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SQUID-BOARD-868

RF Solutions

Sub-GHz Modules

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SQUID-BOARD-868

RF Solutions

Description: WIRELSS IC & MODULES BLUETOOTH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BRAVO-T868, ELITE, MAINSLINK, TRAP
Accessory Type: Remote Control Unit

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SQUIDBOARD-868

RF SOLUTIONS

Description: RF SOLUTIONS - SQUIDBOARD-868 - HF-Sendermodul, 868MHz, 2.4V-3.8V Versorgungsspannung
Übertragungsrate, max.: -
Empfindlichkeit (dBm): -
Anwendungen HF-Sender: Fernsteuerung, Fern-Lichtschalter, Fernschaltung, Einfach-/Doppelschalter
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Versorgungsstrom: 22
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, max.: 3.8
Frequenz: 868
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

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SQUN700E-T1/GE3

Vishay

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SQUN700E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

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SQUN700E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active

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SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

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SQUN702E-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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