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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJP100N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJP100N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
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PJP100P03-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP100P03_T0_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJP100P03_T0_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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PJP10NA60_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel MOSFET
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PJP10NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI15/PJ/TO220AB-AS23/TO220AB-AS24/TO220AB-AS41
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PJP10NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS39/TO220AB-AS40/TO220AB-AS41
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PJP10NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJP12NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P12NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS17/TO220AB-AS18/TO220AB-AS41
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PJP13NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P13NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS07/TO220AB-AS08/TO220AB-AS41
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PJP18N20-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP18N20_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
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PJP18N20_T0_00001PanjitMOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJP18N20_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AB, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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PJP2NA1K_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA1K/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-1000CTMN//PJ/TO220AB-AS54/TO220AB-AS55/TO220AB-AS41
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PJP2NA1K_T0_00001Panjit International Inc.Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP2NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI27/PJ/TO220AB-AS09/TO220AB-AS10/TO220AB-AS41
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PJP2NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 257 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJP2NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI08/PJ/TO220AB-AS25/TO220AB-AS26/TO220AB-AS41
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PJP2NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS46/TO220AB-AS47/ TO220AB-AS41
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PJP35N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP35N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJP35N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP36060CU33ASquare DCircuit Breakers MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 600A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP36080U33ASchneider ElectricDescription: MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V
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PJP36080U33ASquare DCircuit Breakers PowerPacT P-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT P-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP36100U33ASchneider ElectricDescription: MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP36120U31ESquare DCircuit Breakers PowerPacT P-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT P-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi
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PJP3NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJP3NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P3NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NF-500CTMN//PJ/TO220AB-AS56/TO220AB-AS57/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80_T0_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A_T0_00001PanjitMOSFETs 500V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI31/PJ/TO220AB-AS11/TO220AB-AS12/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H_T0_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI09/PJ/TO220AB-AS19/TO220AB-AS20/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA70_T0_00001Panjit International Inc.Description: 700V N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN//PJ/TO220AB-AS27/TO220AB-AS28/TO220AB-AS41
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS48/TO220AB-AS49/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP55N10A-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P5NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS03/TO220AB-AS04/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA80_T0_00001PanjitMOSFET 800V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.27 EUR
100+2.53 EUR
500+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6000
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6055
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60N08-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E-T0-00001PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E-T0-00001PanjitMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R540E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R540E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS76/PJx60R540E-ASO7/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R620E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R620E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R620E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS77/PJx60R620E-ASO8/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R900S-T0-00001PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R900S-T0-00201PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R980E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA40_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA40/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-400CTMN//PJ/TO220AB-AS01/TO220AB-AS02/TO220AB-AS41
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA40_T0_00001Panjit International Inc.Description: 400V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI04/PJ/TO220AB-AS29/TO220AB-AS30/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS50/TO220AB-AS51/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP70N06-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP70N10L-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP74Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Optional Panel PJ744 -Aluminum
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.14 EUR
5+32.46 EUR
10+31.39 EUR
25+30.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP74Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 4X3.13" WHT
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N75PANJIT08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI22/PJ/TO220AB-AS13/TO220AB-AS14/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI10/PJ/TO220AB-AS21/TO220AB-AS22/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS37/TO220AB-AS38/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP8NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN/NF500-QI10/PJ/TO220AB-AS05/TO220AB-AS06/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP8NA65A_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA65A/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN//PJ/TO220AB-AS62/PJx8NA65A-AS20/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP94Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 6.25X3.13" WHT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP94Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Inner Panel - For use with PJ944 - Steel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP9NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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