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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TK2-12-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-12-AG=SNAP TRACK
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TK2-17Cinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: TOOL KIT BNC
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TK2-17Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Terminators Tool Kit BNC 734 & 735 CBL
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TK2-24-AGTE Connectivity / BuchananTerminal Block Tools & Accessories TK2-24-AG=SNAP TRACK
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TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.03 EUR
23+ 21.98 EUR
47+ 20.78 EUR
95+ 19.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK2-48-AGTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: DIN RAIL 78.74MMX17.78MM SLOTTED
Packaging: Bulk
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Length: 48.000" (1219.20mm)
Type: C Section
Slotted/Unslotted: Slotted
Size: 3.100" W x 0.700" H (78.74mm x 17.78mm)
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TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
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TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.47 EUR
10+ 27.79 EUR
20+ 26.54 EUR
50+ 23.56 EUR
100+ 21.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK2-48-AGTE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories TK2-48-AG
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TK2-6TE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories
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TK2-6-AGTE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Straight
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.18 EUR
11+ 14.44 EUR
25+ 13.17 EUR
50+ 11.92 EUR
100+ 10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK2-6-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-6-AG=SNAP TRACK
Packaging: Bulk
Length: 6.000" (152.40mm)
Type: C Section
Slotted/Unslotted: Slotted
Size: 3.098" W x 0.701" H (78.70mm x 17.80mm)
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TK200ABBStandard Toolkit for Cable to Cable Joints - Includes Flint Gun, Cable Cleaning Brush, Mol d Cleaning Brush and Scraper
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TK2005800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK2005800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 20
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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TK20058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
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TK200F04N1LToshibaMOSFET 30V N-ch single Power MOSFET
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TK200F04N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK200F04N1L,LQ(OToshibaTK200F04N1L,LQ(O
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.07 EUR
79+ 1.91 EUR
100+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.24 EUR
10+ 6.91 EUR
100+ 5.59 EUR
500+ 4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK200F04N1L,LXGQToshibaMOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.27 EUR
10+ 6.94 EUR
25+ 6.55 EUR
100+ 5.62 EUR
250+ 5.3 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TK200F04N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
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TK200F04N1L,LXGQ(OToshibaTK200F04N1L,LXGQ(O
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.08 EUR
50+ 3.79 EUR
100+ 3.52 EUR
250+ 3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
TK200F04N1LLQ(OToshibaMOSFET
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TK200F04N1LLQ(O-XToshibaMOSFET
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TK201-00100AptivKUM TK201-00100
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TK20103M (TC)Description: KID'S IMAGINATION TAPE KIT
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TK2019TRIPATH
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK201JHT1006P
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2050TRIPATH
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK205013TR
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2051
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2070TRIPATH
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20A25D(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 250V 45W 2550pF 0.1
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TK20A25D,S5Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
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TK20A25D,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK20A25D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20A25DS5X(MToshibaMOSFET
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TK20A60T
auf Bestellung 21450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20A60T(Q)ToshibaMOSFET TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
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TK20A60T(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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TK20A60T,S5TLTQ(JToshibaMOSFET
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TK20A60UToshibaToshiba
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TK20A60U
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20A60U (Q)ToshibaMOSFET
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TK20A60U(LBS1SP,QMToshibaToshiba
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TK20A60U(Q)ToshibaMOSFET HVMOS SIS DT,PRE-ACTIVE,
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TK20A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK20A60U(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK20A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A
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TK20A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
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TK20A60U(Q,M) /Toshiba
Produktcode: 113916		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK20A60U(S4LIT,Q,MToshibaToshiba
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TK20A60U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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TK20A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
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TK20A60U(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK20A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
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TK20A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK20A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK20A60U(TK20A60T)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20A60U,S5COSEQ(JToshibaToshiba
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TK20A60U,S5PP1X(MToshibaToshiba
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TK20A60U,S5Q(JToshibaToshiba
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TK20A60WToshibaToshiba
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TK20A60W,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.86 EUR
50+ 5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK20A60W,S5VX
Produktcode: 196175		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK20A60W,S5VXToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.92 EUR
10+ 6.6 EUR
50+ 5.46 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.5 EUR
