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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN025-100D,118 NEXPERIA PSMN025-100D.pdf PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
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PSMN025-80YLX NEXPERIA PSMN025-80YL.pdf PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
142+0.5 EUR
148+0.48 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118 NEXPERIA PSMN027-100BS.pdf PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 NEXPERIA PSMN028-100YS.pdf PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P,127 PSMN030-150P,127 NEXPERIA PSMN030-150P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
117+0.62 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 NEXPERIA PSMN034-100BS.pdf PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEX NEXPERIA PSMN040-100MSE.pdf PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115 NEXPERIA PSMN045-80YS.pdf PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118 NEXPERIA PSMN057-200B.pdf PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PSMN059-150Y.pdf PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN069-100YS,115 NEXPERIA PSMN069-100YS.pdf PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX NEXPERIA PSMN075-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.4nC
On-state resistance: 57mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 74A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX NEXPERIA PSMN0R9-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDX NEXPERIA PSMN0R9-30ULD.pdf PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
29+2.52 EUR
30+2.4 EUR
32+2.26 EUR
33+2.23 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 NEXPERIA PSMN102-200Y.pdf PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDX NEXPERIA PSMN1R0-25YLD.pdf PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
44+1.63 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
46+1.59 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDX NEXPERIA PSMN1R0-40ULD.pdf PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDX NEXPERIA PSMN1R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHX NEXPERIA PSMN1R0-40YSH.pdf PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R1-25YLC.pdf PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YL,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YL.pdf PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
64+1.13 EUR
74+0.98 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-30YLC.pdf PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX NEXPERIA PSMN1R2-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.05mΩ
Power dissipation: 194W
Drain current: 209A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1181A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA PSMN1R2-55SLH.pdf PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R3-30YL.pdf PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDX NEXPERIA PSMN1R4-30YLD.pdf PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDX NEXPERIA PSMN1R4-40YLD.pdf PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Power dissipation: 401W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 228nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1521A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN1R5-40PS.pdf PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN1R5-40YSDX NEXPERIA PSMN1R5-40YSD.pdf PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30BL,118 NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W
Power dissipation: 306W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 212nC
On-state resistance: 2.21mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1268A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R6-30MLHX NEXPERIA PSMN1R6-30MLH.pdf PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX NEXPERIA PSMN1R7-25YLD.pdf PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA PSMN1R7-40YLD.pdf PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
22+3.36 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
26+2.76 EUR
40+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHX NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA PSMN1R8-40YLC.pdf PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40PLQ NEXPERIA PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN025-100D,118 PSMN025-100D.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
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PSMN025-80YLX PSMN025-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
142+0.5 EUR
148+0.48 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
PSMN027-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN030-150P,127 PSMN030-150P.pdf
PSMN030-150P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
117+0.62 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN057-200B,118 PSMN057-200B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.4nC
On-state resistance: 57mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 74A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
29+2.52 EUR
30+2.4 EUR
32+2.26 EUR
33+2.23 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
44+1.63 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
46+1.59 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40ULD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
64+1.13 EUR
74+0.98 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.05mΩ
Power dissipation: 194W
Drain current: 209A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1181A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Power dissipation: 401W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 228nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1521A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W
Power dissipation: 306W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 212nC
On-state resistance: 2.21mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 1268A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
22+3.36 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
26+2.76 EUR
40+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40PLQ PSMN1R9-40PL.pdf
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PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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