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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
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ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 142 Stücke:
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1+7.00 EUR
10+4.88 EUR
100+3.54 EUR
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ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2931 Stücke:
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500+3.19 EUR
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ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 245 Stücke:
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ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
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ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.97 EUR
10+5.29 EUR
100+3.76 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
auf Bestellung 2830 Stücke:
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3+8.55 EUR
10+5.70 EUR
100+4.07 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005575184
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ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
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ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.78 EUR
10+5.39 EUR
100+3.92 EUR
500+3.34 EUR
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ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
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ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.17 EUR
10+6.12 EUR
100+4.40 EUR
500+3.66 EUR
1000+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005754001
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ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.45 EUR
10+6.09 EUR
100+4.52 EUR
500+3.78 EUR
1000+3.75 EUR
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ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
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ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ISG1411IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ISG2B422FP-08
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ISG4100IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG4A442FJ-7A1
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISGAL22LV10C-7LJ
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH