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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
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IPQ-8068-0-519FCBGA-TR-01-0QualcommDescription: IPQ8068 CHIPSET: QCAENTERPRISE I
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IPQ-8074A-0-772FCBGA-MT-00-0QualcommIPQ-8074A-0-772FCBGA-MT-00-0
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPQ-9574-0-MSP615-MT-01-0QualcommWireless Module
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IPQ-9574-0-MSP615-TR-01-0QualcommWireless Module
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IPQ-9574-1-MSP615-TR-01-0QualcommDescription: IPQ-9574-1-MSP615-TR-01-0.
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IPQC60R010S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 737 Stücke:
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10+39.47 EUR
50+36.82 EUR
100+34.14 EUR
250+33.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.91 EUR
10+28.31 EUR
100+25.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.37 EUR
10+41.2 EUR
25+38.45 EUR
50+37.24 EUR
100+36.05 EUR
250+33.64 EUR
500+30.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.03 EUR
10+36.87 EUR
100+31.86 EUR
500+30.18 EUR
750+28.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+37.96 EUR
50+35.39 EUR
100+32.82 EUR
250+32.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.98 EUR
50+20.5 EUR
100+19 EUR
250+18.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.85 EUR
10+21.88 EUR
100+18.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+17.34 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.1 EUR
10+20.29 EUR
100+17.55 EUR
250+17.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.19 EUR
10+21.98 EUR
50+20.5 EUR
100+19 EUR
250+18.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.36 EUR
10+22.75 EUR
50+22.73 EUR
100+19.65 EUR
250+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.86 EUR
10+20.97 EUR
25+20.94 EUR
100+18.11 EUR
250+17.55 EUR
750+16.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.75 EUR
50+22.73 EUR
100+19.65 EUR
250+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.94 EUR
10+21.91 EUR
100+18.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.16 EUR
10+12.99 EUR
100+10.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.33 EUR
10+13.15 EUR
25+12.29 EUR
100+10.95 EUR
250+10.6 EUR
500+9.95 EUR
750+8.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+12.82 EUR
25+12.15 EUR
100+9.76 EUR
500+9.59 EUR
750+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60T010S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.19 EUR
10+39.4 EUR
100+34.06 EUR
500+32.24 EUR
750+30.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60T010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+24.78 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPQC60T010S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.52 EUR
5+52.96 EUR
10+41.75 EUR
50+39.31 EUR
100+36.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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