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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PMZ200UNEYL NEXPERIA PMZ200UNE.pdf PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ290UNE2YL NEXPERIA PMZ290UNE2.pdf PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
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PMZ320UPEYL NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
404+0.18 EUR
697+0.1 EUR
1060+0.067 EUR
1122+0.064 EUR
2500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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PMZ370UNEYL NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ390UN,315 NEXPERIA PMZ390UN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ550UNEYL NEXPERIA PMZ550UNE.pdf PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNELYL NEXPERIA PMZ600UNEL.pdf PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEYL NEXPERIA PMZ600UNE.pdf PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEZ NEXPERIA PMZ600UNE.pdf PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
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PMZ950UPELYL NEXPERIA PMZ950UPEL.pdf PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
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PMZ950UPEYL NEXPERIA PMZ950UPE.pdf PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB1200UPEYL NEXPERIA PMZB1200UPE.pdf PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB150UNEYL NEXPERIA PMZB150UNE.pdf PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB200UNEYL NEXPERIA PMZB200UNE.pdf PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.41 EUR
1067+0.067 EUR
1128+0.063 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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PMZB320UPEYL NEXPERIA PMZB320UPE.pdf PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB350UPE,315 NEXPERIA PMZB350UPE.pdf PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB390UNEYL NEXPERIA PMZB390UNE.pdf PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB550UNEYL NEXPERIA PMZB550UNE.pdf PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB600UNELYL NEXPERIA PMZB600UNEL.pdf PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZB670UPE,315 NEXPERIA PMZB670UPE.pdf PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB950UPEYL NEXPERIA PMZB950UPE.pdf PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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PNE20010ERX NEXPERIA PNE20010ER.pdf PNE20010ERX SMD universal diodes
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PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Max. forward impulse current: 32A
Case: SOD123W
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.93V
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 2.3W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
211+0.34 EUR
275+0.26 EUR
447+0.16 EUR
884+0.082 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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PQMD10Z NEXPERIA PQMD10.pdf PQMD10Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD12Z NEXPERIA NEXP-S-A0003059963-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PQMD12Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD16Z NEXPERIA PQMD16.pdf PQMD16Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD3Z NEXPERIA PQMD3.pdf PQMD3Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
19+3.9 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
28+2.6 EUR
800+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 NEXPERIA PSMN005-75B.pdf PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
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PSMN008-75B,118 NEXPERIA PSMN008-75B.pdf PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
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PSMN009-100B,118 NEXPERIA PSMN009-100B.pdf PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
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PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
100+2.62 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN011-100YSFX NEXPERIA PSMN011-100YSF.pdf PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN011-30YLC,115 NEXPERIA PSMN011-30YLC.pdf PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN011-60MLX NEXPERIA PSMN011-60ML.pdf PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 NEXPERIA PSMN011-80YS.pdf PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLX NEXPERIA PSMN012-100YL.pdf PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.98 EUR
78+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX NEXPERIA PSMN012-60MS.pdf PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 NEXPERIA PSMN012-60YS.pdf PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118 NEXPERIA PSMN012-80BS.pdf PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127 NEXPERIA PSMN013-100PS.pdf PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX NEXPERIA PSMN013-100YSE.pdf PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
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PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1410 Stücke:
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105+0.69 EUR
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PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
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PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN013-80YS,115 NEXPERIA PSMN013-80YS.pdf PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817071B8562259&compId=PSMN014-40YS.pdf?ci_sign=e426b6f46b2918c4cac3e7a49018811b1d878bc9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
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PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ350UPEYL PMZ350UPE.pdf
PMZ350UPEYL
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMZ370UNEYL PMZ370UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UN,315 PMZ390UN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNELYL PMZ600UNEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEYL PMZ600UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEZ PMZ600UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
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PMZ950UPELYL PMZ950UPEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
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PMZ950UPEYL PMZ950UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB1200UPEYL PMZB1200UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB150UNEYL PMZB150UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
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177+0.41 EUR
1067+0.067 EUR
1128+0.063 EUR
10000+0.061 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB350UPE,315 PMZB350UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB390UNEYL PMZB390UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB600UNELYL PMZB600UNEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZB670UPE,315 PMZB670UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYL PMZB950UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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PNE20010ERX PNE20010ER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PNE20010ERX SMD universal diodes
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PNS40010ER,115 PNS40010ER.pdf
PNS40010ER,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Max. forward impulse current: 32A
Case: SOD123W
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.93V
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 2.3W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
211+0.34 EUR
275+0.26 EUR
447+0.16 EUR
884+0.082 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD10Z PQMD10.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD12Z NEXP-S-A0003059963-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
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PQMD16Z PQMD16.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
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PQMD3Z PQMD3.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
PRTR5V0U2AX,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf
PRTR5V0U2F,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2X,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea
PRTR5V0U2X,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2
PRTR5V0U4D,125
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147
PSC1065KQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
19+3.9 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
28+2.6 EUR
800+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 PSMN005-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118 PSMN009-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
100+2.62 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLX PSMN012-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.98 EUR
78+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX PSMN012-60MS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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40+1.82 EUR
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55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.2 EUR
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PSMN013-100PS,127 PSMN013-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
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PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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PSMN013-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3
PSMN013-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
134+0.53 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
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PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN014-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817071B8562259&compId=PSMN014-40YS.pdf?ci_sign=e426b6f46b2918c4cac3e7a49018811b1d878bc9
PSMN014-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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