500+ 4.08 EUR
1000+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK20A60W,S5VX
Produktcode: 143775		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK20A60W,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
19+ 3.92 EUR
24+ 3.06 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.36 EUR
19+ 3.92 EUR
24+ 3.06 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60W5,S5VXToshibaMOSFET MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.54 EUR
50+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK20A60W5S5VX(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60WS5VX(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK20A60WS5VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK20C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK20C60W,S1VQ(SToshibaTK20C60W,S1VQ(S
Produkt ist nicht verfügbar
TK20D60T
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20D60U
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20D60U (Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK20D60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20E60UToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60U,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.25 EUR
10+ 10.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20E60W,S1VXToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.03 EUR
10+ 6.74 EUR
100+ 5.45 EUR
500+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK20E60W5,S1VXToshibaMOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.19 EUR
10+ 6.89 EUR
50+ 6.66 EUR
100+ 5.54 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W5,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20G60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20G60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20G60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK20H50C
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20J50D
Produktcode: 154071		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J50D
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.08 EUR
53+ 2.84 EUR
59+ 2.5 EUR
100+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK20J50D(F)ToshibaMOSFET PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.43 EUR
50+ 5.15 EUR
100+ 4.34 EUR
200+ 4.13 EUR
500+ 3.9 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK20J50D(F)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.76 EUR
59+ 2.56 EUR
100+ 2.38 EUR
250+ 2.22 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J50D(STA1,E,S)ToshibaSilicon N Channel MOS Type pai MOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J50D(STA1ES)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60T
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20J60U(COSEL,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(F)
Produktcode: 108644		TOSHIBATransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(PED,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(S1PED1,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(S1SHRP,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60W,S1VEToshibaMOSFET TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.43 EUR
10+ 10.45 EUR
25+ 9.85 EUR
100+ 8.45 EUR
250+ 7.98 EUR
500+ 7.51 EUR
1000+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK20J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.22 EUR
10+ 10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK20J60W,S1VEToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.21 EUR
26+ 5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 22
TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaTK20J60W5,S1VQ(O)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.07 EUR
24+ 6.32 EUR
25+ 5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TK20N60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK20N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.64 EUR
10+ 12.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK20N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20N60W,S1VFToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.92 EUR
10+ 12.56 EUR
30+ 11.31 EUR
120+ 9.85 EUR
270+ 9.59 EUR
510+ 8.97 EUR
1020+ 7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
22+ 3.39 EUR
23+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
TK20N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
22+ 3.39 EUR
23+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK20N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK20N60W5,S1VFToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.31 EUR
10+ 8.37 EUR
120+ 6.86 EUR
270+ 6.21 EUR
510+ 5.59 EUR
1020+ 4.58 EUR
2520+ 4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK20N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P04M1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK20P04M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P04M1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P04M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P04M1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P04M1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.96 EUR
100+ 7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.62 EUR
95+ 5.33 EUR
100+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20P100RJEOhmiteDescription: RES 100 OHM 20W 5% TO220
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+11.6 EUR
200+ 11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK20P10K0JEOhmiteRes Thick Film 10K Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 41
TK20P10K0JEOhmiteDescription: RES 10K OHM 20W 5% TO220
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK20P10R0JEOhmiteDescription: RES 10 OHM 20W 5% TO220
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+9.39 EUR
150+ 9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK20P10R0JEOhmiteRes Thick Film 10 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.69 EUR
150+ 6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK20P10R0JEOhmiteRes Thick Film 10 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.98 EUR
100+ 8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TK20P1K00JEOhmiteDescription: RES 1K OHM 5% 20W TO220
Packaging: Tube
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Resistance: 1 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P1R00JEOhmiteDescription: RES 1 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P300RJEOhmiteRes Thick Film 300 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.62 EUR
95+ 5.33 EUR
100+ 4.85 EUR
500+ 3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20P300RJEOhmiteDescription: RES 300 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P30R0JEOhmiteRes Thick Film 30 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 41
TK20P3K00JEOhmiteDescription: RES 3K OHM 5% 20W TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P3R00JEOhmiteDescription: RES 3 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P3R00JEOhmiteRes Thick Film 3 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.62 EUR
95+ 5.33 EUR
100+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20P3R00JEOhmiteRes Thick Film 3 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.34 EUR
50+ 13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK20P40R0JEOhmiteRes Thick Film 40 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 41
TK20P40R0JEOhmiteDescription: RES 40 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P4R00JEOhmiteRes Thick Film 4 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.66 EUR
60+ 8.18 EUR
100+ 7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19
TK20P50R0JEOhmiteRes Thick Film 50 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+7.86 EUR
100+ 6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TK20P5R00JEOhmiteRes Thick Film 5 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.19 EUR
200+ 3.87 EUR
600+ 3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TK20P5R00JEOhmiteDescription: RES 5 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P75R0JEOhmiteRes Thick Film 75 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.2 EUR
200+ 3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TK20P75R0JEOhmiteDescription: RES 75 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20P7K50JEOhmiteDescription: RES 7.5K OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20PR030JEOhmiteRes Thick Film 0.03 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.62 EUR
95+ 5.33 EUR
100+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20PR030JEOhmiteRes Thick Film 0.03 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK20PR030JEOhmiteDescription: RES 0.03 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20PR040JEOhmiteDescription: RES 0.04 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20PR050JEOhmiteRes Thick Film 0.05 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.31 EUR
100+ 9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK20PR050JEOhmiteDescription: RES 0.05 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20PR050JEOhmiteRes Thick Film 0.05 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.62 EUR
95+ 5.33 EUR
100+ 4.85 EUR
500+ 3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK20PR075JEOhmiteRes Thick Film 0.075 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.19 EUR
200+ 3.87 EUR
600+ 3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TK20PR100JEOhmiteRes Thick Film 0.1 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.3 EUR
200+ 3.06 EUR
700+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 48
TK20PR300JEOhmiteDescription: RES 0.3 OHM 20W 5% TO220
Produkt ist nicht verfügbar
TK20PR300JEOhmiteRes Thick Film 0.3 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TK20PR400JEOhmiteRes Thick Film 0.4 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
600+ 3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41
TK20PR500JEOhmiteRes Thick Film 0.5 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.42 EUR
200+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 46
TK20PR500JEOhmiteDescription: RES 0.5 OHM 5% 20W TO220
Packaging: Tube
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 500 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029
Produkt ist nicht verfügbar
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.59 EUR
52+ 2.92 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 2.08 EUR
2000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 44
TK20V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 4812 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
10+ 5.91 EUR
100+ 4.78 EUR
500+ 4.25 EUR
1000+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W5,LVQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.15 EUR
10+ 6.03 EUR
25+ 5.69 EUR
100+ 4.86 EUR
250+ 4.6 EUR
500+ 4.32 EUR
1000+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK20V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK20V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.24 EUR
5000+ 3.09 EUR
10000+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.95 EUR
5000+ 2.81 EUR
10000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK20X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
TK20X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TFP
Produkt ist nicht verfügbar
TK2105800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK2105800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 21P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 21
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK21058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK210V65Z,LQToshibaMOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.44 EUR
10+ 6.27 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 5.04 EUR
250+ 4.78 EUR
500+ 4.5 EUR
1000+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 4633 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.41 EUR
10+ 6.23 EUR
100+ 5.04 EUR
500+ 4.48 EUR
1000+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK210V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK210V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK210V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2127Sargent ToolsCrimpers D-SUBMINIATURE KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK212SC-25CPABB Power Electronics Inc.Description: SG TK212SC25CP 3/4 COUPLING COMP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+270.14 EUR
10+ 248.92 EUR
TK2140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2150Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK2150/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: 21.5 INCH NON-TOUCH SCREEN MONIT
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 21.50" (546.10mm)
Touchscreen: Non-Touch
Part Status: Active
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+957.94 EUR
5+ 924.33 EUR
TK2150/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: 21.5 INCH METAL TOUCH SCREEN MON
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 21.50" (546.10mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1198.03 EUR
5+ 1150 EUR
TK2151Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK2160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2165Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK2168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK22.7TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 55mm; TEKMAR; ABS
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 55mm
Enclosure series: TEKMAR
Produkt ist nicht verfügbar
TK22.7TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 55mm; TEKMAR; ABS
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 55mm
Enclosure series: TEKMAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK22.9OKW Enclosures Inc.TK22.9
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+41.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK22.9TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 55mm; TEKMAR; ABS
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 55mm
Enclosure series: TEKMAR
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
TK22.9TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 55mm; TEKMAR; ABS
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 55mm
Enclosure series: TEKMAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
TK2200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2201InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2201 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2201
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK2205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 22
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK22058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK2206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2212 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2212
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; orange
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; orange
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; yellow
