Produkte > TK2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| TK2-12-AG | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: TK2-12-AG=SNAP TRACK Packaging: Bag Slotted/Unslotted: Slotted | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-17 | Trompeter / Cinch Connectivity Solutions | RF Terminators Tool Kit BNC 734 & 735 CBL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-17 | Cinch Connectivity Solutions Trompeter | Description: TOOL KIT BNC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-24-AG | TE Connectivity / Buchanan | Terminal Block Tools & Accessories TK2-24-AG=SNAP TRACK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-48-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Track Channel Straight | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2-48-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Track Channel Straight | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2-48-AG | TE Connectivity AMP Connectors | Description: DIN RAIL 78MMX17MM SLOT 48" PVC Packaging: Bulk Size: 3.100" W x 0.700" H (78.74mm x 17.78mm) Slotted/Unslotted: Slotted Type: C Section Length: 48.000" (1219.20mm) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-48-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Track Channel Straight | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2-48-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Track Channel Straight | auf Bestellung 10732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2-48-AG | TE Connectivity | Terminal Block Tools & Accessories TK2-48-AG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-6 | TE Connectivity | Terminal Block Tools & Accessories | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-6-AG | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: TK2-6-AG=SNAP TRACK Size: 3.098" W x 0.701" H (78.70mm x 17.80mm) Slotted/Unslotted: Slotted Type: C Section Length: 6.000" (152.40mm) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1080 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2-6-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Snap Track Channel Straight | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2-6-AG | TE Connectivity | Connector Accessories Snap Track Channel Straight | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK2005800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2015 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2005800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 20 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2015 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2070 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200A65Z5,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200A65Z5,S4X | Toshiba | MOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200A65Z5,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200E65Z5,S1X | Toshiba | MOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200E65Z5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200E65Z5,S1X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200F04N1L | Toshiba | MOSFET 30V N-ch single Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200F04N1L,LQ(O | Toshiba | TK200F04N1L,LQ(O | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SM(W) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba | MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SM(W) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200F04N1L,LXGQ(O | Toshiba | TK200F04N1L,LXGQ(O | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK200F04N1LLQ(O | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200F04N1LLQ(O-X | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200U65Z5,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200U65Z5,RQ | Toshiba | POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200U65Z5,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200V60Z1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 14A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200V60Z1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200V60Z1,LQ | Toshiba | MOSFETs 600 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET DFN8 x 8 DTMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200V60Z1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200V65Z5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200V65Z5,LQ | Toshiba | MOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET DFN 8 x 8 DTMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK200V65Z5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK200V65Z5,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2010 | 3M (TC) | Description: KID'S IMAGINATION TAPE KIT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2019 | TRIPATH | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| TK2019195PVDFCL | HellermannTyton | Heat Shrink Tubing & Sleeves | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK201JHT1006P | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK202412PVDFCL | HellermannTyton | Heat Shrink Tubing & Sleeves | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20254127PVDFCL | HellermannTyton | Heat Shrink Tubing & Sleeves | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK2050 | TRIPATH | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| TK205013TR | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK2051 | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK2070 | TRIPATH | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| TK209548PVDFCL | HellermannTyton | Heat Shrink Tubing & Sleeves | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A20D,S4X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A25D(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 20A 250V 45W 2550pF 0.1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A25D,S5Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A25D,S5X(J) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A25D,S5X(J) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A25D,S5X(M | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 49 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A25D,S5X(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A25DS5X(M | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60T | auf Bestellung 21450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK20A60T(Q) | Toshiba | MOSFET TO-220SIS,PRE-ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60T,S5TLTQ(J | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK20A60U | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| TK20A60U (Q) | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(LBS1SP,QM | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(Q) | Toshiba | MOSFET HVMOS SIS DT,PRE-ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60U(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(Q,M) /Toshiba Produktcode: 113916
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| TK20A60U(S4LIT,Q,M | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,A,Q) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,X,M) | Toshiba | TRANSISTOR (SILICON) | auf Bestellung 48800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60U(STA4,X,M) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,X,S) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U(STA4,X,S) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 128950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60U(TK20A60T) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK20A60U,S5COSEQ(J | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U,S5PP1X(M | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60U,S5Q(J | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W,S5VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W,S5VX Produktcode: 143775
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| TK20A60W,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK20A60W,S5VX | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK20A60W,S5VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W,S5VX Produktcode: 196175
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| TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W,S5VX(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Power dissipation: 45W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube On-state resistance: 0.13Ω | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60W,S5VX(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60W,S5VX(M | Toshiba | MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TK20A60W,S5VX(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20A60W5,S5VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
