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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FF7Good-ArkDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R Automotive AEC-Q101
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FF7SURGEDescription: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
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FF750R12ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
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FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesSP005418154
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
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2+475.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+404.73 EUR
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FF750R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER ECONO
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
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FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+440.51 EUR
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+204.36 EUR
10+195.84 EUR
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V
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FF750R17ME7DB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
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FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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12+498.41 EUR
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FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF750R17ME7DPB11BPSA1
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78100 pF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+450.44 EUR
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FF750R17ME7DPB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 650A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
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FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7DPB11BPSA1
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FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7DPB11BPSA1
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FF75R06KF3EUPECC3-4
auf Bestellung 19 Stücke:
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FF75R12KE3EUPECMODULE
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FF75R12KT3EUPECMODULE
auf Bestellung 92 Stücke:
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FF75R12RT4
Produktcode: 67169
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FF75R12RT4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 75A
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20+130.03 EUR
50+127.14 EUR
100+123.99 EUR
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FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
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4+149.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 395W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 395 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FF75R12RT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesFF75R12W1T7EB11BPSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.07 EUR
10+62.23 EUR
24+60.74 EUR
48+59.79 EUR
120+58.85 EUR
264+56.30 EUR
504+54.54 EUR
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FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.77 EUR
24+64.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12YT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 345W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 345 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12YT3BOMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF75R12YT3BOMA1 - FF75R12 - IGBT MODULE
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 100A 345000mW Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF7MR12W1M1HB17BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyDUAL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesFF7MR12W1M1HB17BPSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EASY STANDARD
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+237.69 EUR
10+236.93 EUR
24+236.14 EUR
48+232.81 EUR
120+210.94 EUR
264+210.90 EUR
504+210.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+290.44 EUR
24+236.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH