Produkte > SQU
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SQUID-BOARD-868 | RF Solutions | Sub-GHz Modules | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUID-BOARD-868 | RF Solutions | Description: WIRELSS IC & MODULES BLUETOOTH Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BRAVO-T868, ELITE, MAINSLINK, TRAP Accessory Type: Remote Control Unit | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUIDBOARD-868 | RF SOLUTIONS | Description: RF SOLUTIONS - SQUIDBOARD-868 - HF-Sendermodul, 868MHz, 2.4V-3.8V Versorgungsspannung Übertragungsrate, max.: - Empfindlichkeit (dBm): - Anwendungen HF-Sender: Fernsteuerung, Fern-Lichtschalter, Fernschaltung, Einfach-/Doppelschalter Versorgungsspannung, min.: 2.4 Versorgungsstrom: 22 HF-Modulation: - Versorgungsspannung, max.: 3.8 Frequenz: 868 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN700E-T1/GE3 | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN700E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20 Part Status: Active Supplier Device Package: Die Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN700E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20 Part Status: Active Supplier Device Package: Die Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN702E-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQUN702E-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN702E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN702E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQUN702E-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |