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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ISG-200-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG-200-WG-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA, w/ Gnd Wire
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+5.05 EUR
100+4.58 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.92 EUR
3000+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.9 EUR
10+6.57 EUR
50+5.13 EUR
100+4.66 EUR
500+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.62 EUR
10+6.38 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
500+4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+4.93 EUR
100+4.46 EUR
500+3.94 EUR
3000+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.95 EUR
10+7.28 EUR
50+5.71 EUR
100+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
50+7.84 EUR
100+5.63 EUR
500+4.69 EUR
1500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG1411IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG2B422FP-08
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG4100IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG4A442FJ-7A1
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISGAL22LV10C-7LJ
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH