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Description: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS-01J-CS

Description: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NDS-01V

dip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-01V DIPTRONICS PRZ NDS-01V
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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NDS-01V

DIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 1759 Stücke:

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NDS-02J

Description: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP

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NDS-02J-CB

Description: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
Packaging: Box
Features: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 50mA (AC), 250mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 24
Termination Style: Connector
Actuator Length: 18.50mm
Actuator Type: Knob
Angle of Throw: 15°
Number of Decks: 1
Number of Poles per Deck: 1
Circuit per Deck: BCD Complement
Contact Timing: Not Specified
Index Stops: Continuous
Depth Behind Panel: 19.00mm
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 50 V
Voltage Rating - DC: 5 V

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	211.2 EUR

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NDS-02J-CS

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	211.2 EUR

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NDS-02V

DIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 2 POS

auf Bestellung 1583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
50+	2.11 EUR
72+	1.78 EUR
504+	1.69 EUR
1008+	1.55 EUR
2016+	1.37 EUR
5040+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDS-03V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
51+	2.39 EUR
102+	2.18 EUR
510+	1.97 EUR
1020+	1.81 EUR
2040+	1.61 EUR
5049+	1.45 EUR

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NDS-03V

dip-switch slide, 3 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-03V DIPTRONICS PRZ NDS-03V
Anzahl je Verpackung: 51 Stücke

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

51+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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NDS-04-V

DIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 4 pos.

auf Bestellung 2118 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	2.32 EUR
25+	2.11 EUR
120+	1.9 EUR
280+	1.8 EUR
520+	1.72 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDS-04V

DIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 4 POS

auf Bestellung 1511 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
40+	2.16 EUR
120+	1.95 EUR
520+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS-04V

dip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-04V DIPTRONICS PRZ NDS-04V
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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NDS-05V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.41 EUR
50+	2.85 EUR
96+	2.59 EUR
512+	2.36 EUR
1024+	2.16 EUR
2016+	1.92 EUR
5024+	1.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS-06V

dip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-06V DIPTRONICS PRZ NDS-06V
Anzahl je Verpackung: 27 Stücke

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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NDS-06V

DIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 6 POS

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
54+	2.38 EUR
108+	2.15 EUR
513+	1.95 EUR
1026+	1.8 EUR
2025+	1.59 EUR
5022+	1.44 EUR

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NDS-06V

APEM Components

Through Board Standard Profile Dual In Line Switch, 6 Way, Gold Plated

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.81 EUR
100+	2.62 EUR
275+	2.49 EUR
525+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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NDS-07V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 1214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.52 EUR
48+	2.94 EUR
120+	2.66 EUR
504+	2.43 EUR
1008+	2.22 EUR
2016+	1.97 EUR
5016+	1.78 EUR

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NDS-08V

DIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 8 POS

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.19 EUR
42+	2.66 EUR
105+	2.41 EUR
504+	2.2 EUR
1008+	2.01 EUR
2016+	1.78 EUR
5019+	1.61 EUR

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NDS-09V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDS-10V

dip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-10V DIPTRONICS PRZ NDS-10V
Anzahl je Verpackung: 17 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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NDS-10V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 852 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.79 EUR
51+	4 EUR
102+	3.63 EUR
510+	3.29 EUR

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NDS-11

Littelfuse Inc.

Description: RELAY SOCKET 11 POS DIN RAIL

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NDS-11

Relay Sockets & Fixings DIN11-PINSOCKET

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NDS-12V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.28 EUR
56+	4.4 EUR
112+	4 EUR
504+	3.63 EUR
1008+	3.34 EUR
2002+	2.96 EUR
5012+	2.66 EUR

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NDS-8

Relay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS-8

Relay Sockets & Fixings PIN8-PINSOCKET

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.77 EUR
10+	14.19 EUR
25+	12.67 EUR
50+	12.32 EUR
100+	11.6 EUR
250+	11.23 EUR
500+	10.86 EUR

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NDS-8

LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - NDS-8 - RELAY SOCKET, 10A, 300V, DIN RAIL/PANEL
tariffCode: 85366990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 10A
Nennspannung: 300VAC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail, Panel
usEccn: EAR99
Produktpalette: NDS Series

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS-8

Relay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount

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NDS-8

Littelfuse Inc.

Description: RELAY SOCKET 8 POSITION DIN RAIL
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Multiple Series
Mounting Type: DIN Rail
Number of Positions: 8
Type: Socket
Termination Style: Screw Terminal

auf Bestellung 116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.64 EUR
10+	15.71 EUR
25+	15 EUR
50+	14.49 EUR
100+	13.99 EUR

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NDS-SET

Greenlee Communications

Description: NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC

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NDS0001B-LF

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0001E-LF

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0002B-LF

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS01V

DIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS02V

Description: APEM - NDS02V - DIP SWITCH, 2POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS02V

DIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 2 pos.

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NDS02ZG-M6

Description: USE NDS02ZG-M6G

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS02ZG-M6

Isolated DC/DC Converters - SMD CONV DC-DC 48V IN 5V OUT 10W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS02ZG-M6G

Isolated DC/DC Converters - SMD 10W 5Vout 2A 36-75Vin 0.35A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03 development board

Налагоджувальна плата для NDS03

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NDS03TV

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

auf Bestellung 536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
50+	1.66 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.41 EUR
5000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03V

Description: APEM - NDS03V - DIP SWITCH, 3POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series

auf Bestellung 610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

auf Bestellung 726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.29 EUR
10+	1.9 EUR
255+	1.72 EUR
510+	1.71 EUR
2550+	1.54 EUR
5049+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03ZD-M6

Description: CONV DC-DC 48V IN 2.5V OUT 10W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03ZE-M6

Description: CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03ZE-M6

POWERONE

MODULE 00+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS03ZE-M6

Isolated DC/DC Converters CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS04TV

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS04TV

Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: Yes
Number of Positions: 4

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS04V

Description: APEM - NDS04V - DIP SWITCH, 4POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0510

auf Bestellung 5171 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS05TV

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS05TV

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS05V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS05V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

auf Bestellung 359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.41 EUR
256+	2.09 EUR
512+	1.46 EUR
1024+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0601-NL

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode

auf Bestellung 35820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

auf Bestellung 17285 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

33+	0.55 EUR
53+	0.33 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 22891 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7979+	0.067 EUR
10000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 7979

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

P-кан. MOSFET -60V, 0.18A, 0.36Вт, 5.0Ом, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC

auf Bestellung 9558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.31 EUR
334+	0.21 EUR
505+	0.14 EUR
596+	0.12 EUR
723+	0.099 EUR
817+	0.088 EUR
1000+	0.078 EUR
3000+	0.068 EUR
6000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 20750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

355+	0.4 EUR
1734+	0.079 EUR
1752+	0.076 EUR
1767+	0.072 EUR
1786+	0.069 EUR
1806+	0.065 EUR
1822+	0.062 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 355

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

auf Bestellung 16750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 20750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1767+	0.081 EUR
1786+	0.077 EUR
1806+	0.073 EUR
1822+	0.07 EUR
3000+	0.056 EUR
6000+	0.041 EUR
15000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 1767

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode

auf Bestellung 32726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.47 EUR
12+	0.25 EUR
100+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.093 EUR
6000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0605

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 26735 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS0605(605)

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS0605-F169

Description: MOSFET P-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS0605-NL

09+

auf Bestellung 500018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS0605/65D

auf Bestellung 1593 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS0605_Q

MOSFET

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.075 EUR
9000+	0.053 EUR
15000+	0.05 EUR
21000+	0.048 EUR
30000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS0610

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 10Ω

auf Bestellung 3035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.24 EUR
382+	0.19 EUR
487+	0.15 EUR
539+	0.13 EUR
665+	0.11 EUR
1000+	0.098 EUR
3000+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 295

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1049+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR
27000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1049

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NDS0610

Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

auf Bestellung 62249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
34+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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NDS0610

Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 32062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

767+	0.19 EUR
854+	0.16 EUR
1229+	0.11 EUR
1637+	0.078 EUR
1819+	0.067 EUR
3000+	0.044 EUR
6000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 767

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

457+	0.31 EUR
622+	0.22 EUR
899+	0.15 EUR
1195+	0.11 EUR
1332+	0.092 EUR
3000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 457

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3406+	0.16 EUR
10000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3406

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NDS0610

ON-Semiconductor

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

258+	0.55 EUR
363+	0.38 EUR
523+	0.25 EUR
672+	0.19 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 258

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NDS0610
Produktcode: 91972

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NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS0610

Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS0610

Description: ONSEMI - NDS0610 - MOSFET, P-KANAL, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 32062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.57 EUR
252+	0.55 EUR
253+	0.53 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 251

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3406+	0.16 EUR
10000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3406

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.077 EUR
9000+	0.054 EUR
15000+	0.052 EUR
21000+	0.049 EUR
30000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

ON-Semiconductor

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.075 EUR
9000+	0.049 EUR
15000+	0.046 EUR
21000+	0.044 EUR
30000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

523+	0.27 EUR
672+	0.21 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 523

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	0.73 EUR
320+	0.43 EUR
503+	0.26 EUR
670+	0.19 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 197

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610

MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode

auf Bestellung 36082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.23 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610 SOT23-610

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610(610)

auf Bestellung 7425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610(M5-49)

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-G

Description: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.48 EUR
60+	0.3 EUR
100+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 38

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-G

MOSFET FET -60V 10 OHM

auf Bestellung 66173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
100+	0.39 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.099 EUR
9000+	0.09 EUR
24000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-G

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-G

Description: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-NL

SOT-23

auf Bestellung 144000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610-PG

Description: MOSFET P-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610/G10

auf Bestellung 2991 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610SOT23-610

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610_NL

Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS0610_NL

auf Bestellung 1428 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS06TV

DIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS06V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS06V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

auf Bestellung 1245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.13 EUR
10+	2.87 EUR
27+	2.06 EUR
108+	1.94 EUR
270+	1.87 EUR
2511+	1.78 EUR
5022+	1.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS07TV

DIP Switches / SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS07V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS07V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS08RSP-006

N/A

SOP-8

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS08TV

DIP Switches/SIP Switches 8Pos 24mA 24VDC Raised Act Sealed

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS08V

DIP Switches/SIP Switches 25mA 24VDC 8Pos 10N SPST, UL94-V0

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
21+	2.97 EUR
105+	2.52 EUR
252+	2.41 EUR
504+	2.15 EUR
2520+	2.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS08V

Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.277" (7.05mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS08V

Description: APEM - NDS08V - DIP SW, SPST, 0.025, 24VDC, TH
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Raised Slide
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Through Hole
Produktpalette: NDS Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST
directShipCharge: 25

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS09TV

DIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS09V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS100-004-BF

Yamaichi Electronics

Board to Board & Mezzanine Connectors 100P/ Bellows Rec/ Conn

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS10TV

DIP Switches/SIP Switches 10POS SPST DIP SWTCH 0.05A 24V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS1105

DALLAS

04+ SOP

auf Bestellung 159 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS12TV

DIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS12V

DIP Switches/SIP Switches 5mA 24V 12POS SPST Raised Act

auf Bestellung 13 Stücke:

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1+	4.8 EUR
10+	4.17 EUR
28+	3.94 EUR
112+	3.63 EUR
252+	3.31 EUR
504+	3.27 EUR
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NDS12V

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NDS13

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NDS256AP

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NDS3201A

Amphenol

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NDS327AN-NL

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NDS331

NAS

331/23 BD

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NDS331N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V

auf Bestellung 24659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
26+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 62860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1149+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1149

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 83500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

353+	0.41 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 353

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NDS331N

N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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NDS331N

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 227949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 62860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.41 EUR
526+	0.26 EUR
699+	0.19 EUR
882+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 350

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	0.75 EUR
290+	0.48 EUR
292+	0.45 EUR
300+	0.43 EUR
309+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 192

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NDS331N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS331N

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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NDS331N

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 227949 Stücke:

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 753000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
15000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS331N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
182+	0.39 EUR
233+	0.31 EUR
261+	0.27 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 136

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NDS331N

N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,3 А, Ptot, Вт = 0,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 162 @ 10, Qg, нКл = 5 @ 4,5 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	0.49 EUR
300+	0.46 EUR
309+	0.43 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 292

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NDS331N

MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode

auf Bestellung 238441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NDS331N

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

500+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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NDS331N

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 273000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 753000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
15000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS331N(331*)

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS331N-EV

EVVO

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N-EV

EVVO

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N-NL

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 69312 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N-NL-ML

Description: N-Channel 20V 1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

299+	0.059 EUR
1000+	0.058 EUR
3000+	0.054 EUR
6000+	0.053 EUR
15000+	0.051 EUR
30000+	0.049 EUR
75000+	0.046 EUR
150000+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 299

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N-Q

auf Bestellung 7472 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N/FSC

08+;

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N_D87Z

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NDS331N_NL

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS331N_Q

MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS332

auf Bestellung 306000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC

auf Bestellung 11984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.11 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 24969 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 294000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

P-кан. MOSFET 20V, 1A, 500mW, SSOT-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC

auf Bestellung 1635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	0.56 EUR
147+	0.49 EUR
225+	0.32 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 129

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 17446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2434+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2434

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 19615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2434+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2434

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 294000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
12000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC

auf Bestellung 32761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

779+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 779

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR
12000+	0.2 EUR
27000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS332P

Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V

auf Bestellung 35159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.18 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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NDS332P SOT23-332

auf Bestellung 1665 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS332P SOT23-332

auf Bestellung 4805 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS332P(332*)

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS332P-NL

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 69426 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS332P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

299+	0.059 EUR
1000+	0.058 EUR
3000+	0.054 EUR
6000+	0.053 EUR
15000+	0.051 EUR
30000+	0.049 EUR
75000+	0.046 EUR
150000+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 299

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NDS332P/332

auf Bestellung 3151 Stücke:

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NDS332P/FSC

08+;

auf Bestellung 1000 Stücke:

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NDS332PNL

auf Bestellung 1395 Stücke:

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NDS332PSOT23-332

auf Bestellung 7844 Stücke:

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NDS332P\332

SOT-23

auf Bestellung 1550 Stücke:

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NDS332P_NL

auf Bestellung 6000 Stücke:

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NDS332P_Q

MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC

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NDS335

auf Bestellung 300000 Stücke:

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NDS335AN

auf Bestellung 18600 Stücke:

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NDS335N
Produktcode: 135240

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Transistoren > MOSFET N-CH

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NDS335N

MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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NDS335N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 10 V

auf Bestellung 71091 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1137+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1137

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NDS335N

MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS335N

auf Bestellung 141000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N(335)

auf Bestellung 30145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N-NL

11+ SOT-23

auf Bestellung 116331 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N/335

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N/335N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N\335

SOT-23

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS335N_Q

MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS336

auf Bestellung 3208 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V

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NDS336P

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P SOT23-336

auf Bestellung 2739 Stücke:

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NDS336P SOT23-336

auf Bestellung 2939 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P(336)

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P(336*)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P-NL

11+ SOT-23

auf Bestellung 69331 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336P/336

09+

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS336PSOT23-336

auf Bestellung 2939 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS337-NL

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS337N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS337N-NL

11+ SOT-23

auf Bestellung 69321 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS338DS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS338N

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS338P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS338P-NL

11+ SOT-23

auf Bestellung 69331 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS339AN-NL

11+ SOT-23

auf Bestellung 93331 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS340P

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351AN

Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 179304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS351AN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 330023 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2627+	0.2 EUR
10000+	0.18 EUR
100000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2627

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NDS351AN

N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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NDS351AN

Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 179304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS351AN

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS351AN

MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC

auf Bestellung 46255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.4 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NDS351AN SOT23-351A

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351AN SOT23-351A

auf Bestellung 5962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351AN(351A)

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351AN-NL

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351AN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 1.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 299800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

318+	0.055 EUR
1000+	0.054 EUR
3000+	0.05 EUR
6000+	0.049 EUR
15000+	0.048 EUR
30000+	0.046 EUR
75000+	0.043 EUR
150000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 318

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NDS351AN-SBNL001

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351AN-SBNL001P

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NDS351AN/351A

09+

auf Bestellung 3668 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351ANSOT23-3

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351AN_G

onsemi

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351AN_NL

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS351AN_NL

MOSFET 30V, SSOT-3, NCH

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NDS351AN_Q

MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC

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NDS351AN_T

onsemi

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NDS351N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 19242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

227+	0.63 EUR
299+	0.46 EUR
414+	0.32 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 227

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NDS351N

MOSFET NChannel Logic Level Enhancement Mode FE

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351N

Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS351N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.63 EUR
280+	0.49 EUR
282+	0.47 EUR
398+	0.32 EUR
402+	0.3 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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NDS351N
Produktcode: 171159

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Transistoren > MOSFET N-CH

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NDS351N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351N

Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS351N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS351N-NL

auf Bestellung 86400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS351N-NL-ML

Description: N-Channel 30V 1.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

318+	0.055 EUR
1000+	0.054 EUR
3000+	0.05 EUR
6000+	0.049 EUR
15000+	0.048 EUR
30000+	0.046 EUR
75000+	0.043 EUR
150000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 318

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NDS351N/351

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS352A/352

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS352AN

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352AP

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6883 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS352AP

Aptina Imaging

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.48 EUR
434+	0.32 EUR
438+	0.3 EUR
564+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 295

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NDS352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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NDS352AP

MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode

auf Bestellung 65508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.84 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V

auf Bestellung 14705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
26+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NDS352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.7 EUR
292+	0.47 EUR
295+	0.45 EUR
434+	0.29 EUR
438+	0.28 EUR
564+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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NDS352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS352AP

MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode

auf Bestellung 8030 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NDS352AP

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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NDS352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS352AP SOT23-352A

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352AP-NL

SOT-23

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352AP-NL-ML

Description: P-Channel -30V -0.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 296800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

308+	0.057 EUR
1000+	0.056 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.051 EUR
15000+	0.05 EUR
30000+	0.047 EUR
75000+	0.045 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 308

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NDS352AP/352

09+

auf Bestellung 5988 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352AP352

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352APSOT23-352

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352APSOT23-352A

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS352P

Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS352P

Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V

auf Bestellung 28035 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

987+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 987

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NDS352P

Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V

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NDS352P

MOSFET SSOT-3 P-CH 20V

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NDS352P-NL

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 66921 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355

FAITCHILD

04+ SOT-23

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355A

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355AN

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT-23-3 (SC-59) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
15000+	0.33 EUR
30000+	0.3 EUR
45000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR
12000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2329 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.56 EUR
292+	0.47 EUR
377+	0.35 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 257

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
9000+	0.2 EUR
45000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC

auf Bestellung 1049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	0.84 EUR
129+	0.56 EUR
141+	0.51 EUR
175+	0.41 EUR
196+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

ON-Semiconductor

N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1864 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3845 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

241+	0.59 EUR
323+	0.43 EUR
331+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 241

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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NDS355AN

MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC

auf Bestellung 43186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR
24000+	0.19 EUR
45000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3845 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.87 EUR
220+	0.63 EUR
239+	0.56 EUR
322+	0.4 EUR
331+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NDS355AN

Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.19 EUR
24000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN-F169

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN-F169

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS355AN-NB9L007A

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS355AN-NB9L007A

Description: NDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVEL

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS355AN-NL

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.081 EUR
3000+	0.074 EUR
6000+	0.072 EUR
15000+	0.069 EUR
30000+	0.067 EUR
75000+	0.061 EUR
150000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NDS355AN/355

auf Bestellung 6730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355AN/355A

auf Bestellung 9370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355AN_G

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NDS355AN_Q

MOSFET N-Channel Logic

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NDS355N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS355N
Produktcode: 58027

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NDS355N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355N

ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V

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NDS355N

MOSFET DISC BY MFG 2/02

auf Bestellung 9560 Stücke:

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NDS355N-NL

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 36231 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355N\355

SOT-23

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS355N_NL

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356A

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356AP

Description: ONSEMI - NDS356AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperSOT 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS356AP

MOSFETs P-Channel Logic

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NDS356AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS356AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS356AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS356AP-NB8L005A

Description: -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V

auf Bestellung 72004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1293+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1293

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NDS356AP-NB8L005A

Description: ONSEMI - NDS356AP-NB8L005A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 85256 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS356AP-NB8L005A

onsemi -30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS356AP-NL

06+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356AP/356A

auf Bestellung 30843 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356AP\356

SOT-23

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356AP_L99Z

MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS356AP_NB8L005A

onsemi

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NDS356AP_NL

MOSFET 30V, SSOT-3, PCH

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NDS356AP_NL

05+06+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS356AP_T

onsemi

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NDS356P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS356P

1999 SOT23

auf Bestellung 1115 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS356P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

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NDS356P-NL

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 66132 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS357

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS357N-NL

auf Bestellung 86400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS358P-NL

auf Bestellung 330000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS359AN-NL

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS359N

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16AT

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16AT TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16ET

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16ET TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16IT

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16IT TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

auf Bestellung 1498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.9 EUR
10+	7.17 EUR
25+	7.01 EUR
50+	6.97 EUR
100+	6.25 EUR
250+	6.23 EUR
500+	6 EUR
1000+	5.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-16IT TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-20ET

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-20ET TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-20IT

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PBA-20IT TR

Description: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16AT

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.71 EUR
10+	6.85 EUR
25+	6.54 EUR
40+	6.38 EUR
80+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16AT TR

Description: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16ET

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.93 EUR
10+	5.25 EUR
25+	5.01 EUR
40+	4.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16ET TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16ET TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.93 EUR
10+	5.26 EUR
25+	5.02 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.67 EUR
250+	4.45 EUR
500+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16IT

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.76 EUR
10+	5.35 EUR
25+	5.2 EUR
50+	5.08 EUR
100+	4.96 EUR
250+	4.8 EUR
500+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-20ET

Description: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-20ET TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.49 EUR
10+	4.97 EUR
25+	4.86 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.34 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-20ET TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-20IT

Description: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS36PT5-20IT TR

Description: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-16ET

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-16ET TR

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-16IT

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-16IT TR

Description: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-20ET

Description: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-20ET TR

Description: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-20IT

Description: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS38PT5-20IT TR

Description: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS40-10F

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS40-20

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS4113

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS4558

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS612

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS632P

2003

auf Bestellung 1037 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6375

auf Bestellung 35500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16ET

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.16 EUR
10+	5.75 EUR
25+	5.58 EUR
50+	5.45 EUR
108+	5.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16IT

Description: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16IT

Description: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.12 EUR
10+	5.7 EUR
25+	5.54 EUR
50+	5.41 EUR
100+	5.28 EUR
250+	5.11 EUR
500+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.25 EUR
2000+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS63PT9-16IT TR

---

IC DRAM 64MBIT 2M x 32 LVTTL 86TSOPII Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS642

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6612

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6692

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PBA-16ET

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.12 EUR
10+	4.77 EUR
25+	4.63 EUR
50+	4.53 EUR
100+	4.42 EUR
348+	4.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PBA-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PBA-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
10+	4.68 EUR
25+	4.54 EUR
50+	4.44 EUR
100+	4.33 EUR
250+	4.19 EUR
500+	4.09 EUR
1000+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16AT

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Grade: Automotive
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
Qualification: AEC-Q100

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16AT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Grade: Automotive
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
Qualification: AEC-Q100

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16ET

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	2.68 EUR
25+	2.6 EUR
50+	2.54 EUR
108+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16ET TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16IT

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.92 EUR
10+	2.73 EUR
25+	2.65 EUR
50+	2.59 EUR
100+	2.53 EUR
250+	2.45 EUR
500+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-20ET

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	2.68 EUR
25+	2.6 EUR
50+	2.54 EUR
108+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS66PT5-20IT

Description: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 4M x 16

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
10+	2.81 EUR
25+	2.73 EUR
50+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6986

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6D2405C

Murata

DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 5, Uвих2, В = -5, Pвих, Вт = 6, Uвх (min), В = 18...36, Iвих1, А = 0,6, Iвих2, А = 0,6, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 83, Габ. розм, мм = 32.0 x 20.1 x 9.9, Рів. пульс., мВ = 40, Тексп, °С = -40...+85,... Г
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6D2405C

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.98 EUR
5+	32.54 EUR
10+	29.88 EUR
30+	29.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6D2405C

Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.08 EUR
5+	31.93 EUR
10+	31.71 EUR

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NDS6D2405EC

Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2405C

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS6D2405EC

Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS6D2412C

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.73 EUR
5+	30.52 EUR
10+	29.18 EUR
30+	27.19 EUR
105+	26.03 EUR
255+	25.56 EUR

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NDS6D2412C

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 5173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.17 EUR
5+	30.01 EUR
10+	29.8 EUR
25+	29.47 EUR
50+	28.73 EUR
100+	27.31 EUR
250+	25.55 EUR
500+	23.83 EUR

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NDS6D2412C

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS6D2412C

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Uout2: 12VDC; DIP; THT
Type of converter: DC/DC
Case: DIP
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage 2: 12V DC
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output current 2: 0.25A
Output current: 0.25A
Number of outputs: 2
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 18...36V DC
Efficiency: 87%
Manufacturer series: NDS

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.5 EUR

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NDS6D2412EC

Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2412C

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NDS6D2412EC

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS6D2415C

Module DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	27.65 EUR
10+	26.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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NDS6D2415C

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.2 EUR

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NDS6D2415C

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.62 EUR
5+	30.48 EUR
10+	30.27 EUR
25+	29.94 EUR
50+	29.18 EUR
100+	27.73 EUR
250+	25.95 EUR

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NDS6D2415C

Module DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS6D2415EC

Isolated DC/DC Converters 24Vin +/-15Vout W/Control Pin

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6D2415EC

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35.73 EUR

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NDS6S2405C

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin

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NDS6S2405C

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.12 EUR
10+	31.66 EUR
60+	30.08 EUR
105+	29.2 EUR

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NDS6S2405C

Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.31 EUR
5+	30.15 EUR
10+	29.94 EUR
25+	29.61 EUR
50+	28.87 EUR

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NDS6S2405C

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin

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NDS6S2405C

Murata

DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 5, Pвих, Вт = 6, Uвх (max), В = 36, Uвх (min), В = 18, Iвих1, А = 1,2, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 82, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 32,0 x 20,1 x 9,9, Рів. пульс., мВ = 40, Тексп, °С = -40...+85,... Група
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke

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NDS6S2405C
Produktcode: 33835

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NDS6S2405EC

Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6S2405C

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NDS6S2405EC

Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

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NDS6S2405EC
Produktcode: 176076

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NDS6S2412C

DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.73 EUR
5+	30.57 EUR
10+	30.03 EUR
30+	29.6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2412C

Description: DC DC CONVERTER 12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 500mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.2 EUR
5+	34.03 EUR
10+	33.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2412EC

Isolated DC/DC Converters 24Vin 12Vout 0.5A 6W W/Control Pin

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2412EC

Description: CONVERT DC/DC 6W 24-12V SNGL T/H

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2415C
Produktcode: 33843

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NDS6S2415C

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2415C

Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.06 EUR
5+	33.89 EUR
10+	33.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2415EC

Isolated DC/DC Converters 24Vin 15Vout 0.4A 6W W/Control Pin

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS6S2415EC

Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002-NL

auf Bestellung 86400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002/I702/1702

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5667 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1291+	0.11 EUR
1367+	0.097 EUR
1405+	0.091 EUR
3000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 1291

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1 500 мА, Ptot, Вт = 300 mW, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 2 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

verfügbar 13 Stücke:

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.072 EUR
6000+	0.053 EUR
9000+	0.05 EUR
15000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Description: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.072 EUR
6000+	0.053 EUR
9000+	0.05 EUR
15000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Description: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

auf Bestellung 91249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
57+	0.31 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A
Produktcode: 40378

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.087 EUR
6000+	0.071 EUR
12000+	0.063 EUR
27000+	0.058 EUR
51000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; NDS7002A TNDS7002a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

782+	0.18 EUR
1284+	0.11 EUR
2000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 782

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5667 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

481+	0.3 EUR
774+	0.18 EUR
782+	0.17 EUR
1291+	0.099 EUR
1303+	0.094 EUR
1367+	0.086 EUR
1405+	0.08 EUR
3000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 481

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS7002A

MOSFETs SOT-23 N-CH ENHANCE

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6+	0.51 EUR
10+	0.32 EUR
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500+	0.15 EUR
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NDS7002A

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NDS7002A-F169

Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

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NDS7002A-F40

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NDS7002A-NF40

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NDS7002A-NL

11+ROHS SOT-23

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NDS7002A-Q

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NDS7002A-SMD

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NDS7002A/712

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NDS7002A_D87Z

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

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NDS7002A_NB9GGTXA

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

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NDS7002A_Q

MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE

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NDS7002N

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NDS73PBE-16IT TR

Description: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2+	9.17 EUR
10+	8.37 EUR
25+	8.21 EUR
50+	8.15 EUR
100+	7.32 EUR
250+	7.29 EUR
500+	6.83 EUR
1000+	6.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDS73PBE-16IT TR

Description: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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NDS73PT9-16ET

Description: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP

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NDS73PT9-16ET

Description: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS73PT9-16ET TR

Description: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS73PT9-16ET TR

Description: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

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NDS73PT9-16IT

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1028 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.06 EUR
10+	8.23 EUR
25+	8.05 EUR
40+	8.01 EUR
108+	7.18 EUR
324+	7.15 EUR
540+	6.89 EUR
972+	6.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDS73PT9-16IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS73PT9-16IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16AT

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 8M x 16

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16AT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 8M x 16

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16ET

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.7 EUR
10+	4.17 EUR
25+	3.98 EUR
40+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NDS76PT5-16ET TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16IT

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 8M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-16IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	3.89 EUR
25+	3.78 EUR
50+	3.69 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.49 EUR
500+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-20IT

Description: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-20IT

Description: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-20IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	3.89 EUR
25+	3.78 EUR
50+	3.69 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.49 EUR
500+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS76PT5-20IT TR

Description: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8140

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8291

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8330

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8345

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410

SOT-8

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 63917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.37 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR
10000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 392

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

09+

auf Bestellung 52518 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Description: ONSEMI - NDS8410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 213245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V

auf Bestellung 208245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

313+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.37 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 392

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410A

Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 141828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.37 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR
10000+	0.9 EUR
100000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 392

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8410S

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8425

ON Semiconductor / Fairchild

Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

313+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8425

MOSFET N-Channel MOSFET 2.5V Specified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8425

Description: MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V

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NDS8425

Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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500+	1.49 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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313+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.32 EUR
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NDS8425

SO-8

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Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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NDS8425

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V

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NDS8425

Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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313+	1.71 EUR
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1000+	1.32 EUR

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NDS8425

Description: ONSEMI - NDS8425 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 60029 Stücke:

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NDS8425

Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

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313+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.32 EUR
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NDS8425

Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2975 Stücke:

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313+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.32 EUR

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NDS8425-NL

auf Bestellung 89000 Stücke:

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NDS8425A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

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NDS8425NL

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NDS8425_NL

09+

auf Bestellung 17453 Stücke:

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NDS8426

00+ SOP

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NDS8426A

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC

auf Bestellung 15000 Stücke:

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647+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR
10000+	0.63 EUR

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NDS8426A

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC

auf Bestellung 210000 Stücke:

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647+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR
10000+	0.63 EUR
100000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 647

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NDS8426A

Description: ONSEMI - NDS8426A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 296640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS8426A

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V

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NDS8426A

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC

auf Bestellung 1640 Stücke:

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647+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 647

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NDS8426A

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC

auf Bestellung 70000 Stücke:

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647+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR
10000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 647

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NDS8426A

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V

auf Bestellung 296640 Stücke:

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466+	0.97 EUR

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NDS8426A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

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NDS8426ANL

auf Bestellung 2500 Stücke:

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NDS8433

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8433A

auf Bestellung 22201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V

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NDS8434

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 550 Stücke:

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325+	1.65 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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NDS8434

Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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NDS8434

MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8434

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NDS8434-NL

auf Bestellung 4080 Stücke:

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NDS8434A

MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8434A

P-ChannelPowerMosfet-20V/-7.8A/24mOhm(DISPO) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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NDS8434A

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V

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NDS8434A

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434A-NL

auf Bestellung 98000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434ANL

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8434A_L86Z

onsemi

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NDS8434A_NL

auf Bestellung 175200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434A_NL

MOSFET 20V P-CH. FET

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NDS8434NL

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434_D84Z

MOSFET

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NDS8434_L86Z

onsemi

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NDS8434_NL

auf Bestellung 51800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8434_Q

MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8435

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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NDS8435

MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDS8435

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8435-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8435A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8435A

Trans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	1.89 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 284

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NDS8435A

UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NDS8435A

Trans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	1.89 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 284

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8435A

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

auf Bestellung 126265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

226+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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NDS8435A

Trans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 32328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	1.89 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR
10000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 284

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8435A

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8435A

Trans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 87452 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	1.89 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR
10000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 284

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NDS8435A

UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NDS8435A-NL

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8435A_NL

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8436A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8458A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8510A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8521C

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8597

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8839

SOP-8

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8839H

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8839H-NL

SOP8 99+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8852H

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS8852H

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8856

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8858

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8858H

Description: ONSEMI - NDS8858H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS8858H

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.2 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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NDS8858H

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS8858H

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

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NDS8858H

MOSFET CMOSFET Half Bridge

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NDS8858H

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 11833 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

356+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 356

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NDS8858H

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 9841 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.2 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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NDS8858H_L86Z

onsemi

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NDS8858H_NL

MOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.035/0.065 O,

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NDS8859

09+ SOP8

auf Bestellung 1030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8859H

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8863

Amphenol

Array

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NDS8926

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8926

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS8928

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8928A

SOP

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8929

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8934

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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413+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 413

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NDS8934

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS8934

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1900 Stücke:

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413+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 413

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8934

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

330+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 330

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NDS8934

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8934

Description: ONSEMI - NDS8934 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

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NDS8936

SOP-8

auf Bestellung 30000 Stücke:

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NDS8936

Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	1.63 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 330

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NDS8936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS8936

Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	1.63 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 6818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

263+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 263

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NDS8936

MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8936 SOP8

NATIONAL

auf Bestellung 200 Stücke:

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NDS8936-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8936MX

auf Bestellung 1259 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8936SOP8

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8936_NL

MOSFET RECOMMEND: FDS6912A

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NDS8947

MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS8947

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.2 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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NDS8947

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8947

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2909 Stücke:

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244+	2.2 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 244

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8947

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8947

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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NDS8947

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.2 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 244

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8947

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 6899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

195+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 195

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NDS8947-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8947_NL

MOSFET -30V DMOS P-CHNL DUAL SO8

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NDS8947_Q

MOSFET

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NDS8956

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8958

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8958

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8958-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8958A

00+ SOP

auf Bestellung 918 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8958_NL

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8961

9830 SOP8

auf Bestellung 19873 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8961

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8961A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS8961_NL

auf Bestellung 51800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS8963

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9400

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

577+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 577

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NDS9400

9652 SOP-8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9400 SOP8

NATIONAL

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9400A

Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9400A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9400A

Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9400SOP8

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9401A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9405

Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9405

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9405

ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9405_D84Z

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	5.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V

auf Bestellung 9400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench

auf Bestellung 5220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

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108+	1.32 EUR
159+	0.87 EUR
229+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 108

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NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 132090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1106+	0.48 EUR
10000+	0.42 EUR
100000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1106

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NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9407

Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V

auf Bestellung 10039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9407

auf Bestellung 1213 Stücke:

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NDS9407-NL

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9407_G

Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9407_NL

auf Bestellung 51800 Stücke:

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NDS9407_Q

MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench

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NDS9410

05+ SOP

auf Bestellung 1188 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410A

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9410A

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

410+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 410

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NDS9410A

Description: ONSEMI - NDS9410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDS9410A

MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS9410A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410A

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V

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NDS9410A-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410A2500X1.A8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410A_NL

09+

auf Bestellung 3528 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410A_Q

MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS9410B

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9410S

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9412

SOP-8

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS941OA

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9430

Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 4564 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

399+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 399

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NDS9430

Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

399+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
10000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 399

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NDS9430

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9430

Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 622 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

399+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 399

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V

auf Bestellung 112979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

319+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 319

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430

Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

399+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
10000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 399

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430

MOSFETs 30V P-Ch PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9430

Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 34900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

399+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
10000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 399

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9430-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

413+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 413

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

413+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 413

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 7838 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

413+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 413

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430A

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 10173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

330+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 330

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NDS9430NL

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9430_NL

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9431

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9431NL

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9431_NL

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435

SOP-8

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

317+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 317

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435-NL

SOP8 09+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A
Produktcode: 58304

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 528/10
/: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

1+	0.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A

MOSFETs -30V -5.3A P-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A-NL

SOP8 09+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435A_NL

09+

auf Bestellung 100018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435FDS

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435NL

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9435R

0624

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS96PT4-16ET

Description: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS96PT4-16ET TR

Description: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS96PT4-16IT

Description: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 1M x 16

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS96PT4-16IT TR

Description: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS96PT4-16IT TR

Description: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9852A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9905

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9917

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9924A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9925A

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9925A

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9933

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9933

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC

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NDS9933

SOP-8

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9933A

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

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NDS9933A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9933A

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC

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NDS9933A_NL

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9933NL

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9933_NL

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936

MOSFET Dl N-Ch Enhancement

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NDS9936

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 40970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

555+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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NDS9936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

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NDS9936

SOP-8

auf Bestellung 44990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

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NDS9936-NL

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936A

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936A_NL

auf Bestellung 54500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9936_NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9939

SOP-8

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS99407

07+/08+ SOP8

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9942

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9942

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9942

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9942-NL

SOP8 0919+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9943

MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDS9943

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC

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NDS9943

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9943

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC

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NDS9945

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 4331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.82 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Description: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1046 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	1.75 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 306

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NDS9945

MOSFETs Dl N-Ch Enhancement

auf Bestellung 5413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.57 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.28 EUR
2500+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.15 EUR
126+	1.09 EUR
128+	1.04 EUR
130+	0.98 EUR
250+	0.93 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 124

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.15 EUR
126+	1.09 EUR
128+	1.04 EUR
130+	0.98 EUR
250+	0.93 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 124

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945.

Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945.

auf Bestellung 5167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945NL

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9945_NL

09+

auf Bestellung 2228 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9946

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9947

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 23768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

430+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 430

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9947

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.47 EUR
10000+	0.46 EUR
15000+	0.41 EUR
20000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

MOSFET 2P-CH 60V 2.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

MOSFETs Dual PCh PowerTrench

auf Bestellung 14548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948
Produktcode: 100660

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
/: SMD

auf Bestellung 60 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 5689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
16+	1.13 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948

Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1175+	0.46 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1175

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948NL

auf Bestellung 55000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9948_NL

auf Bestellung 55000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9952

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9952A

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9952A

Description: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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NDS9952A

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NDS9952A

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9952A

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

627+	0.86 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 627

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NDS9952A

MOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE

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NDS9952A-F011

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9952A-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9952A_Q

MOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE

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NDS9952DYT1

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9952NL

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9952_NL

auf Bestellung 40000 Stücke:

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NDS9953

SOP-8

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS99532

NDS

auf Bestellung 5000 Stücke:

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NDS9953A

MOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE

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NDS9953A

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9953A

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 257016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

485+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 485

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NDS9953A

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9953A

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9953A-NL

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9953A_NL

auf Bestellung 51800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9953DY

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9953_NL

auf Bestellung 51800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9955

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

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NDS9955

SOP-8

auf Bestellung 22850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9955

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

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NDS9955-NL

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9955NL

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9955_NL

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956

SOP-8

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956-NL

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9956A

MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS9956A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9956A

SO-8

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956A-NL

SOP8 09+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956A_NL

09+

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9956A_NL

MOSFET 30V DUAL N-CH. FET, 80 MO, SO8

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NDS9956A_Q

MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS9956Q

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9957

07+ SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9957

Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

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NDS9957

Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

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NDS9957-NL

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9958

MOSFETs DISC BY MFG 2/02

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NDS9958

SOP-8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9958

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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NDS9958-NL

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9958A

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9959

MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS9959

Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

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NDS9959

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9959

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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NDS9959

Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

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NDS9959-NL

auf Bestellung 9080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9959A

SO-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9959ANL

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9959NL

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9959_NL

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9959_NL

MOSFET 50V DUAL N-CH. FET, 300 MO, SO

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NDS9959_Q

MOSFET

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NDS9977

09+ SOP8

auf Bestellung 1012 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDS9986

SOP-8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDS9999ANL

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDSC-2000

02+

auf Bestellung 9910 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NDSH10120C-F155

Description: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH10120C-F155

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L

auf Bestellung 1292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.61 EUR
10+	6.69 EUR
120+	4.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH10120C-F155

Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 7590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.98 EUR
10+	6.71 EUR
450+	4.12 EUR
900+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH10170A

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1700 V, D1, TO-247-2L

auf Bestellung 418 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.2 EUR
10+	14.73 EUR
100+	12.28 EUR
250+	12.14 EUR
450+	10.26 EUR
900+	8.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH10170A

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V

auf Bestellung 463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.08 EUR
10+	12.92 EUR
450+	9.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH20120C

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.7 EUR
10+	13.45 EUR
100+	12.21 EUR
250+	9.91 EUR
450+	9.89 EUR
900+	8.89 EUR
2700+	8.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH20120C

Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

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NDSH20120C

Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH20120C

Silicon Carbide Schottky Diode

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NDSH20120C-F155

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.12 EUR
10+	12.07 EUR
100+	10.07 EUR
250+	9.66 EUR
450+	8.89 EUR
900+	7.99 EUR
2700+	7.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH20120C-F155

Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.01 EUR
10+	12.65 EUR
25+	12.07 EUR
100+	10.48 EUR
450+	9.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH20120C-F155

Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH20120CDN

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.61 EUR
10+	8.73 EUR
510+	8.47 EUR
1020+	8.32 EUR
2520+	8.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH25170A

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSH25170A

Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V

auf Bestellung 1092 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.19 EUR
30+	16.26 EUR
120+	14.25 EUR

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NDSH25170A

Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH25170A

On Semiconductor

Код виробника: NDSH25170A SiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

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NDSH25170A

SiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A

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NDSH30120C-F155

Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH30120C-F155

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.78 EUR
10+	13.22 EUR
120+	11.44 EUR
510+	11.42 EUR
1020+	11.02 EUR
2520+	10.65 EUR
5010+	10.52 EUR

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NDSH30120C-F155

Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 9450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.73 EUR
10+	16.92 EUR
25+	16.13 EUR
100+	14 EUR
450+	12.2 EUR

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NDSH30120CDN

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L

auf Bestellung 405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.67 EUR
10+	11.3 EUR
120+	9.72 EUR
270+	8.96 EUR
510+	8.94 EUR
1020+	8.91 EUR
2520+	8.75 EUR

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NDSH40120C-F155

Description: DIODE SIL CARB 1200V 46A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2840pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.79 EUR
10+	16.05 EUR

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NDSH40120C-F155

Description: ONSEMI - NDSH40120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH40120C-F155

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

auf Bestellung 865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.88 EUR
10+	16.14 EUR
100+	15.72 EUR
450+	13.66 EUR

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NDSH40120CDN

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 50198 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.01 EUR
10+	17.71 EUR
450+	13.39 EUR

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NDSH40120CDN

Description: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 95nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH40120CDN

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.12 EUR
10+	17.48 EUR
100+	16.39 EUR
450+	15.65 EUR
900+	15.56 EUR

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NDSH50120C

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 1216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.76 EUR
30+	19.98 EUR

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NDSH50120C

Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NDSH50120C

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.81 EUR
30+	20.73 EUR

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NDSH50120C-F155

Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 1789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	45.18 EUR
10+	32.71 EUR
25+	29.46 EUR
100+	28.25 EUR

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NDSH50120C-F155

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	46.11 EUR
10+	42.52 EUR
30+	40.62 EUR
120+	36.31 EUR
270+	34.64 EUR
510+	32.96 EUR
1020+	31.06 EUR

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NDSR-01V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
50+	1.83 EUR
120+	1.66 EUR
600+	1.5 EUR
1080+	1.38 EUR
2040+	1.22 EUR
5040+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDSR-02V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
50+	2.25 EUR
72+	2.04 EUR
504+	1.87 EUR
1008+	1.72 EUR
2016+	1.53 EUR
5040+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NDSR-03V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDSR-04V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.26 EUR
40+	2.71 EUR
120+	2.46 EUR
520+	2.24 EUR
1000+	2.06 EUR
2000+	1.81 EUR
5000+	1.64 EUR

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NDSR-05V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDSR-06V

DIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NDSR-07V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

Produkt ist nicht verfügbar

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NDSR-08V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDSR-09V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDSR-10V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.79 EUR
51+	3.98 EUR
102+	3.63 EUR
510+	3.29 EUR
1003+	3.03 EUR
2006+	2.68 EUR
5015+	2.41 EUR

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NDSR-12V

DIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type

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NDSR02TV

DIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch

auf Bestellung 1038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSR02V

DIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch

auf Bestellung 1458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSR04TV

DIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.13 EUR
10+	2.85 EUR
25+	2.52 EUR
117+	2.34 EUR
273+	2.22 EUR
507+	1.85 EUR
1014+	1.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NDSR04V

DIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch

Produkt ist nicht verfügbar

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NDSR05V

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD

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NDSR06TV

DIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch

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NDSR10V