Produkte > UMD

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
UMD03-0402
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03-523
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03-723
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03B
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03B-323
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03LA-323
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD03T-523
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05-0402
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05-323
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05-523
auf Bestellung 21080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD0504F
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD0521P
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05B
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05B-323
auf Bestellung 63500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD05B-523
auf Bestellung 63350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD08-523
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD1 N TRROHM
auf Bestellung 8503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD10N
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD10N-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
39+ 0.68 EUR
42+ 0.63 EUR
100+ 0.47 EUR
250+ 0.42 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32
UMD12 N TRROHM09+
auf Bestellung 60018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12 NTRROHM
auf Bestellung 34630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12 N TRROHMSOT363-D12
auf Bestellung 438000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
auf Bestellung 438000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12-323
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12-N-TR
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12-NTRSOT363-D12
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12.N.TR
auf Bestellung 12673 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12/D12
auf Bestellung 288200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12N
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD12NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN+PNP
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
62+ 0.85 EUR
100+ 0.53 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41
UMD12NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 68
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.15W
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD12NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 68
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.15W
Produkt ist nicht verfügbar
UMD12NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD12NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.85 EUR
76+ 0.69 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 62
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 32
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD12NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
auf Bestellung 10829 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
42+1.25 EUR
56+ 0.94 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 42
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD12NTRROHM SEMICONDUCTORUMD12NTR Complementary transistors
auf Bestellung 11990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
613+0.12 EUR
1166+ 0.061 EUR
1232+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 613
UMD12NTRSOT363-D12ROHM
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12VL-235
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD12VL-705
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD15D15
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD15NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD16N
auf Bestellung 15100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD18N-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD1N
auf Bestellung 15100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD1NTR
auf Bestellung 8503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2 N TRROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2 N TRROHMSOT26
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2 NTRROHM97+
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2 TRROHMSOT363
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2/D2ROHMSOT-363
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22-N-TR
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22/D22ROHM
auf Bestellung 10151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22N
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.071 EUR
15000+ 0.067 EUR
30000+ 0.064 EUR
60000+ 0.059 EUR
120000+ 0.055 EUR
300000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD22NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD22NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
auf Bestellung 4665 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
71+ 0.74 EUR
145+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 46
UMD22NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NHE3-TPMicro Commercial ComponentsPre-biased TransistorsSOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.01 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.27 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 52
UMD22NTR
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD22NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
UMD25NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
78+ 0.67 EUR
173+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 11840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD2AROHM
auf Bestellung 57200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NROHM03/04+ SOT-363
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2N-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN and PNP l Digital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2N-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.3 EUR
570+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 517
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1279+0.12 EUR
1357+ 0.11 EUR
1507+ 0.096 EUR
2000+ 0.089 EUR
3000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1279
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD2N.TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD2NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN+PNP
auf Bestellung 5445 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
65+ 0.8 EUR
121+ 0.43 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 46
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27
UMD2NHE3-TPMicro Commercial ComponentsPre-biased Transistors SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 150-164 Tag (e)
53+0.99 EUR
70+ 0.75 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD2NHE3-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NHE3-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NTLROHM09+
auf Bestellung 27313 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD2NTRROHMSOT-363
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 30MA
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
63+ 0.83 EUR
145+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 47
UMD2NTRROHM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 5833 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD2NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2NTRROHMDescription: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD2NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD2TL
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2TR(D2)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD2\D2ROHMSOT-353
auf Bestellung 21100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TRROHMSOT363-D3
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TRROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TRROHMSOT26
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TR SOT363-D3ROHM
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TR SOT363-D3ROHM
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 N TR/D3ROHMSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 NFHATRROHMSOT23
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 NFHATRROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 NTRROHMSOT23-6
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 NTRROHM
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3 TRROHM
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3(D3)ROHM95 SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3-N-TRROHMSOT23
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3/D3ROHM00+ SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD36B
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NROHM03/04+ SOT363
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.078 EUR
15000+ 0.073 EUR
30000+ 0.07 EUR
60000+ 0.065 EUR
120000+ 0.06 EUR
300000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD3NYangjie Electronic TechnologyUMD3N
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
UMD3NROHM
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3N-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3N-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN and PNP l Digital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3N.TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NFHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN
auf Bestellung 35156 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
74+ 0.71 EUR
150+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 47
UMD3NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD3NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
34+ 0.79 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD3NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD3NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD3NFHATRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1085+0.14 EUR
1291+ 0.11 EUR
2000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1085
UMD3NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NTLROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NTLROHM97+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NTL/D3ROHM
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 208592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.68 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UMD3NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 50MA
auf Bestellung 12873 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
76+ 0.69 EUR
169+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 54
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 8477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
590+0.26 EUR
608+ 0.25 EUR
628+ 0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 590
UMD3NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+ 0.18 EUR
75000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD3NTR
Produktcode: 189190		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 817
UMD3NTR
Produktcode: 110590		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 817
UMD3NTR(D3)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3NTRSOT363
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3P
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3T2R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD3Z1TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD4N
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
UMD4NTRROHM SEMICONDUCTORUMD4NTR Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
UMD4NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 6983 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.17 EUR
59+ 0.88 EUR
105+ 0.5 EUR
500+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 45
UMD5ROHM
auf Bestellung 17900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5ROHMSOT-363
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5N
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5NTRROHM05+ SOT363
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
UMD5NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 8523 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
67+ 0.78 EUR
177+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50
UMD5NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD5NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
UMD5V-235
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5V-553
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5V-563UMDSOT-563 08+
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5V-705
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5V-706UMD0909+ SC70-6
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD5V-953
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6/D6
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6B-TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6D-100
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6D-100L
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6JN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6N
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6N-TR
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6NFHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
UMD6NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
UMD6NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD6NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
79+ 0.67 EUR
145+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
45000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 46
UMD6NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD6NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD6NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26
UMD6NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
UMD6NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.22 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD6NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.1 EUR
64+ 0.82 EUR
102+ 0.51 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 48
UMD6NTR
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6NTR(D6)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD6TL
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD714
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD716
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD7423
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD8D-100L
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD8N
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD9 N TRROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 11631 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD9/D9ROHM
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD9N
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
UMD9N-13PMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD9NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.27 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 41
UMD9NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
34+ 0.79 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD9NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 44404 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
UMD9NTRROHM SEMICONDUCTORUMD9NTR Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
UMD9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
UMD9NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 70MA
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.1 EUR
64+ 0.82 EUR
102+ 0.51 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 48
UMDSR05
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)