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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1084+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1084 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
auf Bestellung 19842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.43 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBF
Produktcode: 173434
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBF
Produktcode: 39736
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 8.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRInfineonP-MOSFET 30V 12A 11.9mΩ 2.5W IRF9328 Inernational Rectifier TIRF9328
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9328TRPBF
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9328TRPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
754+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 754 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+0.5 EUR
350+0.49 EUR
353+0.48 EUR
357+0.46 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.71 EUR
343+0.49 EUR
346+0.46 EUR
350+0.44 EUR
353+0.43 EUR
357+0.4 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333
Produktcode: 190631
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JSMicroTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14
Montage: SMD
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333PBF
Produktcode: 84989
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0156
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInternational RectifierSOIC-8 30V 9.2A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.67 EUR
1056+0.61 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.67 EUR
1056+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
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IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9335Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRF9335PBF
Produktcode: 46484
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 110 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 386/9,1
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9335PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm
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IRF9335PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 5.4A SO-8 Транзистори
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3279 Stücke:
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241+0.73 EUR
345+0.5 EUR
402+0.42 EUR
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 44008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
auf Bestellung 324499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
872+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 872 Stücke
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4475 Stücke:
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1313+0.5 EUR
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IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 19514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
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IRF9335TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
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IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1313+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1313 Stücke
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IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.54 EUR
100+0.45 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358
Produktcode: 56504
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358PBF
Produktcode: 109648
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
104+2.24 EUR
250+1.37 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBF
Produktcode: 189100
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 123110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.81 EUR
100000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
104+2.24 EUR
250+1.37 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
112+1.54 EUR
160+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.76 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF9362Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRF9362
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IRF9362PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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IRF9362PBF
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IRF9362PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF9362PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF9362PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
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IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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109+1.57 EUR
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2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2961 Stücke:
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85+2.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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