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; yellow
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2212PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK2217InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2217 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2217
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK223TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK223TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK223-10.0K-0.1%-10ppmCaddockThick Film Resistors - Through Hole 10K ohm 0.1% 10ppm Precision Radial
Produkt ist nicht verfügbar
TK223PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.49 EUR
5+ 17.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK223PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.49 EUR
5+ 17.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK223PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.49 EUR
5+ 17.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK223PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
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TK223PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 9 Stücke:
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TK223PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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Version: mono
Cable length: 3m
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Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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TK223PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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Version: mono
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Number of cores: 2
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TK223PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
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Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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TK223PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
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Insulation colour: green
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auf Bestellung 10 Stücke:
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4+18.49 EUR
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TK223PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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TK224-SC-1ABB Power Electronics Inc.Description: TK224-SC-1
Packaging: Bulk
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80+ 23.37 EUR
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TK225-SC-1ABB Power Electronics Inc.Description: TK225-SC-1
Packaging: Bulk
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+31.38 EUR
72+ 28.91 EUR
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TK226TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
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TK226TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 6m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: black
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Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK226PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK226PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
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TK226PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2
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TK226PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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TK226PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
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TK226PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
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TK226PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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TK226PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
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TK226PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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Version: mono
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TK226PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 6m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
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TK229PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
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TK229PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
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TK229PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
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TK229PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK229PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
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Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK229PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
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Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK229PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
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Number of cores: 2
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TK229PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK229PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TK229PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 9m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK22A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
20+ 2.63 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.37 EUR
2500+ 1.36 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK22A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 77
TK22A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A60V,VX(MToshibaTK22A60V,VX(M
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X,S5XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.87 EUR
50+ 7.03 EUR
100+ 6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK22A65X,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.52 EUR
50+ 7.54 EUR
100+ 6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK22A65X5,S5XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
TK22A65X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK22A65X5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK22C60V,S1VQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK22E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK22E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK22E10N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.43 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.86 EUR
1000+ 1.52 EUR
2500+ 1.43 EUR
5000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK22E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK22E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.36 EUR
131+ 1.15 EUR
149+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 116
TK22E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK22E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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TK22E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK22G60V,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK22G60V,RVQ(SToshibaMOSFETs DTMOSIII D2PAK
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TK22G60VRQ(SToshibaMOSFET
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TK22G60VRVQ(SToshibaMOSFET
