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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SMMBTA06LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
725+0.32 EUR
1077+0.2 EUR
1452+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2733000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.063 EUR
12000+0.056 EUR
18000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 33549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8903+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 39220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2733000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
12000+0.058 EUR
18000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 11965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
2000+0.075 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 78008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.075 EUR
5000+0.065 EUR
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.26 EUR
1123+0.15 EUR
1134+0.14 EUR
1842+0.086 EUR
1859+0.081 EUR
2565+0.056 EUR
2703+0.051 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1842+0.095 EUR
1859+0.093 EUR
2565+0.067 EUR
2703+0.062 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.052 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1842 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 80V
auf Bestellung 7468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06WT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1onsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1onsemiDarlington Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 14268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
83+0.25 EUR
134+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1GonsemiDarlington Transistors SS DL XSTR NPN 30V
auf Bestellung 8257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA13LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA13LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GonsemiDarlington Transistors SS DL XSTR NPN 30V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.62 EUR
100+0.44 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA14LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA14LT1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA14LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBTA14LT3GonsemiDarlington Transistors NPN Bipolar Darlington Transistor
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SMMBTA14LT3GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA42LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
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632+0.27 EUR
1083+0.15 EUR
1127+0.14 EUR
1161+0.13 EUR
1197+0.12 EUR
1235+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 632 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1085+0.17 EUR
1097+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1085 Stücke
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SMMBTA42LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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5+0.77 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SMMBTA42LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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27000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
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1127+0.15 EUR
1197+0.14 EUR
1235+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA42LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA42LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
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SMMBTA42LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA42LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Current gain: 40
Frequency: 50MHz
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA42LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA42LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 537000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3106+0.057 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8903+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8903+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.045 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.06 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 537000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3572+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.079 EUR
20000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 145698 Stücke:
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SMMBTA56LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
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SMMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
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44+0.48 EUR
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SMMBTA56WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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SMMBTA56WT1GONN
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SMMBTA56WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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SMMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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SMMBTA56WT3GONN
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SMMBTA56WT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 80V
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA56WT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SMMBTA56WT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SMMBTA64LT1GonsemiDarlington Transistors SS DL XSTR PNP 30V
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3000+0.14 EUR
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SMMBTA64LT1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA64LT1GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.3W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
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SMMBTA64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA64LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1168750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA64LT1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBTA92LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.49 EUR
663+0.35 EUR
953+0.23 EUR
1204+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 27000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
391+0.45 EUR
563+0.3 EUR
569+0.29 EUR
824+0.19 EUR
832+0.18 EUR
1099+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA92LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH