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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PMXB350UPEZ NEXPERIA PMXB350UPE.pdf PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
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PMXB360ENEAZ NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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PMXB40UNEZ NEXPERIA PMXB40UNE.pdf PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
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PMXB43UNEZ NEXPERIA PMXB43UNE.pdf PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
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PMXB56ENZ NEXPERIA PMXB56EN.pdf PMXB56ENZ SMD N channel transistors
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PMXB65ENEZ NEXPERIA PMXB65ENE.pdf PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
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PMXB65UPEZ NEXPERIA PMXB65UPE.pdf PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
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PMXB75UPEZ NEXPERIA PMXB75UPE.pdf PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
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PMZ1000UN,315 NEXPERIA PMZ1000UN.pdf PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
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PMZ1200UPEYL NEXPERIA PMZ1200UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ130UNEYL NEXPERIA PMZ130UNE.pdf PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ200UNEYL NEXPERIA PMZ200UNE.pdf PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ290UNE2YL NEXPERIA PMZ290UNE2.pdf PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
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PMZ320UPEYL NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
auf Bestellung 9834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
251+0.29 EUR
1062+0.07 EUR
1122+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 251
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PMZ370UNEYL NEXPERIA PMZ370UNE.pdf PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ390UN,315 NEXPERIA PMZ390UN.pdf PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
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PMZ550UNEYL NEXPERIA PMZ550UNE.pdf PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNELYL NEXPERIA PMZ600UNEL.pdf PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEYL NEXPERIA PMZ600UNE.pdf PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
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PMZ600UNEZ NEXPERIA PMZ600UNE.pdf PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
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PMZ950UPELYL NEXPERIA PMZ950UPEL.pdf PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
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PMZ950UPEYL NEXPERIA PMZ950UPE.pdf PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB1200UPEYL NEXPERIA PMZB1200UPE.pdf PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB150UNEYL NEXPERIA PMZB150UNE.pdf PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB200UNEYL NEXPERIA PMZB200UNE.pdf PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.41 EUR
1067+0.07 EUR
1128+0.06 EUR
10000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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PMZB320UPEYL NEXPERIA PMZB320UPE.pdf PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB350UPE,315 NEXPERIA PMZB350UPE.pdf PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB390UNEYL NEXPERIA PMZB390UNE.pdf PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB550UNEYL NEXPERIA PMZB550UNE.pdf PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB600UNELYL NEXPERIA PMZB600UNEL.pdf PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZB670UPE,315 NEXPERIA PMZB670UPE.pdf PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB950UPEYL NEXPERIA PMZB950UPE.pdf PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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PNE20010ERX NEXPERIA PNE20010ER.pdf PNE20010ERX SMD universal diodes
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PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
211+0.34 EUR
275+0.26 EUR
447+0.16 EUR
1005+0.07 EUR
1062+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD10Z NEXPERIA PQMD10.pdf PQMD10Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD12Z NEXPERIA NEXP-S-A0003059963-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PQMD12Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD16Z NEXPERIA PQMD16.pdf PQMD16Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD3Z NEXPERIA PQMD3.pdf PQMD3Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Case: SOT143B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
154+0.46 EUR
264+0.27 EUR
280+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
188+0.38 EUR
272+0.26 EUR
287+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA PRTR5V0U2X-DTE.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
175+0.41 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA PRTR5V0U4D.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
175+0.41 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA PSC1065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
19+3.90 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
800+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 NEXPERIA PSMN005-75B.pdf PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN008-75B,118 NEXPERIA PSMN008-75B.pdf PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118 NEXPERIA PSMN009-100B.pdf PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
100+2.62 EUR
250+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX NEXPERIA PSMN011-100YSF.pdf PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 NEXPERIA PSMN011-30YLC.pdf PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX NEXPERIA PSMN011-60ML.pdf PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 NEXPERIA PSMN011-80YS.pdf PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLX NEXPERIA PSMN012-100YL.pdf PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.98 EUR
78+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX NEXPERIA PSMN012-60MS.pdf PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 NEXPERIA PSMN012-60YS.pdf PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
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PMXB350UPEZ PMXB350UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZ PMXB40UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZ PMXB43UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZ PMXB56EN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZ PMXB65ENE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZ PMXB65UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZ PMXB75UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1000UN,315 PMZ1000UN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1200UPEYL PMZ1200UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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251+0.29 EUR
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PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
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177+0.41 EUR
1067+0.07 EUR
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PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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PNE20010ERX SMD universal diodes
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PNS40010ER,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
211+0.34 EUR
275+0.26 EUR
447+0.16 EUR
1005+0.07 EUR
1062+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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Hersteller: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
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PQMD12Z Complementary transistors
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PQMD16Z Complementary transistors
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PQMD3Z PQMD3.pdf
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PQMD3Z Complementary transistors
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PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
PRTR5V0U2AX,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Case: SOT143B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
154+0.46 EUR
264+0.27 EUR
280+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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Hersteller: NEXPERIA
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
188+0.38 EUR
272+0.26 EUR
287+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 188
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PRTR5V0U2X,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
175+0.41 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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PRTR5V0U4D,125
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
175+0.41 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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PSC1065KQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
19+3.90 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
800+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 PSMN005-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
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PSMN009-100B,118 PSMN009-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
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PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
100+2.62 EUR
250+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
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PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN012-100YLX PSMN012-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.98 EUR
78+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX PSMN012-60MS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
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