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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJP100N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
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PJP100N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJP100P03-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP100P03_T0_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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PJP100P03_T0_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJP10NA60_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel MOSFET
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PJP10NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI15/PJ/TO220AB-AS23/TO220AB-AS24/TO220AB-AS41
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PJP10NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS39/TO220AB-AS40/TO220AB-AS41
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PJP10NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
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PJP125N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJP12NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P12NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS17/TO220AB-AS18/TO220AB-AS41
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PJP13NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P13NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS07/TO220AB-AS08/TO220AB-AS41
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PJP18N20-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP18N20_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AB, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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PJP18N20_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
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PJP18N20_T0_00001PanjitMOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJP2NA1K_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA1K/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-1000CTMN//PJ/TO220AB-AS54/TO220AB-AS55/TO220AB-AS41
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PJP2NA1K_T0_00001Panjit International Inc.Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
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PJP2NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 257 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJP2NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI27/PJ/TO220AB-AS09/TO220AB-AS10/TO220AB-AS41
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PJP2NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI08/PJ/TO220AB-AS25/TO220AB-AS26/TO220AB-AS41
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP2NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS46/TO220AB-AS47/ TO220AB-AS41
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PJP35N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
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PJP35N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP35N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJP36080U33ASquare DCircuit Breakers PowerPacT P-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT P-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP36120U31ESquare DCircuit Breakers PowerPacT P-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT P-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P3NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NF-500CTMN//PJ/TO220AB-AS56/TO220AB-AS57/TO220AB-AS41
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP3NA80_T0_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP40N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP45N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A_T0_00001PanjitMOSFETs 500V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA50A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI31/PJ/TO220AB-AS11/TO220AB-AS12/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65H_T0_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI09/PJ/TO220AB-AS19/TO220AB-AS20/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA65_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA70_T0_00001Panjit International Inc.Description: 700V N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN//PJ/TO220AB-AS27/TO220AB-AS28/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS48/TO220AB-AS49/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP4NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP55N10A-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P5NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS03/TO220AB-AS04/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP5NA80_T0_00001PanjitMOSFET 800V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.27 EUR
100+2.53 EUR
500+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6000
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6055
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60N08-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E-T0-00001PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R190E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R290E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E-T0-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R390E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R540E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R540E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS76/PJx60R540E-ASO7/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R620E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R620E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R620E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS77/PJx60R620E-ASO8/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R900S-T0-00001PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R900S-T0-00201PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP60R980E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA40_T0_00001Panjit International Inc.Description: 400V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA40_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA40/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-400CTMN//PJ/TO220AB-AS01/TO220AB-AS02/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI04/PJ/TO220AB-AS29/TO220AB-AS30/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP6NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS50/TO220AB-AS51/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP70N06-T0-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP70N10L-T0-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP74Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 4X3.13" WHT
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP74Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Optional Panel PJ744 -Aluminum
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.14 EUR
5+32.46 EUR
10+31.39 EUR
25+30.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP75N75PANJIT08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI22/PJ/TO220AB-AS13/TO220AB-AS14/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI10/PJ/TO220AB-AS21/TO220AB-AS22/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS37/TO220AB-AS38/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP7NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP8NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN/NF500-QI10/PJ/TO220AB-AS05/TO220AB-AS06/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP8NA65A_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA65A/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN//PJ/TO220AB-AS62/PJx8NA65A-AS20/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP94Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 6.25X3.13" WHT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP94Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Inner Panel - For use with PJ944 - Steel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP9NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P9NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS52/TO220AB-AS53/TO220AB-AS41
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJP9NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJPOLEMNT10Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 12106
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJPOLEMNT10Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PJ, PJU Series
Accessory Type: Mounting Kit
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+195.97 EUR
5+167.52 EUR
10+156.57 EUR
25+153.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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