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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N2368 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 15Vceo 14Vebo 20V 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2368 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 400mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2368 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW SS
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N2368AMOTOROLA
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2369Microchip TechnologyDescription: RF TRANS NPN 15V TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 680mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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2N2369CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.36/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.36/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 500MHz
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2N2369Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
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2N2369Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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2N2369STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-18 NPN FAST SW SS
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2N2369Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
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2N2369Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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2N2369MULTICOMPDescription: MULTICOMP - 2N2369 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 15 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 360
Übergangsfrequenz ft: 500
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N2369onsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2369onsemi
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2N2369MOTOROLA
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2369ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 675MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N2369AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
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2N2369A
Produktcode: 22576
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Transitfrequenz fT: 675 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
Stromverstärkung h21: 50
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2N2369ASTMNPN, Met, 15V 100mA, Hi-Speed Sw, TO-18 (круглый) аналог КТ 3142 А Транзистори
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2N2369ACentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin TO-18 Box
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2369AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.04 EUR
50+7.98 EUR
100+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2N2369AMULTICOMPDescription: MULTICOMP - 2N2369A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 360
Übergangsfrequenz ft: 500
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N2369AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
100+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N2369AMICROSEMITO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2369
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2369AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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2N2369ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N2369AToshibaBipolar Transistors - BJT
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2N2369AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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2N2369A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW SS
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
2000+1.98 EUR
4000+1.95 EUR
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2N2369A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin TO-18
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.16 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2369A PBFREECentralsemiBipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 360mW Through Hole TO-18 Транзистори
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2N2369A PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.36W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 500MHz
Pulsed collector current: 0.5A
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2N2369A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin TO-18
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vces 15V 4.5Vebo 200mA 500mA
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369A TIN/LEADCentral SemiconductorThrough Hole Transistor, Small Signal NPN
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 15V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2369A-N2TT ElectronicsTT Electronics SMALL SIGNAL
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2N2369A-N2-XTT ElectronicsTT Electronics
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2N2369A-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N2369A-QR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS
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2N2369A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2369ACSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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2N2369ACSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2369ACSM-N1TT ElectronicsTT Electronics TRANS SS NPN NS1 SPACE LEVEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ACSM-N1-XTT ElectronicsTT Electronics
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2N2369ACSM-N2TT ElectronicsTT Electronics TRANS SS NPN NS2 SPACE LEVEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ACSM-N2-XTT ElectronicsTT Electronics
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2N2369ACSM-QR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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2N2369ACSM-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ACSM-QR-EBSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ACSM-QR-EBSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ADCSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 500mW 6-Pin CLLCC-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369ADCSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91 EUR
10+79.06 EUR
100+69.16 EUR
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2N2369AJANSemicoa SemiconductorsTrans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 15V 200mA 380mW Dual Small-Signal BJT SQ SMT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V SMD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AU/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2369AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 15V 500mW 4-Pin UA Waffle
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBMicrochipTRANS NPN 20V SMD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 20V SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 20V 400mW 4-Pin Case UB Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBCMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2369AUBCMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UBC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
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2N2369AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UBC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
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2N2369AUBC/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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