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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YL.pdf PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
80+0.90 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 205A
On-state resistance: 2.87mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 172W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60.3nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1163A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-30YLC.pdf PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX NEXPERIA PSMN1R2-30YLD.pdf PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA PSMN1R2-55SLH.pdf PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R3-30YL.pdf PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R4-30YLDX NEXPERIA PSMN1R4-30YLD.pdf PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDX NEXPERIA PSMN1R4-40YLD.pdf PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN1R5-40PS.pdf PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDX NEXPERIA PSMN1R5-40YSD.pdf PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30BL,118 NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30MLHX NEXPERIA PSMN1R6-30MLH.pdf PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX NEXPERIA PSMN1R7-25YLD.pdf PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA PSMN1R7-40YLD.pdf PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
100+2.85 EUR
250+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHX NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA PSMN1R8-40YLC.pdf PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1158A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PLQ NEXPERIA PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSDX NEXPERIA PSMN1R9-40YSD.pdf PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJ NEXPERIA PSMN1R9-80SSE.pdf PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJ NEXPERIA PSMN2R0-100SSF.pdf PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDX NEXPERIA PSMN2R0-25MLD.pdf PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25YLDX NEXPERIA PSMN2R0-25YLD.pdf PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R0-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLDX NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
250+1.16 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-40YLDX NEXPERIA PSMN2R0-40YLD.pdf PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN2R0-60PS.pdf PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-60PSRQ NEXPERIA PSMN2R0-60PSR.pdf PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R1-40PLQ NEXPERIA PSMN2R1-40PL.pdf PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-25YLC.pdf PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
58+1.24 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40BS,118 NEXPERIA PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R2-40PS.pdf PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSDX NEXPERIA PSMN2R2-40YSD.pdf PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDX NEXPERIA PSMN2R4-30MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDX NEXPERIA PSMN2R4-30YLD.pdf PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDX NEXPERIA PSMN2R5-40YLD.pdf PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-60PSQ NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA PSMN2R7-30BL.pdf PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R7-30PL.pdf PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL NEXPERIA PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-25MLC,115 NEXPERIA PSMN2R8-25MLC.pdf PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R8-40PS.pdf PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDX NEXPERIA PSMN2R8-40YSD.pdf PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R9-25YLC.pdf PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
80+0.90 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 205A
On-state resistance: 2.87mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 172W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60.3nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1163A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
100+2.85 EUR
250+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1158A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R9-40PLQ PSMN1R9-40PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL.pdf
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
250+1.16 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
58+1.24 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R4-30YLDX PSMN2R4-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX PSMN2R5-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS.pdf
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PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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