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JAN2N5665
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JAN2N5665Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/455
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5665Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5666Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 200V 5A TO5
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JAN2N5666Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N5666SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 200V 5A TO39
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JAN2N5666U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5667Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 5A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: MIL-PRF-19500/455
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5667Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT
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Jan2N5667SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 300V 5A TO39
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JAN2N5671Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5671Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5671
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JAN2N5672Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 120V 30A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 6 W
Qualification: MIL-PRF-19500/488
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JAN2N5672MOT/ON
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JAN2N5672Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5679MOTOROLA
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JAN2N5680Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
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JAN2N5680MOT
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JAN2N5680Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
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JAN2N5681MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5681MOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
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JAN2N5682Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/583
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JAN2N5682Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N5682MOTOROLA
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JAN2N5683
auf Bestellung 100 Stücke:
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JAN2N5683Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 50A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
Qualification: MIL-PRF-19500/466
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JAN2N5684MOT
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JAN2N5684Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
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JAN2N5684Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 50A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Qualification: MIL-PRF-19500/466
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JAN2N5685Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 50A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
Qualification: MIL-PRF-19500/464
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JAN2N5685MOT
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JAN2N5685Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50A 300W NPN Power BJT THT
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JAN2N5686MOT
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JAN2N5686Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 50A 300W NPN Power BJT THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5686Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 50A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Supplier Device Package: TO-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Qualification: MIL-PRF-19500/464
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5745Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5745Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 100UA TO3
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JAN2N5745
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JAN2N5754MOTOROLA
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JAN2N5755MOTOROLA
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JAN2N5756MOTOROLA
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JAN2N5757MOTOROLA
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JAN2N5758MOTOROLA
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JAN2N5759MOTOROLA
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JAN2N5760MOTOROLA
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JAN2N5780MOTOROLA
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JAN2N5781MOTOROLA
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JAN2N5782MOTOROLA
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JAN2N5783MOTOROLA
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JAN2N5784MOTOROLA
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JAN2N5785MOTOROLA
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JAN2N5786MOTOROLA
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JAN2N5788MOTOROLA
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JAN2N5789MOTOROLA
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JAN2N5790MOTOROLA
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JAN2N5791MOTOROLA
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JAN2N5794Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N5794Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
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JAN2N5794AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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JAN2N5794AMicrochip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
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JAN2N5794AUCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N5794AUC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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JAN2N5794AUC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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JAN2N5794UMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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JAN2N5794UMicrochip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5794UC/TRMicrochip TechnologyDescription: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5794UC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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Jan2N5796Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N5796UMicrochip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
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JAN2N5859MOTOROLA
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N5884MOTOROLA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N5943MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N595MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N599
auf Bestellung 100 Stücke:
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Jan2N6032Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 90V 50A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA)
Current - Collector Cutoff (Max): 25mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50A, 2.6V
Supplier Device Package: TO-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
Qualification: MIL-PRF-19500/528
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Jan2N6032Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT
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JAN2N6033Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 120V 40A TO3
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JAN2N6033
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6033Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 120V NPN Power BJT THT
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JAN2N6038
auf Bestellung 47 Stücke:
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JAN2N6050MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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JAN2N6051Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 80V 12A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 W
Qualification: MIL-PRF-19500/501
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JAN2N6051MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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JAN2N6052Microchip / MicrosemiDarlington Transistors Power BJT
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JAN2N6052Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
Qualification: MIL-PRF-19500/501
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6052MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6053MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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JAN2N6054MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N6055MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6056MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6057MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N6058MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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JAN2N6058Microchip / MicrosemiDarlington Transistors 80V 20A 150W NPN Power BJT THT
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JAN2N6058Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN DARL 80V 12A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 W
Qualification: MIL-PRF-19500/502
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JAN2N6059Microchip / MicrosemiDarlington Transistors 100V 12A 150W NPN Power BJT THT
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JAN2N6059Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
Qualification: MIL-PRF-19500/502
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JAN2N6059MOTOROLA
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JAN2N6100MOTOROLA
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