Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN3R0-60BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 824A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN3R2-40YLDX | NEXPERIA |
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PSMN3R3-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN3R3-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 546A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R3-60PLQ | NEXPERIA |
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PSMN3R3-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R3-80PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN3R4-30BL,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R4-30PL,127 | NEXPERIA |
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PSMN3R5-25MLDX | NEXPERIA |
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PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN3R5-40YSDX | NEXPERIA |
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PSMN3R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Gate charge: 139nC On-state resistance: 7.2mΩ Power dissipation: 338W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 803A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R5-80YSFX | NEXPERIA |
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PSMN3R7-100BSEJ | NEXPERIA |
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PSMN3R8-100BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R9-100YSFX | NEXPERIA |
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PSMN3R9-25MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R9-60PSQ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Pulsed drain current: 705A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.94mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-25YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 69W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
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PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-60YS,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R1-30YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R1-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 593A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R2-30MLDX | NEXPERIA |
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PSMN4R2-40VSHX | NEXPERIA |
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PSMN4R2-60PLQ | NEXPERIA |
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PSMN4R2-80YSEX | NEXPERIA |
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PSMN4R3-100PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R3-30BL,118 | NEXPERIA |
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PSMN4R3-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 465A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 41.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R3-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN4R3-40MSHX | NEXPERIA |
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PSMN4R3-80PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R4-30MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R4-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R5-40BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN4R5-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 42.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 545A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 565A Power dissipation: 211W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R6-60PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R8-100BSEJ | NEXPERIA |
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PSMN4R8-100PSEQ | NEXPERIA |
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PSMN4R8-100YSEX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-100PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN5R0-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-40MSHX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN5R0-80PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN5R2-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 78.4nC On-state resistance: 4.6mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 479A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN5R3-25MLDX | NEXPERIA |
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PSMN5R4-25YLDX | NEXPERIA |
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PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 74A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2821 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN5R6-100BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN5R6-100PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN5R6-60YLX | NEXPERIA |
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PSMN5R8-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
PSMN3R0-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R0-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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16+ | 4.72 EUR |
17+ | 4.36 EUR |
20+ | 3.65 EUR |
21+ | 3.45 EUR |
250+ | 3.32 EUR |
PSMN3R2-40YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R3-40MLHX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R3-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 546A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 546A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R3-60PLQ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R3-80BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R3-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R4-30BL,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R4-30PL,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R4-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN3R4-30PL.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R5-25MLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R5-30YL,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
72+ | 1 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
PSMN3R5-40YSDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R5-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R5-80YSFX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R7-100BSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R7-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN3R8-100BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R8-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-100YSFX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN3R9-25MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-60PSQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
28+ | 2.6 EUR |
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250+ | 2.4 EUR |
PSMN4R0-25YLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R0-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R0-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R0-40YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 0.87 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
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PSMN4R0-40YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
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---|---|
82+ | 0.87 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
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PSMN4R0-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-30YLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
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500+ | 0.99 EUR |
PSMN4R2-30MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R2-40VSHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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PSMN4R2-60PLQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN4R2-80YSEX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-100PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R3-30BL,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R3-30PL,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R3-40MLHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-40MSHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN4R3-80PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN4R4-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN4R4-80BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.65 EUR |
22+ | 3.35 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
100+ | 2.52 EUR |
PSMN4R5-40BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R5-40PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 545A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 545A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.77 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
PSMN4R6-60PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100BSEJ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN4R8-100BSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100PSEQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100YSEX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R0-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-40MLHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-40MSHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-80BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R2-60YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.4nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.4nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R3-25MLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R4-25YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
PSMN5R6-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R6-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R6-60YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R8-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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