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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NP5-12EnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 5Ah Rechargeable
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+72.88 EUR
5+ 64.47 EUR
10+ 57.2 EUR
20+ 54.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NP5-12Yuasa BatteryDescription: 12V,5 AH SLA
Packaging: Case
Capacity: 5Ah
Size / Dimension: 3.54" L x 2.76" W x 4.13" H (89.9mm x 70.1mm x 104.9mm)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+70.25 EUR
20+ 55.59 EUR
100+ 49.43 EUR
500+ 47.32 EUR
NP5-12LYUASACategory: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 12V; 5Ah; AGM; maintenance-free; 1.85kg
Body dimensions: 90x70x106mm
Rechargeable batteries application: power backup systems
Rechargeable batteries features: maintenance-free
Rated voltage: 12V
Storage time: 3-5 years
Technology: AGM
Capacity: 5Ah
Type of rechargeable battery: acid-lead
Net weight: 1.85kg
Leads: connectors 6,35mm
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NP5-MQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
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NP5-MQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS BLACK
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NP5-MQ001Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
Produkt ist nicht verfügbar
NP5-MQ001BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS BLACK
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NP5-SQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS SILVER
Produkt ist nicht verfügbar
NP5-SQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS BLACK
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NP5-SQ001Omron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Silver
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NP5-SQ001BOmron Automation and SafetySpecialist Controllers NP HMI 5.7 in c olor 6keys Blk
Produkt ist nicht verfügbar
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Black
Produkt ist nicht verfügbar
NP501APNPL1998
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP501BPNPL1998
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP506-020-035-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 20PIN QFN 0.50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-024-032-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 24PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-028-028-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 28PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-032-005-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-032-031-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-032-059-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-040-030-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
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NP506-040-048-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFPN .4MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-048-012-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-048-017-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-048-044-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-056-009-SGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-056-027-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-056-051-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP506-068-041-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 68PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
10+ 3.2 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NP50N04YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
16+ 3.25 EUR
100+ 2.59 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.85 EUR
2500+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.38 EUR
10+ 4.47 EUR
100+ 3.56 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NP50P03YDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
10+5.51 EUR
11+ 4.97 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.7 EUR
2500+ 2.5 EUR
5000+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NP50P04KDG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP50P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 6.06 EUR
100+ 4.97 EUR
500+ 4.24 EUR
800+ 3.56 EUR
2400+ 3.38 EUR
4800+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NP50P04SDG
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.46 EUR
5000+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NP50P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Automotive MOS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.51 EUR
11+ 4.97 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.7 EUR
2500+ 2.53 EUR
5000+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 8894 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.46 EUR
10+ 4.53 EUR
100+ 3.6 EUR
500+ 3.05 EUR
1000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NP50P04SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NP50P04SLG
auf Bestellung 4784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP50P04SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
9+5.93 EUR
10+ 5.3 EUR
100+ 4.26 EUR
500+ 3.51 EUR
1000+ 2.91 EUR
2500+ 2.7 EUR
5000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
auf Bestellung 3965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.77 EUR
10+ 4.8 EUR
100+ 3.82 EUR
500+ 3.23 EUR
1000+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NP50P06KDG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+3.76 EUR
1600+ 3.19 EUR
2400+ 3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NP50P06KDG-E1-AYRenesasPOWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NP50P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 237-251 Tag (e)
8+6.76 EUR
10+ 5.64 EUR
100+ 4.5 EUR
500+ 4.16 EUR
800+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NP50P06KDG-E2RenesasOld Part NP50P06KDG-E2^NEC
Produkt ist nicht verfügbar
NP50P06SDG
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 17936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.36 EUR
10+ 4.45 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 3 EUR
1000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NP50P06SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZK UMOS4 O
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.38 EUR
12+ 4.5 EUR
100+ 3.59 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.56 EUR
2500+ 2.42 EUR
5000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.42 EUR
5000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NP50TD6G-10WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 10 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+139.49 EUR
10+ 125.53 EUR
25+ 119.25 EUR
50+ 113.29 EUR
NP50TD6G-50WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 50 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+387.3 EUR
10+ 348.56 EUR
NP52N055HIL
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP52N055ILE
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP52N055SUG
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP52N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
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NP52N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NP52N06SLG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP52N06SLG-E1-AYRenesasNP52N06SLG-E1-AY NP52N06
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
NP5400
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400-BA1CMMC02+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400-BA1CAMCCBGA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400-BA1C-E
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400-BAIC
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400BA1CACUTEBGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400BA1CMMC03+ SOP
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400BA1CHP
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5400BAICMMC03+ SOP
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5410-BB1CMMCBGA
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N03SUG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N04SLG
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N04SUG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N04SUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N04SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N04SUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N04SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055HIL
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N055ILE
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N055SDG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N055SDG-E1RenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SDG-E1-AT/JMNECSOT252/2.5
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N055SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SDG-E1-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SDG-E1-AZTianma MicroelectronicsOld Part NP55N055SDG-E1-AZ^NEC
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SDG-E2-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SUG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP55N055SUG(1)-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NP55N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NP5710BB2CIAMCC
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5Q032AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 32Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q032AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q064AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 64Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q064AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q128A13ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 66MHZ 16SO
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q128A13ESFC0E
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NP5Q128A13ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q128AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NP5Q128AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC
Produkt ist nicht verfügbar