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TK22J60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK22V65X5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 5-Pin DFN EP T/R
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TK22V65X5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
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TK22V65X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.08 EUR
10+ 10.98 EUR
100+ 8.88 EUR
500+ 7.9 EUR
1000+ 6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK22V65X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK22V65X5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK22V65X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK22V65X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2300InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2300 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2300
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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TK2305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 23P SIDE ENTRY 5MM PCB
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TK2305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK23058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
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TK230G2L2AKINGBRIGHT
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2312TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK2312TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Version: mono
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
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TK231G2L2AKINGBRIGHT
auf Bestellung 40010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK231G2L2AKINGBRIG
auf Bestellung 84200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK23233M (TC)Description: MRO TAPE KIT - PREMIUM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK232G2AKINGBRIG
auf Bestellung 46200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK232G2L2AKINGBRIGHT
auf Bestellung 76010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK232G2L2AKINGBRIG
auf Bestellung 44200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK233TASKERTAS-TK233 Audio - Video Cables
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.74 EUR
4+ 18.85 EUR
5+ 17.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK233-1.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 1K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 1 kOhms
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TK233-1.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 1K ohm ,0.1% 10ppm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+39.47 EUR
10+ 35.88 EUR
25+ 31.64 EUR
50+ 27.25 EUR
100+ 25.04 EUR
250+ 23.71 EUR
500+ 22.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK233-1.00M-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 1M ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-1.00M-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 1M OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 1 mOhms
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+62.95 EUR
10+ 52.02 EUR
25+ 49.7 EUR
50+ 47.22 EUR
100+ 43.57 EUR
TK233-10.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 10K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 10 kOhms
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+37.93 EUR
10+ 32.75 EUR
25+ 31.03 EUR
TK233-10.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 10K ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-100K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 100K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 100 kOhms
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+42.28 EUR
10+ 36.15 EUR
25+ 33.82 EUR
TK233-100K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 100K ohm ,0.1% 10ppm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+43.13 EUR
10+ 38.84 EUR
25+ 34.5 EUR
50+ 32.32 EUR
100+ 30.19 EUR
250+ 28.68 EUR
500+ 27.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK233-2.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES, 2K OHM, 0.1%, 10PPM/C, 0.3W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK233-2.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 2K ohm ,0.1% 10ppm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK233-20.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES, 20K OHM, 0.1%, 10PPM/C, 0.3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK233-20.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 20K ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-200K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 200K ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-200K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 200K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 200 kOhms
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.8 EUR
10+ 40.33 EUR
TK233-5.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES, 5K OHM, 0.1%, 10PPM/C, 0.3W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK233-5.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 5K ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-50.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 50K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 50 kOhms
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+37.93 EUR
10+ 32.75 EUR
25+ 31.03 EUR
50+ 26.72 EUR
100+ 23.44 EUR
TK233-50.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 50K ohm ,0.1% 10ppm
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TK233-500K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 500K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 500 kOhms
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+54.63 EUR
10+ 45.14 EUR
25+ 43.13 EUR
50+ 40.97 EUR
TK233-500K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 500K ohm ,0.1% 10ppm
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TK236TASKERTAS-TK236 Audio - Video Cables
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TK239TASKERTAS-TK239 Audio - Video Cables
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TK24-T01-MG01-B1-1-703-505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
200+ 10.92 EUR
500+ 9.18 EUR
1000+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1C-1-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T01-MG01-B1C-1-1603-1405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.7 EUR
10+ 18.75 EUR
50+ 15.13 EUR
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500+ 10.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1C-1-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
3+20.7 EUR
10+ 18.75 EUR
50+ 15.13 EUR
100+ 12.82 EUR
200+ 12.48 EUR
500+ 10.53 EUR
1000+ 9.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1C-1-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.7 EUR
10+ 18.75 EUR
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1000+ 9.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1C-2-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
3+20.7 EUR
10+ 18.75 EUR
50+ 15.13 EUR
100+ 12.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1C-2-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T01-MG01-B1C-2-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T01-MG01-B1C-2-1753-1555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 175C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T01-MG01-B1P-1-1003-805-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 100C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1P-1-1053-855-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
200+ 10.92 EUR
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1000+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1P-1-1103-905-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
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500+ 9.18 EUR
1000+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1P-1-1153-955-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 115C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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1000+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1P-1-1203-1005-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
200+ 10.92 EUR
500+ 9.18 EUR
1000+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK24-T01-MG01-B1P-1-1253-1055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.12 EUR
10+ 16.41 EUR
50+ 13.23 EUR
100+ 11.23 EUR
200+ 10.92 EUR
500+ 9.18 EUR
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10+ 18.75 EUR
50+ 15.13 EUR
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TK24-T02-MG01-B1P-2-653-455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T02-MG01-B1P-2-853-655-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24-T02-MG01-B1P-2-953-755-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK2404K-T1-E3
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TK2405800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 24P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 24
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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TK2405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK2405800000GAmphenolWire protector system horizontal wire-inlet 5.0 mm pitch solid block 24 position
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 70-84 Tag (e)
3+20.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
TK24HT-T02-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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Lieferzeit 70-84 Tag (e)
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-250+/-3%-210+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
auf Bestellung 100 Stücke:
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TK250BMCL
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK25A10K3
Produktcode: 116226		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK25A20D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK25A20D,S5XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.19 EUR
15+ 3.48 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.98 EUR
2500+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK25A20D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A20D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.047 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25A60XToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.58 EUR
10+ 8.55 EUR
100+ 7.02 EUR
250+ 5.54 EUR
500+ 5.41 EUR
1000+ 4.65 EUR
2500+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
TK25A60X,S5X
Produktcode: 191910		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TK25A60X,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.01 EUR
62+ 2.44 EUR
100+ 2.22 EUR
200+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 52
TK25A60X5ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK25A60X5,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.19 EUR
10+ 9.85 EUR
100+ 7.28 EUR
250+ 7.23 EUR
500+ 6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK25A60X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25A60X5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60X5S5X(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK25A60XS5X(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E06K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK25E06K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60XToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.47 EUR
10+ 10.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK25E60X,S1XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 7.93 EUR
50+ 7.64 EUR
100+ 6.53 EUR
250+ 6.34 EUR
500+ 5.85 EUR
1000+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25E60X,S1X(SToshibaSilicon N-Channel MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X,S1X(TToshiba0
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25E60X5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.93 EUR
10+ 10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK25E60X5,S1XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.21 EUR
10+ 10.06 EUR
100+ 8.24 EUR
500+ 7.02 EUR
1000+ 5.9 EUR
2500+ 5.62 EUR
5000+ 5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK25E60X5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25E60X5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25E60X5,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.08 EUR
10+ 9.41 EUR
30+ 8.66 EUR
120+ 7.28 EUR
270+ 7.1 EUR
510+ 6.47 EUR
1020+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X5,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25N60X5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.61 EUR
30+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK25N60X5,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60X5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25N60X5S1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK25N60XS1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
auf Bestellung 37277 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.37 EUR
27+ 1.95 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
2000+ 1.01 EUR
4000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
TK25S06N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LXHQToshibaMOSFET 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 79096 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
30+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.89 EUR
4000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK25S06N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK25V60X,LQToshibaMOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
TK25V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25V60X5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.7 EUR
10+ 9.83 EUR
25+ 9.28 EUR
100+ 7.96 EUR
250+ 7.51 EUR
500+ 7.07 EUR
1000+ 6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25V60X5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK25Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK25Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK26263M (TC)Description: HOME TAPE KIT - STANDARD
Produkt ist nicht verfügbar
TK2700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK2720
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK272GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK272G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK272G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK2770Sargent ToolsCrimpers MODULAR PLUG KIT
Produkt ist nicht verfügbar
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.41 EUR
10+ 9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK28A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 61-75 Tag (e)
5+11.65 EUR
10+ 10.61 EUR
50+ 9.23 EUR
100+ 7.93 EUR
250+ 7.49 EUR
500+ 7.05 EUR
1000+ 5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK28A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK28A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28A65W,S5X(MToshibaTK28A65W,S5X(M
