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FF7Good-ArkRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123FL T/R
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FF7SURGEDescription: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R
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FF7Good-ArkRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123FL T/R
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesSP005418154
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FF750R12ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER ECONO
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+852.02 EUR
FF750R17ME7DB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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100+ 942.58 EUR
1000+ 942.55 EUR
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V
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1+813.44 EUR
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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FF75R06KF3EUPECC3-4
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FF75R12KE3EUPECMODULE
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FF75R12KT3EUPECMODULE
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FF75R12RT4
Produktcode: 67169		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FF75R12RT4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 75A
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FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+110.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+110.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FF75R12RT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+93.94 EUR
5+ 83.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 395W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 395 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+159.67 EUR
10+ 145.15 EUR
FF75R12YT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 345W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 345 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 100A 345000mW Tray
Produkt ist nicht verfügbar