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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN3R3-60PLQ NEXPERIA PSMN3R3-60PL.pdf PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN3R3-80BS,118 NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R3-80PS.pdf PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN3R4-30BL,118 NEXPERIA PSMN3R4-30BL.pdf PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R4-30PL,127 NEXPERIA PSMN3R4-30PL.pdf PSMN3R4-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN3R5-25MLDX NEXPERIA PSMN3R5-25MLD.pdf PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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PSMN3R5-40YSDX NEXPERIA PSMN3R5-40YSD.pdf PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80YSFX NEXPERIA PSMN3R5-80YSF.pdf PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-25MLC,115 NEXPERIA PSMN3R9-25MLC.pdf PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.25 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-25YLC,115 NEXPERIA PSMN4R0-25YLC.pdf PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN4R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf PSMN4R0-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
100+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
100+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN4R0-60YS.pdf PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-30YLC,115 NEXPERIA PSMN4R1-30YLC.pdf PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
43+1.69 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
750+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-60PLQ NEXPERIA PSMN4R2-60PL.pdf PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 673A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-30BL,118 NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-30PL,127 NEXPERIA PSMN4R3-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MLHX NEXPERIA PSMN4R3-40MLH.pdf PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MSHX NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-80PS.pdf PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R4-30MLC,115 NEXPERIA PSMN4R4-30MLC.pdf PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+3.36 EUR
27+2.71 EUR
28+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R5-40BS,118 NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN4R5-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 545A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
39+1.87 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
50+1.5 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN4R6-60PS.pdf PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780815D2565E7A259&compId=PSMN4R8-100BSE.pdf?ci_sign=3fb82daffe14b70cb909ddfa8d5c544863f9d5e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN4R8-100PSE.pdf PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEX NEXPERIA PSMN4R8-100YSE.pdf PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 622A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN5R0-40MLHX NEXPERIA PSMN5R0-40MLH.pdf PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-40MSHX NEXPERIA PSMN5R0-40MSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN5R0-80BS,118 NEXPERIA PSMN5R0-80BS.pdf PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-80PS.pdf PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R2-60YLX NEXPERIA PSMN5R2-60YL.pdf PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R3-25MLDX NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R4-25YLDX NEXPERIA PSMN5R4-25YLD.pdf PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780819F6B5A85C259&compId=PSMN5R5-60YS.pdf?ci_sign=7e0d1b7966d5f68f7609a25c4f69cb1d2e262d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS.pdf
PSMN3R5-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
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PSMN3R8-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad
PSMN3R8-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
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Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
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Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
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PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
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Anzahl Preis
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
43+1.69 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
750+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS.pdf
PSMN4R3-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 673A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-30PL.pdf
PSMN4R3-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MLHX PSMN4R3-40MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R3-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
22+3.36 EUR
27+2.71 EUR
28+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS.pdf
PSMN4R5-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 545A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
39+1.87 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
50+1.5 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R6-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R8-100BSEJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780815D2565E7A259&compId=PSMN4R8-100BSE.pdf?ci_sign=3fb82daffe14b70cb909ddfa8d5c544863f9d5e0
PSMN4R8-100BSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100PS.pdf
PSMN5R0-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 622A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHX PSMN5R0-40MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80BS.pdf
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PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780819F6B5A85C259&compId=PSMN5R5-60YS.pdf?ci_sign=7e0d1b7966d5f68f7609a25c4f69cb1d2e262d57
PSMN5R5-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2821 Stücke:
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Anzahl Preis
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200+1.4 EUR
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PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YL.pdf
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PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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