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.47 EUR
25+ 6.09 EUR
50+ 4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TK28A65WS5X(MToshibaMOSFET
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TK28C94AINTekmosTK28C94AIN^TEKMOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK28E65WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK28E65W,S1XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TK28E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.42 EUR
50+ 10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK28E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK28E65W,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK28E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28F010NI-12TekmosFlash Parallel 1M-bit 128K x 8 90ns 32-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK28F010PI-120Tekmos Inc.CMOS 1024K Flash Memory
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.43 EUR
30+ 11.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK28N65W,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28N65W,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W5,S1FToshibaMOSFET TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.52 EUR
10+ 14.3 EUR
30+ 12.27 EUR
120+ 10.19 EUR
270+ 10.06 EUR
510+ 9.28 EUR
1020+ 7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK28N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.42 EUR
30+ 12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK28N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28N65W5,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65W5S1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK28N65WS1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.14 EUR
10+ 10.21 EUR
100+ 8.26 EUR
500+ 7.34 EUR
1000+ 6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK28V65W,LQToshibaMOSFET DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 4772 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.25 EUR
10+ 10.27 EUR
25+ 9.7 EUR
100+ 8.29 EUR
250+ 7.83 EUR
500+ 7.38 EUR
1000+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK28V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK28V65W,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.05 EUR
10+ 7.59 EUR
100+ 6.14 EUR
500+ 6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK28V65W5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 88 PD=240W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28V65W5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK28V65W5LQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK28V65WLQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK290A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
13+ 4.32 EUR
50+ 4.06 EUR
100+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK290A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK290A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK290A65Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.33 EUR
11+ 4.81 EUR
50+ 4.52 EUR
100+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK290A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK290A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
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TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK290P60Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.5 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.25 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.2 EUR
2000+ 2.05 EUR
4000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK290P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
auf Bestellung 3992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.07 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.2 EUR
2000+ 2.09 EUR
4000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.89 EUR
10+ 4.4 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK2A65DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK2A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.43 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.13 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.42 EUR
2500+ 1.41 EUR
5000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK2K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK2K2A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.83 EUR
2500+ 0.82 EUR
5000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2K2A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK2K2A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK2K2A60FS4X(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK2P-3.5TraktronixDescription: 2PIN 3.5MM SCREW PLUGGABLE CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK2P60D
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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TK2P60D(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK2P60D(TE16L1,NV)ToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
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TK2P60D(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK2P60D(TE16L1NV)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK2P60D(TE16R1,NQ)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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TK2P90E,RQToshibaMOSFET PWR MOS PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.76 EUR
23+ 2.26 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.64 EUR
2000+ 1.4 EUR
4000+ 1.34 EUR
10000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
TK2P90E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK2P90E,RQSToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK2Q60D
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2Q60D(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
14+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK2Q60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2
Produkt ist nicht verfügbar
TK2Q60D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK2Q60D(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.55 EUR
400+ 1.22 EUR
1000+ 0.98 EUR
2400+ 0.89 EUR
10000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+ 5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK2R4A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.98 EUR
10+ 5.51 EUR
50+ 4.68 EUR
100+ 4.26 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK2R4A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2R4E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.36 EUR
50+ 5.83 EUR
100+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK2R4E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.41 EUR
10+ 6.24 EUR
50+ 6.03 EUR
100+ 5.02 EUR
250+ 4.99 EUR
500+ 4.58 EUR
1000+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK2R4E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 290 A, 0.00197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2R9E10PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1XToshibaMOSFET Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
auf Bestellung 3476 Stücke:
Lieferzeit 164-178 Tag (e)
8+6.66 EUR
10+ 5.62 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.2 EUR
2500+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK2R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1X
Produktcode: 189702		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK2R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31
TK2R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK2R9E10PLS1X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar