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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN014-80YLX NEXPERIA PSMN014-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 44A; Idm: 250A; 147W
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56.9nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081498BD1234259&compId=PSMN015-100B.pdf?ci_sign=23cb211074995b9d51147ac5ed09c42048ea0664 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100YLX NEXPERIA PSMN015-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
45+1.62 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 NEXPERIA PSMN016-100BS.pdf PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 NEXPERIA PSMN016-100YS.pdf PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30BL,118 NEXPERIA PSMN017-30BL.pdf PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
117+0.62 EUR
123+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118 NEXPERIA PSMN017-80BS.pdf PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLX NEXPERIA PSMN019-100YL.pdf PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCX NEXPERIA PSMN020-30MLC.pdf PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX NEXPERIA PSMN021-100YL.pdf PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118 NEXPERIA PSMN022-30BL.pdf PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127 NEXPERIA PSMN022-30PL.pdf PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118 NEXPERIA PSMN025-100D.pdf PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLX NEXPERIA PSMN025-80YL.pdf PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118 NEXPERIA PSMN027-100BS.pdf PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 NEXPERIA PSMN028-100YS.pdf PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P,127 PSMN030-150P,127 NEXPERIA PSMN030-150P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 NEXPERIA PSMN034-100BS.pdf PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
89+0.8 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX NEXPERIA PSMN040-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 NEXPERIA PSMN045-80YS.pdf PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 NEXPERIA PSMN057-200B.pdf PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PSMN059-150Y.pdf PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115 NEXPERIA PSMN069-100YS.pdf PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX NEXPERIA PSMN075-100MSE.pdf PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX NEXPERIA PSMN0R9-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDX NEXPERIA PSMN0R9-30ULD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 227W
Case: SOT1023A
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
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PSMN102-200Y,115 NEXPERIA PSMN102-200Y.pdf PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R0-25YLDX NEXPERIA PSMN1R0-25YLD.pdf PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
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PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
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PSMN1R0-40ULDX NEXPERIA PSMN1R0-40ULD.pdf PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
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PSMN1R0-40YLDX NEXPERIA PSMN1R0-40YLD.pdf PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R0-40YSHX NEXPERIA PSMN1R0-40YSH.pdf PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
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PSMN1R1-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R1-25YLC.pdf PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
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13+5.78 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
100+3.8 EUR
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PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YL,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YL.pdf PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
1500+0.64 EUR
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PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-30YLC.pdf PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLDX NEXPERIA PSMN1R2-30YLD.pdf PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 44A; Idm: 250A; 147W
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56.9nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN015-100B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081498BD1234259&compId=PSMN015-100B.pdf?ci_sign=23cb211074995b9d51147ac5ed09c42048ea0664
PSMN015-100B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN015-100YLX PSMN015-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
45+1.62 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN017-30BL,118 PSMN017-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
117+0.62 EUR
123+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLX PSMN019-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118 PSMN022-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127 PSMN022-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118 PSMN025-100D.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLX PSMN025-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
PSMN027-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P,127 PSMN030-150P.pdf
PSMN030-150P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
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61+1.17 EUR
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125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
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63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
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PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
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20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSE.pdf
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PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
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38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 227W
Case: SOT1023A
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
33+2.22 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
34+2.16 EUR
42+1.72 EUR
44+1.63 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40ULD.pdf
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PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.78 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
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PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC.pdf
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PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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