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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9328TRPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 754 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9328TRPBF
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
10000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+0.42 EUR
350+0.41 EUR
353+0.4 EUR
357+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.6 EUR
343+0.41 EUR
346+0.39 EUR
350+0.37 EUR
353+0.36 EUR
357+0.34 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333
Produktcode: 190631
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
JSMicroTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
JHGF: SMD
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBF
Produktcode: 84989
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.032
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.56 EUR
1056+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInternational RectifierSOIC-8 30V 9.2A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0156
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.56 EUR
1056+0.51 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 5.4A SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335PBF
Produktcode: 46484
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 5.4
Rds(on),Om: 110
Ciss, pF/Qg, nC: 386/9.1
/: SMD
verfügbar: 12 St.
    1+0.34 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 12000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1313+0.42 EUR
    10000+0.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 264499 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1313+0.42 EUR
    10000+0.37 EUR
    100000+0.3 EUR
    Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
    Packaging: Bulk
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
    auf Bestellung 324499 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    872+0.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 872 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 3986 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 1990 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1313+0.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 3279 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    341+0.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 341 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -30V
    Drain current: -5.4A
    Power dissipation: 2.5W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 3279 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    241+0.61 EUR
    345+0.42 EUR
    402+0.35 EUR
    Mindestbestellmenge: 241 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 44008 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1313+0.42 EUR
    10000+0.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
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    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
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    IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
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    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
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    IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
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    IRF9358Infineon Technologies
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    IRF9358
    Produktcode: 56504
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    Transistoren > MOSFET N-CH
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    IRF9358International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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    IRF9358PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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    IRF9358PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
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    IRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms
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    IRF9358PBF
    Produktcode: 109648
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    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
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    2000+0.59 EUR
    Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
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    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
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    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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    IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
    productTraceability: No
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 3555 Stücke:
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    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
    auf Bestellung 3778 Stücke:
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    10+1.48 EUR
    100+1.03 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.74 EUR
    2000+0.72 EUR
    4000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBF
    Produktcode: 189100
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    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 123110 Stücke:
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    10000+0.68 EUR
    100000+0.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 644 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 16000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 3555 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9358TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -30V
    Drain current: -9.2A
    Power dissipation: 2W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362Infineon TechnologiesMOSFETs
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362
    Produktcode: 48293
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    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30
    Dauer-Drainstrom Id: 8
    Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: -
    Wandlerpolarität: p-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
    Betriebstemperatur, max.: 150
    Schwellenspannung Vgs: 1.8
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362PBF
    Produktcode: 112666
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    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 12000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2961 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
    auf Bestellung 4958 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+1.83 EUR
    10+1.1 EUR
    100+0.72 EUR
    500+0.59 EUR
    1000+0.54 EUR
    2000+0.49 EUR
    4000+0.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 9 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -30V
    Drain current: -8A
    Power dissipation: 2W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 115 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    105+1.4 EUR
    109+1.32 EUR
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    1000+1.11 EUR
    2500+1.07 EUR
    Mindestbestellmenge: 105 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2961 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 4372 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    10+1.94 EUR
    15+1.21 EUR
    100+0.8 EUR
    500+0.62 EUR
    1000+0.56 EUR
    2000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 12000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 115 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
    Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
    Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
    auf Bestellung 8628 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    186+2.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 186 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 8628 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    244+2.25 EUR
    500+2.09 EUR
    1000+1.94 EUR
    Mindestbestellmenge: 244 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 1071 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    100+1.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 2103 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    32+4.65 EUR
    45+3.23 EUR
    100+2.33 EUR
    500+2.03 EUR
    1000+1.88 EUR
    Mindestbestellmenge: 32 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    244+2.25 EUR
    500+2.09 EUR
    Mindestbestellmenge: 244 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 22A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 113W
    Bauform - Transistor: DirectFET MX
    Anzahl der Pins: 5Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 4532 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
    Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 4440 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    244+2.25 EUR
    500+2.09 EUR
    1000+1.94 EUR
    Mindestbestellmenge: 244 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineonMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW
    Packaging: Bulk
    Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
    Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 1071 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    100+1.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
    auf Bestellung 2603 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    91+1.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 22A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 113W
    Bauform - Transistor: DirectFET MX
    Anzahl der Pins: 5Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 4532 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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