Produkte > VMO

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
VMO1200-01FIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
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VMO1200-01FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 1.22KA Automotive 4-Pin Case Y3 Box
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VMO1200-01FIXYSDiscrete Semiconductor Modules 1200 Amps 100V
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VMO1200-01FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 1.22KA 4-Pin Case Y3 Box
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VMO150-01P1IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2
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VMO1600-02PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
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VMO1600-02P Modul
Produktcode: 57784
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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VMO40-05P1IXYSDescription: MOSFET N-CH ECO-PAC2
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VMO400-02IXYS07+;
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VMO400-02IXYS.
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VMO400-02FIXYSJ4-4
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VMO400-02FIXYS420A/MOSFET
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VMO400-02F
Produktcode: 169604
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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VMO400-02FLIXYSJ4-6 WL
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VMO400-02FL/11
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VMO400-02FL/13
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VMO400-02FLZ
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VMO440-02
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VMO440-02F
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VMO440-02FL
Produktcode: 166873
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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VMO440-02FLIXYSJ4-4 WL
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VMO550-01FIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 110mA
Supplier Device Package: Y3-DCB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2000 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50000 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
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1+609.51 EUR
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VMO580-02FIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Packaging: Bulk
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50mA
Supplier Device Package: Y3-Li
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2750 nC @ 10 V
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VMO60-05FIXYSDiscrete Semiconductor Modules 60 Amps 500V
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VMO60-05FIxys Semiconductor GmbHN-CH HDMOS 500В 60А 65mOm 250 нсек
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VMO60-05FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 590W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-240AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
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VMO650-01FIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB
Packaging: Bulk
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 690A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 130mA
Supplier Device Package: Y3-DCB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+379.03 EUR
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VMO650-01FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 690A Automotive 4-Pin Y3-DCB
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VMO80-05P1IXYSDescription: MOSFET N-CH ECO-PAC2
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VMOB70ACRINATO-55
auf Bestellung 26 Stücke:
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