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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB66N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB66N15TMfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7020BLfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLFairchild SemiconductorDescription: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 61623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
446+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BL-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 34400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.46 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
auf Bestellung 34400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
142+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
auf Bestellung 24800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.46 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.99 EUR
10000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.46 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
auf Bestellung 5380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.28 EUR
100+10.57 EUR
500+9.81 EUR
1000+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 64336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
auf Bestellung 19775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.28 EUR
100+10.57 EUR
500+9.81 EUR
1000+9.03 EUR
10000+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.28 EUR
100+10.57 EUR
500+9.81 EUR
1000+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
auf Bestellung 10177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.28 EUR
100+10.57 EUR
500+9.81 EUR
1000+9.03 EUR
10000+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.28 EUR
100+10.57 EUR
500+9.81 EUR
1000+9.03 EUR
10000+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030L_L86ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030L_L86Zonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7030L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
auf Bestellung 93855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7042Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045FAIRCHILD04+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 119044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
auf Bestellung 116964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
65+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7045L_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB7051L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8030Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8030LFairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8030L_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, TO263, NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8030L_Tonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8132Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8132_F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 13 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8160Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
auf Bestellung 17624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
177+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8160-F085Fairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
211+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442onsemiMOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
auf Bestellung 10541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 235860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+2.99 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.57 EUR
10000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+2.99 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.57 EUR
10000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NCHAN PwrTrench
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 250170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442-F085-FSFairchild SemiconductorDescription: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+7.71 EUR
25+7.28 EUR
100+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-CHAN PwrTrench
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
auf Bestellung 167648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
264+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3.62 EUR
100+2.89 EUR
250+2.67 EUR
500+2.37 EUR
800+2.07 EUR
2400+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.56 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8444-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
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FDB8444-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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