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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024GEMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
10+ 3.16 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024GEMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
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Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
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XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP4024GEMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
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14+3.72 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.47 EUR
250+ 2.28 EUR
500+ 2.06 EUR
1000+ 1.87 EUR
3000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
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100+ 4.65 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4060CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.25 EUR
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500+ 4.29 EUR
1000+ 3.56 EUR
3000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
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Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4062CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.98 EUR
10+ 3.26 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4062CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4062CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.49 EUR
500+ 2.25 EUR
1000+ 2.04 EUR
3000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.68 EUR
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1000+ 2.04 EUR
3000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13
XP4064CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.44 EUR
100+ 2.74 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4064CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4072CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.81 EUR
3000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP408AB
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP40M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 40MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 40 MHz
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP4111PANASONIC99+ SOT-323-6
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4112
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4113Panasonic
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4113-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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XP4114Panasonic04+ SOT-363
auf Bestellung 21100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115(TX)panasonic
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4115-(TX)panasonic05+
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4116
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4116-(TX)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4117
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4132-(TX)
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4210
auf Bestellung 1000 Stücke:
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XP4211Panasonic
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211PANAS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211 / 9VPanasonic
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4211-(TX)Panasonic
auf Bestellung 63718 Stücke:
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XP4211-(TX)(9V)
auf Bestellung 1120 Stücke:
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XP4212
auf Bestellung 27000 Stücke:
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XP4212-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2970 Stücke:
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XP4212-(TX)(8R)
auf Bestellung 680 Stücke:
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XP4213
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4213
Produktcode: 168732
IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4213-(TX)MAT
auf Bestellung 99 Stücke:
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XP4213-(TX)PANASONICSOT26/
auf Bestellung 2773 Stücke:
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XP4213-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2650 Stücke:
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XP4213-(TX).SOPANASOT26/SOT363
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4214PANPSONIC09+
auf Bestellung 5968 Stücke:
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XP4214PAN06+ SOT-363
auf Bestellung 950 Stücke:
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XP4214-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
auf Bestellung 2934 Stücke:
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XP4214-(TX).SO
auf Bestellung 7000 Stücke:
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XP4214-TX
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215panasonic
auf Bestellung 1515 Stücke:
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XP4215-(TX)Panasonic
auf Bestellung 48000 Stücke:
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XP4215-(TX)(8T)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP4215-(TX).MTPANASONICSOT363-8T
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4216
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4216-(TX)
auf Bestellung 68500 Stücke:
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XP4216-X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP42AZ11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
Produkt ist nicht verfügbar
XP4311 / 7XPanasonic
auf Bestellung 11187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311-(TX)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4311-(TX)(7X)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP4311-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 5918 Stücke:
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XP4311/7X
auf Bestellung 11187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)PANASONICSOT363
auf Bestellung 18000 Stücke:
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XP4312-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4312-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 5980 Stücke:
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XP4312-(TX).ERPANASONICSOT363-7T
auf Bestellung 90000 Stücke:
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XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 78000 Stücke:
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XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 90000 Stücke:
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XP4312-(TX).ERSOT363-7TPANASONIC
auf Bestellung 72000 Stücke:
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XP4312-(TX).SO
auf Bestellung 96000 Stücke:
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XP4312-(TX)/7T
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XP4312-TXPANASONIC05+PB
auf Bestellung 4412 Stücke:
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XP4312-TXPANASONICSOT23-6
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XP4312-TXPANASONIC09+
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XP4312-TX.SO
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XP4313PAN09+
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XP4313PAN07+ SOT-363
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XP4313-(TX)PANASONICSOT363
auf Bestellung 48000 Stücke:
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XP4313-(TX)PANASONIC09+
auf Bestellung 12038 Stücke:
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XP4313-(TX)PANASONICSOT363-BZ
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313-TX
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4313/BZ
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314PANPSONIC09+
auf Bestellung 72018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314-CTX7
auf Bestellung 17754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314/CAPANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4314\CAPanasonicSOT-363
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4315PANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4315-TXPANPSONIC09+
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316PAN
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316(TX)PANASONIC
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4316-TXPANASONIC09+
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401
Produktcode: 168734
IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4401PANAS
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401(TX)Panasonic
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(TX)(5K)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-(XT)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-TX
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401-XT
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401/5KPANASONIC09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4401TX
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4402
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4402/0H
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4414-TX
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.41 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.19 EUR
500+ 1.86 EUR
1000+ 1.51 EUR
3000+ 1.42 EUR
6000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
XP4501
Produktcode: 168735
IC > IC Transistoranordnungen
Produkt ist nicht verfügbar
XP4501(TX)PANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)PANASONICSOT36
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)(5H)
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-(TX)/XP0450
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-WPANASONICSOT26/
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501-WPANASONICSOT23
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4501/5HPANASONIC09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4506PANASONIC
auf Bestellung 14480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.29 EUR
15+ 3.56 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.6 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.15 EUR
3000+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601PAN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601-(TX)(5C)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-TXPANASONIC
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-TX/5C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601/5CPANASONIC
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
Produkt ist nicht verfügbar
XP4654
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4878/7Y
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4M32LPTRIDENTBGA
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.48 EUR
10+ 7.13 EUR
100+ 5.77 EUR
500+ 5.13 EUR
1000+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.35 EUR
10+ 7.02 EUR
25+ 6.6 EUR
100+ 5.67 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.76 EUR
10+ 5.64 EUR
100+ 4.47 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.74 EUR
1000+ 3.22 EUR
3000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+ 5.75 EUR
100+ 4.58 EUR
500+ 3.88 EUR
1000+ 3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFET N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.4 EUR
10+ 8.74 EUR
25+ 8.24 EUR
100+ 7.07 EUR
250+ 6.68 EUR
500+ 6.29 EUR
1000+ 5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.35 EUR
10+ 8.68 EUR
100+ 7.03 EUR
500+ 6.24 EUR
1000+ 5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.9 EUR
10+ 10.84 EUR
25+ 10.22 EUR
100+ 8.76 EUR
250+ 8.27 EUR
500+ 7.77 EUR
1000+ 6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4NAR95CMT-AXSemiMOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
4+13.57 EUR
10+ 12.19 EUR
100+ 9.98 EUR
500+ 8.5 EUR
1000+ 7.18 EUR
3000+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
41+ 1.27 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.53 EUR
9000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 1W
Versorgungsspannung, V AC: 230V
euEccn: NLR
Linsendurchmesser: -mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -°C
Außenhöhe: 35mm
Betriebstemperatur, max.: -°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)