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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BDV-15JF-KPATLITE (U.S.A.)Description: PATLITE (U.S.A.) - BDV-15JF-K - VOICE ANNUNCIATOR, 24VDC, 90DB, IP54
tariffCode: 85311030
Resonanzfrequenz: -
rohsCompliant: YES
Schallpegel (SPL): 90dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: -
Töne: Multiple
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Stromverbrauch: -
Außentiefe: 79.5mm
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: 24VDC
Betriebstemperatur, max.: 50°C
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
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BDV49
auf Bestellung 16000 Stücke:
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BDV50
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV64Central SemiconductorCentral Semiconductor
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BDV64Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64BournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 60V 12A TO218
Packaging: Bag
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.38 EUR
10+ 7.02 EUR
20+ 6.66 EUR
50+ 6.27 EUR
100+ 6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BDV64-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64-SBournsDarlington Transistors 60V 12A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64ABournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
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BDV64A
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV64ACentral SemiconductorCentral Semiconductor
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BDV64A-SBournsTrans Darlington PNP 80V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
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BDV64A-SBournsDarlington Transistors 80V 12A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64A-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64BBournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64BonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64BCentral SemiconductorCentral Semiconductor
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BDV64BonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
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BDV64BCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 100V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64B-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 100V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV64B-SBournsDarlington Transistors 100V 12A PNP
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BDV64BGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.25 EUR
30+ 5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.08 EUR
40+ 3.8 EUR
47+ 3.15 EUR
60+ 3 EUR
120+ 2.54 EUR
270+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39
BDV64BGONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+ 3.27 EUR
29+ 2.53 EUR
30+ 2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BDV64BG
Produktcode: 125194		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-247
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 10 А
Bem.: Дарлінгтон
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV64BGonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.31 EUR
10+ 7.12 EUR
30+ 5.77 EUR
120+ 5.07 EUR
270+ 4.65 EUR
570+ 4.39 EUR
1140+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BDV64BGONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+ 3.27 EUR
29+ 2.53 EUR
30+ 2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV64BGONSEMIDescription: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.07 EUR
40+ 3.79 EUR
47+ 3.14 EUR
60+ 2.99 EUR
120+ 2.53 EUR
270+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39
BDV64CBournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
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BDV64CNXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BDV64C-SBournsTrans Darlington PNP 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
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BDV64C-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 3.5 W
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BDV64C-SBournsDarlington Transistors 120V 12A PNP
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BDV64CF
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV64DON
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV64F
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
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BDV65BournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
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BDV65Central SemiconductorCentral Semiconductor
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BDV65-SBournsDarlington Transistors 60V 12A NPN
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BDV65-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65ABournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
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BDV65APHI09+
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
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BDV65ACentral SemiconductorCentral Semiconductor
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BDV65A-SBournsDarlington Transistors 80V 12A NPN
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BDV65A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 80V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BDV65BonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
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BDV65B
Produktcode: 143556		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 100V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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BDV65BBournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BCentral SemiconductorCentral Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65B-SBournsDarlington Transistors 100V 12A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 100V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65B-SBournsTrans Darlington NPN 100V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BGONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 12A; 125W; TO247
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power: 125W
Case: TO247
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BGONSEMIDescription: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV65BGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV65BG
Produktcode: 185363		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BGonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65BTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65CPHI09+
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65CNXP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65CBournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65C-SBournsTrans Darlington NPN 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65C-SBournsDarlington Transistors 120V 12A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65C-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 120V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 3.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65CF
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65F
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV65TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
BDV66APHI/ON09+ QFP100
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BDV66BMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BDV66B - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV67BMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BDV67B - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BDV91
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