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SVD-4106

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SVD1055SA

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SVD10N65F

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SVD12N65

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SVD14N03RT4G

onsemi

MOSFET NFET DPAK 25V 14A 95MO

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3+	1.21 EUR
10+	1.04 EUR
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2500+	0.39 EUR
10000+	0.36 EUR

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SVD14N03RT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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SVD1811E

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SVD1N60L

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SVD20N03

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SVD2955T4G

onsemi

MOSFETs PFET DPAK 60V 12A

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10+	1.17 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SVD2955T4G

onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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SVD2955T4G

ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.18Ω

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SVD2955T4G

onsemi

auf Bestellung 908 Stücke:

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10+	2.09 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.11 EUR

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SVD2N60

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SVD2N60F
Produktcode: 160879

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SVD2N60F

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SVD2N60M

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SVD301-TF

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SVD301A-T

SANYO

2001 ёЯЖµ

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SVD4842

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SVD4844

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SVD4N60F

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SVD4N65F

TO-220 09+

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SVD5803NT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SVD5803NT4G

onsemi

MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7MOHM

auf Bestellung 301 Stücke:

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SVD5803NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SVD5804NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET 40V SPCL TR

auf Bestellung 750 Stücke:

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SVD5806NT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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SVD5806NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SVD5806NT4G

onsemi

MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19MOHM

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SVD5865NLT4G

ONSEMI

Description: ONSEMI - SVD5865NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	2.25 EUR
155+	1.51 EUR
174+	1.24 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

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SVD5865NLT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 60V 34A 18MOHM

auf Bestellung 1404 Stücke:

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SVD5865NLT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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SVD5867NLT4G

onsemi

MOSFETs NFET DPAK 60V 18A 43MOHM

auf Bestellung 21323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.14 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.56 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SVD5867NLT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V

auf Bestellung 4220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.45 EUR
14+	1.54 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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SVD5867NLT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SVD5867NLT4G-UM

onsemi

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

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