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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN5R6-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R6-100PS.pdf PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R8-40YS,115 NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLB,115 NEXPERIA PSMN6R0-25YLB.pdf PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX NEXPERIA PSMN6R0-25YLD.pdf PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN6R0-30YL.pdf PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YLDX NEXPERIA PSMN6R0-30YLD.pdf PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R1-25MLDX NEXPERIA PSMN6R1-25MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R1-30YLDX NEXPERIA PSMN6R1-30YLD.pdf PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS NEXPERIA PSMN6R3-120PS.pdf PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX NEXPERIA PSMN6R4-30MLD.pdf PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC,115 NEXPERIA PSMN6R5-25YLC.pdf PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS,118 NEXPERIA PSMN6R5-80BS.pdf PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
31+2.36 EUR
32+2.23 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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PSMN6R7-40MLDX NEXPERIA PSMN6R7-40MLD.pdf PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R7-40MSDX NEXPERIA PSMN6R7-40MSD.pdf PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN6R9-100YSFX NEXPERIA PSMN6R9-100YSF.pdf PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100BS,118 NEXPERIA PSMN7R0-100BS.pdf PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN7R0-100PS.pdf PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30MLC.pdf PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
134+0.53 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
52+1.40 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
500+1.13 EUR
1500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PSMN7R5-30MLDX NEXPERIA PSMN7R5-30MLD.pdf PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-30YLDX NEXPERIA PSMN7R5-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.70 EUR
59+1.22 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA PSMN7R6-100BSE.pdf PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN7R6-60BS.pdf PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN7R6-60PS.pdf PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN7R8-100PSE.pdf PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
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PSMN8R0-40BS,118 NEXPERIA PSMN8R0-40BS.pdf PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 309A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-80YLX NEXPERIA PSMN8R0-80YL.pdf PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
56+1.30 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115 NEXPERIA PSMN8R3-40YS.pdf PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQ NEXPERIA PSMN8R5-100PS.pdf PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDX NEXPERIA PSMN8R5-40MLD.pdf PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDX NEXPERIA PSMN8R5-40MSD.pdf PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
55+1.30 EUR
69+1.05 EUR
73+0.99 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118 NEXPERIA PSMN8R7-80BS.pdf PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA PSMN8R7-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
28+2.56 EUR
250+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJ NEXPERIA PSMN8R9-100BSE.pdf PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115 NEXPERIA PSMN9R0-25MLC.pdf PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115 NEXPERIA PSMN9R1-30YL.pdf PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118 NEXPERIA PSMN9R5-100BS.pdf PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN9R5-100PS,127 NEXPERIA PSMN9R5-100PS.pdf PSMN9R5-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN9R5-30YLC,115 NEXPERIA PSMN9R5-30YLC.pdf PSMN9R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN9R8-30MLC,115 NEXPERIA PSMN9R8-30MLC.pdf PSMN9R8-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMNR51-25YLHX NEXPERIA PSMNR51-25YLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 380A
Pulsed drain current: 2174A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR55-40SSHJ NEXPERIA PSMNR55-40SSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Pulsed drain current: 2237A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR58-30YLHX NEXPERIA PSMNR58-30YLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 347A
Pulsed drain current: 1960A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR60-25YLHX NEXPERIA PSMNR60-25YLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1758A
Power dissipation: 268W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR67-30YLEX NEXPERIA PSMNR67-30YLEX.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHX NEXPERIA PSMNR70-30YLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 268W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 157nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1589A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMNR70-40SSHJ NEXPERIA PSMNR70-40SSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 202nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1983A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR90-30BL,118 PSMNR90-30BL,118 NEXPERIA PSMNR90-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 243nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMNR90-40YLHX NEXPERIA PSMNR90-40YLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1613A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAX NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSSI2021SAY,115 PSSI2021SAY,115 NEXPERIA PSSI2021SAY-DTE.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; CV/CC controller; SOT353; 50mA; 5÷75VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: CV/CC controller
Case: SOT353
Output current: 50mA
Supply voltage: 5...75V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Application: for LED applications
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
168+0.43 EUR
222+0.32 EUR
334+0.21 EUR
353+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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PTVS10VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
119+0.60 EUR
319+0.22 EUR
337+0.21 EUR
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PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
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PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
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PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLB.pdf
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PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-25MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS.pdf
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PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX PSMN6R4-30MLD.pdf
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PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC.pdf
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PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
PSMN6R5-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
31+2.36 EUR
32+2.23 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSD.pdf
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PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN6R9-100YSFX PSMN6R9-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100PS.pdf
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PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
134+0.53 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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PSMN7R0-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
52+1.40 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
500+1.13 EUR
1500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.70 EUR
59+1.22 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
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PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 309A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-80YLX PSMN8R0-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
56+1.30 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDX PSMN8R5-40MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
55+1.30 EUR
69+1.05 EUR
73+0.99 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
PSMN8R7-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
28+2.56 EUR
250+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R1-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R5-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R5-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN9R8-30MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHX PSMNR51-25YLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 380A
Pulsed drain current: 2174A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Pulsed drain current: 2237A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHX PSMNR58-30YLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 347A
Pulsed drain current: 1960A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHX PSMNR60-25YLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1758A
Power dissipation: 268W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHX PSMNR70-30YLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 268W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 157nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1589A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 202nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1983A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-30BL,118 PSMNR90-30BL.pdf
PSMNR90-30BL,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 243nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1613A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAX PSMNR90-50SLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSSI2021SAY,115 PSSI2021SAY-DTE.pdf
PSSI2021SAY,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; CV/CC controller; SOT353; 50mA; 5÷75VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: CV/CC controller
Case: SOT353
Output current: 50mA
Supply voltage: 5...75V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Application: for LED applications
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
168+0.43 EUR
222+0.32 EUR
334+0.21 EUR
353+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS10VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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319+0.22 EUR
337+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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