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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
ISG-200-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG-200-WG-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA, w/ Gnd Wire
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.86 EUR
100+3.48 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.9 EUR
3000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.23 EUR
10+4.42 EUR
25+4.36 EUR
100+3.31 EUR
250+3.29 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.93 EUR
100+3.52 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.97 EUR
3000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.43 EUR
10+4.92 EUR
100+3.5 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005575184
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+5.32 EUR
100+3.8 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.29 EUR
3000+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.97 EUR
10+5.31 EUR
100+3.79 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005754001
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+5.7 EUR
100+4.1 EUR
500+4 EUR
1000+3.78 EUR
3000+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistors - Unclassified
Description: ISG0616N10NM5HSCATMA1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
10+5.66 EUR
100+4.06 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG1411IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG2B422FP-08
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG4100IMAGIS BGA 13+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG4A442FJ-7A1
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISGAL22LV10C-7LJ
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH