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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NP8PRO POWERDescription: PRO POWER - NP8 - Befestigungselement, Klemme, Kabelklemme, Befestigung mit Schraube, 20.3 mm, Schwarz, 25.4 mm
tariffCode: 39269097
Innendurchmesser: 20.3mm
rohsCompliant: NA
Höhe: 38.1mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabelklemme/Kabelclip: Kabelklemme, Befestigung mit Schraube
Außenlänge: 25.4mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 19mm
euEccn: NLR
Material der Kabelklemme/des Kabelclips: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Farbe der Kabelklemme/des Kabelclips: Schwarz
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.7 EUR
26+9.04 EUR
30+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NP800C-10-2BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP800C-12-8BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP800C-15-2BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03CDE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03CLE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03DDE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03DLE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03EDE
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03KDE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03KDE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03KDE-E1/-AY/JM
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03KLE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03KLE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03MDE
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03MDE-S18-AYNEC CorporationDescription: 80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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NP80N03MLE
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NP80N03MLE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03NDE
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N03NLE
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04CHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04DHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04EHE-E1
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04KHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04KHE-E1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04KHE-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04KHE-E1-AZRenesasDescription: NP80N04KHE-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
193+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MDG
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MDG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MHE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 227950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MLG
auf Bestellung 4222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04MLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NDG
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NDG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NHE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04NUG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PDG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PLG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PLG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055KLE-E1-AYRenesasDescription: NP80N055KLE-E1-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
143+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055KLE-E2-AYRenesas Electronics AmericaDescription: TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055MDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055MHE-S18-AYRenesasDescription: NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
135+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055MLE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055NDG-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055NHE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055NLE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N055PDG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06MLG-S18-AYRenesasDescription: NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06NLG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06PLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 80A 8.3mohm TO-263 / D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP8101
auf Bestellung 20805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP8210M
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03KDF-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 82A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E1-AZRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG-E2-AZRenesas ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N03PUG00384Renesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04MDG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04MLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04MUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04NDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-LDPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04NUG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04PDG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04PUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N04PUG-E1-AZRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055CHE-AZ/JM
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055KHE
Produktcode: 54235
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055KHE-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055MUG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055NUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055NUG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055PUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 55V 82A 5.2mohm TO-263 / D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055PUG-E1-AY
Produktcode: 63203
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N055PUG-E2-AZNEC09+
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N06MLG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N06NLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N06NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N06PDG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N06PLG-E1
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP82N10PUF-E1-AYRenesasDescription: NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.8V, 10V
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
121+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP836Antenna Technologies Limited CompanyDescription: 836 MHZ EDGESLOT OMNI (NP8000)
Power - Max: 125 W
Part Status: Active
Frequency (Center/Band): 836MHz
VSWR: 2
Number of Bands: 1
Termination: BNC Male
Gain: 2.5dBi
Frequency Range: 806MHz ~ 866MHz
Mounting Type: Adhesive
Features: Cable - 914.4mm
Packaging: Box
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+518.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP836WAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 836 MHZ EDGESLOT OMNI
Features: Cable - 914.4mm
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 806MHz ~ 866MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: BNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Frequency (Center/Band): 836MHz
Part Status: Active
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+518.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP83C266BDRNA
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