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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату
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TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату
Produktcode: 116901		Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen sonstige
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TJ8-6P6C Розетка 6Р6С тип 8 на плату
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TJ8-6P6C розетка на плату
Produktcode: 113967		Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
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TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIBOMEGADescription: OMEGA - TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB - Thermoelement, K, Inconel, 80 ", 2.03 m
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 3
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 76.2
Sensorgehäusematerial: Inconel
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 116
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 2.95
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
Thermoelement: K
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-MOMEGADescription: OMEGA - TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-M - Thermoelement, J, Edelstahl, 80 ", 2.03 m
tariffCode: 90259000
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 17
rohsCompliant: NO
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 431.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
usEccn: EAR99
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 18
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 457.2
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
productTraceability: No
Thermoelement: J
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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TJ8002
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TJ80110C
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TJ80110H
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TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
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TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaMOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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TJ80S04M3L,LXHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14+3.74 EUR
17+ 3.09 EUR
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4000+ 1.49 EUR
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TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
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TJ80S04M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
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TJ8200
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TJ8203
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TJ8208
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TJ8504
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TJ8603-5
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TJ8605-2
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TJ8703
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TJ8708
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TJ8727-1
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TJ8761
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TJ8ETOSHIBA
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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19+2.81 EUR
23+ 2.3 EUR
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2000+ 1.21 EUR
4000+ 1.15 EUR
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
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TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
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TJ8S06M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TJ8S06M3L,LXHQToshibaMOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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24+2.23 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.86 EUR
4000+ 0.8 EUR
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TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
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