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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SS900AK02-B
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SS9011
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SS9011(DEFGHI)
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SS9011FBUonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SS9011G
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SS9011GBUON SemiconductorSS9011GBU
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10000+0.1 EUR
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SS9011GBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9011GBU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 194824 Stücke:
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SS9011GBUON SemiconductorSS9011GBU
auf Bestellung 120000 Stücke:
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10000+0.1 EUR
100000+0.086 EUR
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SS9011GBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.03A TO-92-3
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 444709 Stücke:
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3620+0.14 EUR
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SS9011GBUON SemiconductorSS9011GBU
auf Bestellung 120000 Stücke:
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5455+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
100000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
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SS9011GBUON SemiconductorSS9011GBU
auf Bestellung 9885 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
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SS9011H
auf Bestellung 150000 Stücke:
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SS9011HBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.03A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 400 mW
auf Bestellung 100205 Stücke:
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7869+0.073 EUR
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SS9011HBUON SemiconductorSS9011HBU
auf Bestellung 94707 Stücke:
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13275+0.049 EUR
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SS9011HBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9011HBU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100205 Stücke:
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13889+0.065 EUR
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SS9012
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SS9012onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
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SS9012(DEFGH)
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SS9012-G
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SS9012-GBU
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SS9012-GTA
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SS9012-HTA
auf Bestellung 602 Stücke:
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SS9012G
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SS9012GBUFAIRCHILDSS9012GBU
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SS9012GBUFAIRCHILDSS9012GBU
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13275+0.049 EUR
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SS9012GBUONS/FAITO-92 Транзистори
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SS9012GBUonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9012GBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
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7+0.48 EUR
10+0.39 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
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SS9012GBUFAIRCHILDSS9012GBU
auf Bestellung 93750 Stücke:
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13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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SS9012GBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9012GBU - SS9012GBU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 300181 Stücke:
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13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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SS9012GBUFAIRCHILDSS9012GBU
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 64 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 314811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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SS9012GBUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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SS9012GBUFAIRCHILDSS9012GBU
auf Bestellung 30690 Stücke:
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13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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SS9012GBUonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 64 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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SS9012GBU_NLShindengenBipolar Transistors - BJT
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SS9012GBU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
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SS9012GIUTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTAONSEMIDescription: ONSEMI - SS9012GTA - SS9012GTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
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SS9012GTAFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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SS9012GTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2899+0.06 EUR
5377+0.031 EUR
5989+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 2899 Stücke
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SS9012GTAONS/FAIТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTAonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTAFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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SS9012GTAonsemiBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
2000+0.082 EUR
4000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTA
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5989+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 5989 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012GTA-ONonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 20153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8219+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8219 Stücke
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SS9012HBUonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012HBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012HBUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012HBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 58746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
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SS9012HBU
Produktcode: 113000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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SS9012HBU_NLonsemiBipolar Transistors - BJT
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SS9012HTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9012HTAonsemiDescription: TRANS PNP 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9013
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SS9013STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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SS9013ONS/FAITRANS NPN 20V 0.5A TO-92 Транзистори
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SS9013(DEFGH)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SS9013-FSamsung
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9013FBUonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9013FBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 31029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
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SS9013FBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/40V/500MA
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SS9013FBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9013FBU - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SS9013FBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
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SS9013FTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon
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SS9013FTAonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013FTFonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013FTFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/40V/500MA
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SS9013GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 140700 Stücke:
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SS9013GBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9013GBU - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SS9013GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
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SS9013GBUonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013GBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
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SS9013GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 993350 Stücke:
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13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
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SS9013GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
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13275+0.049 EUR
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SS9013GBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1584912 Stücke:
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SS9013GBU_NLonsemiBipolar Transistors - BJT
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SS9013GTASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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SS9013GTAonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013GTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon
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SS9013GTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 18000 Stücke:
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SS9013GTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
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SS9013HTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SS9013HBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 29179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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SS9013HBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 885245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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SS9013HBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 856066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9013HBUonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013HBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/40V/0.5A
Produkt ist nicht verfügbar
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SS9013HBUONSEMIDescription: ONSEMI - SS9013HBU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 59179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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SS9013HBU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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SS9013HTAonsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 144 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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SS9013HTAShindengenBipolar Transistors - BJT
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SS9013HTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/40V/0.5A
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SS9013HTA_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/40V/0.5A
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SS9014onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/50V/100MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9014
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS9014(ABCD)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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