Produkte > FF7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||
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| FF7 | SURGE | Description: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF7 | Good-Ark | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R12ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 750A Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 750A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Econo DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 750A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Econo DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Econo DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7DB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 750A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 750A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF750R17ME7DPB11BPSA1 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 650 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78100 pF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 650A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF75R06KF3 | EUPEC | C3-4 | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12KE3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12KT3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12RT4 Produktcode: 67169
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FF75R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 75A | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF75R12RT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 395W euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 395W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 395 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 65A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 65A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF75R12YT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12YT3BOMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF75R12YT3BOMA1 - FF75R12 - IGBT MODULE tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF75R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 345W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 345 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FF7MR12W1M1HB17BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF7MR12W1M1HB17BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA Supplier Device Package: AG-EASY1B | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF7MR12W1M1HB17BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 5800 µohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyDUAL Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |