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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZonsemiMOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
auf Bestellung 13195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.77 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZDonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZDonsemiMOSFETs 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD1600N10ALZDonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0onsemiMOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 15510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
32+2.7 EUR
36+2.38 EUR
44+1.98 EUR
100+1.51 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+1.39 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+1.39 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans N-Ch 75V 9A
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+1.39 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0_F085Aonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0_NF054onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0_SN00088onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08AOFAIRCHILD07+
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16ANN08A0FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZonsemiMOSFETs 200V NChannel UniFET
auf Bestellung 51266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
64+3.67 EUR
100+2.31 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 89W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
250+1.65 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD18N20LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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FDD2-110(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDD2-110(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDD2-187(5)MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD2-187(5) - CRIMPHÜLSEN, BLAU, 100ER-PACK
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.37 EUR
9+28.92 EUR
10+22.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD2-187(5)MulticompQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Copper/Brass Red F 19.7mm Electro Tin
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.63 EUR
25+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FDD2-187(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDD2-187(8)MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD2-187(8) - Steckhülse, FDD2, Flachsteckhülse, 4.75mm x 0.81mm, 0.187" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm²
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Blau
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDD2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.69 EUR
18+13.55 EUR
100+12.26 EUR
250+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-187(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD2-205(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD2-205(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD2-250MulticompQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 20.8mm Electro Tin
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.22 EUR
25+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250CONNECTARblue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDD2-250KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250CONNECTARblue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250CONNECTARblue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDD2-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD2-250 - Steckhülse, FDD2, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 16 AWG, 14 AWG
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm²
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Blau
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: FDD2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.67 EUR
20+11.9 EUR
100+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250CONNECTARblue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDD2-250KSTN/A
auf Bestellung 4287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250CONNECTARblue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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FDD2-250-1KS Terminals WIRE RANGE: 16-14 AWG,TAB:0.032X0.250inch, INSULATION COLOR: BLUE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDD2-250-10Remington IndustriesDescription: QUICK CONNECT TERM FEMALE 10PCS
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.807" (20.50mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Blue
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-250-100Remington IndustriesDescription: QUICK CONNECT TERM FEMALE 100PCS
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Blue
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.807" (20.50mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Insulated
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-312KS TerminalsTerminals WIRE RANGE: 16-14 AWG, TAB:0.032X0.250inch, INSULATION COLOR: BLUE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-375KS TerminalsTerminals WIRE RANGE: 16-14 AWG, TAB:0.047X0.370inch, INSULATION COLOR: BLUE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDD2-GABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG2HUB 3/4IN GRY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-G1ABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG2HUB 3/4IN GR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2-RABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN RE
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD2-UABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN UR
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FDD20AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD20AN06A0fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD20AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD20AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
auf Bestellung 4901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
auf Bestellung 4901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel LL PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD24AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD24AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD24AN06LA0-SB82249onsemiMOSFET
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FDD24AN06LA0_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD24AN06LA0_F085Aonsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06LA0_NLonsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06LA0_SB82179onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD24AN06LA0_SB82179onsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06LA0_SB82249onsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06LA0_SN00098onsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06LA0_SN00099onsemi / FairchildMOSFET
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FDD24AN06L_F085onsemionsemi NMOS DPAK 60V 19 MOHM
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FDD25-03S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 20W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 6A; FDD25
Type of converter: DC/DC
Power: 20W
Input voltage: 9...18V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 6A
Manufacturer series: FDD25
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1.5kV DC
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDD25-05S1
Produktcode: 36328
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