Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV280ENEAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 1078mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Gate charge: 6.8nC Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV28ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV28UNEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV28XPEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV30ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 11nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5736 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
PMV30UN2VL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 18A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
PMV30XPAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV30XPEAR | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PMV32UP,215 | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
PMV35EPER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -17A Gate charge: 19.2nC Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1887 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV37EN2R | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV37ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV42ENER | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1115mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.3nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4307 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV45EN2VL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV48XP,215 | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PMV48XPA2R | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV48XPAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -14A Gate charge: 11nC Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV48XPVL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV50ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV50EPEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV50UPE,215 | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV50XNEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV50XPR | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PMV52ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV55ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV60ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV65ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV65UNEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV65UNER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 11A Gate charge: 6nC Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13664 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV65XP,215 | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 23098 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PMV65XPEAR | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1709 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
PMV65XPER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -12A Gate charge: 9nC Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMV65XPVL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV74EPER | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV75UP,215 | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV88ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMV88ENER | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
PMV90ENER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.5nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
PMXB120EPEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB350UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB360ENEAZ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 0.7A On-state resistance: 887mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: DFN1010D-3; SOT1215 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 4.5nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4.4A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB40UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB43UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB56ENZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB65ENEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB65UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMXB75UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -600mA Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 9834 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
PMV280ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Gate charge: 6.8nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Gate charge: 6.8nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
516+ | 0.14 EUR |
544+ | 0.13 EUR |
PMV28ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV28ENEAR SMD N channel transistors
PMV28ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV28UNEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV28UNEAR SMD N channel transistors
PMV28UNEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV28XPEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV28XPEAR SMD P channel transistors
PMV28XPEAR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV30ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV30ENEAR SMD N channel transistors
PMV30ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV30UN2R |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
307+ | 0.23 EUR |
365+ | 0.2 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
642+ | 0.11 EUR |
PMV30UN2VL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV30XPAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV30XPAR SMD P channel transistors
PMV30XPAR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV30XPEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV30XPEAR SMD P channel transistors
PMV30XPEAR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
265+ | 0.27 EUR |
361+ | 0.2 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
500+ | 0.18 EUR |
PMV32UP,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV32UP.215 SMD P channel transistors
PMV32UP.215 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
116+ | 0.62 EUR |
303+ | 0.24 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
PMV35EPER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Gate charge: 19.2nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Gate charge: 19.2nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
165+ | 0.43 EUR |
191+ | 0.37 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
PMV37EN2R |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV37EN2R SMD N channel transistors
PMV37EN2R SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV37ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV37ENEAR SMD N channel transistors
PMV37ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV40UN2R |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
363+ | 0.2 EUR |
446+ | 0.16 EUR |
3000+ | 0.096 EUR |
PMV42ENER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV42ENER SMD N channel transistors
PMV42ENER SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV45EN2R |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
213+ | 0.34 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
353+ | 0.2 EUR |
625+ | 0.11 EUR |
PMV45EN2VL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV45EN2VL SMD N channel transistors
PMV45EN2VL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV48XP,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV48XP.215 SMD P channel transistors
PMV48XP.215 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
111+ | 0.65 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
PMV48XPA2R |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV48XPA2R SMD P channel transistors
PMV48XPA2R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV48XPAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 11nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 11nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
265+ | 0.27 EUR |
PMV48XPVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV48XPVL SMD P channel transistors
PMV48XPVL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV50ENEAR SMD N channel transistors
PMV50ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50EPEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV50EPEAR SMD P channel transistors
PMV50EPEAR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50UPE,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV50UPE.215 SMD P channel transistors
PMV50UPE.215 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50XNEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV50XNEAR SMD N channel transistors
PMV50XNEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50XPR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
PMV50XPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
171+ | 0.42 EUR |
408+ | 0.18 EUR |
431+ | 0.17 EUR |
PMV52ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV52ENEAR SMD N channel transistors
PMV52ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV55ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV60ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65UNEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65UNEAR SMD N channel transistors
PMV65UNEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65UNER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11A
Gate charge: 6nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11A
Gate charge: 6nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13664 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
556+ | 0.13 EUR |
625+ | 0.11 EUR |
PMV65XP,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65XP.215 SMD P channel transistors
PMV65XP.215 SMD P channel transistors
auf Bestellung 23098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
145+ | 0.49 EUR |
834+ | 0.086 EUR |
882+ | 0.081 EUR |
99000+ | 0.079 EUR |
PMV65XPEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 0.56 EUR |
361+ | 0.2 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
1000+ | 0.18 EUR |
PMV65XPER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 9nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 9nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
209+ | 0.34 EUR |
263+ | 0.27 EUR |
297+ | 0.24 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
PMV65XPVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65XPVL SMD P channel transistors
PMV65XPVL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV74EPER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV74EPER SMD P channel transistors
PMV74EPER SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV75UP,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV88ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV88ENER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENER SMD N channel transistors
PMV88ENER SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV90ENER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
633+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.1 EUR |
PMXB120EPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB350UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB360ENEAZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB40UNEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB43UNEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB56ENZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB65ENEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB65UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB75UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ1000UN,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ1200UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ1200UPEYL SMD P channel transistors
PMZ1200UPEYL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ130UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ200UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ290UNE2YL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ320UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ350UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
auf Bestellung 9834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
251+ | 0.29 EUR |
1062+ | 0.067 EUR |
1122+ | 0.064 EUR |
PMZ370UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ390UN,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ550UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH