stücke:
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JAN2N2906AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906ASemicoa SemiconductorsPNP Bipolar junction transistor 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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JAN2N2906AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.27 EUR
10+11.08 EUR
25+10.56 EUR
100+8.96 EUR
250+8.76 EUR
500+7.31 EUR
1000+7.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2906A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2906ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2906ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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Jan2N2906AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
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Jan2N2906AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N2906AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2906AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2906AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2906AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
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JAN2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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JAN2N2906AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2906AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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JAN2N2907MOTOROLA
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JAN2N2907AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
auf Bestellung 5041 Stücke:
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5+4.88 EUR
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JAN2N2907AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
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1+4.9 EUR
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JAN2N2907AMICROSEMITO-18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
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JAN2N2907AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
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Jan2N2907A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N2907ALMICROSEMITO18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N2907ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: SMD
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JAN2N2907ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N2907ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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 Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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Jan2N2907AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N2907APMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 500mW; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
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JAN2N2907APMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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JAN2N2907APMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Small-Signal BJT
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Jan2N2907AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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Jan2N2907AUAMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
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 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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