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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN039-100YS,115 NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN040-100MSEX NEXPERIA PSMN040-100MSE.pdf PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
84+0.85 EUR
121+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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PSMN045-80YS,115 NEXPERIA PSMN045-80YS.pdf PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN057-200B,118 NEXPERIA PSMN057-200B.pdf PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PSMN059-150Y.pdf PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN069-100YS,115 NEXPERIA PSMN069-100YS.pdf PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN075-100MSEX NEXPERIA PSMN075-100MSE.pdf PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
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PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
32+2.25 EUR
38+1.92 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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PSMN0R9-25YLDX NEXPERIA PSMN0R9-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN0R9-30ULDX NEXPERIA PSMN0R9-30ULD.pdf PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 109nC
On-state resistance: 1.44mΩ
Power dissipation: 291W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 1.8kA
Drain current: 284A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
49+1.49 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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PSMN102-200Y,115 NEXPERIA PSMN102-200Y.pdf PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R0-25YLDX NEXPERIA PSMN1R0-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 216A
Pulsed drain current: 1226A
Power dissipation: 160W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R0-40ULDX NEXPERIA PSMN1R0-40ULD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R0-40YLDX NEXPERIA PSMN1R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHX NEXPERIA PSMN1R0-40YSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 277A
Pulsed drain current: 1564A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R1-25YLC.pdf PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YL,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YL.pdf PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
47+1.54 EUR
54+1.34 EUR
65+1.12 EUR
100+0.87 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-30YLC.pdf PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX NEXPERIA PSMN1R2-30YLD.pdf PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA PSMN1R2-55SLH.pdf PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R3-30YL.pdf PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDX NEXPERIA PSMN1R4-30YLD.pdf PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDX NEXPERIA PSMN1R4-40YLD.pdf PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30BLEJ NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN1R5-40PS.pdf PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDX NEXPERIA PSMN1R5-40YSD.pdf PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118 NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHX NEXPERIA PSMN1R6-30MLH.pdf PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX NEXPERIA PSMN1R7-25YLD.pdf PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA PSMN1R7-40YLD.pdf PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
23+3.25 EUR
24+2.99 EUR
25+2.87 EUR
27+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHX NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA PSMN1R8-40YLC.pdf PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40PLQ NEXPERIA PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN1R9-40YSDX NEXPERIA PSMN1R9-40YSD.pdf PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R9-80SSEJ NEXPERIA PSMN1R9-80SSE.pdf PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-100SSFJ NEXPERIA PSMN2R0-100SSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 189A; Idm: 1070A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 189A
Pulsed drain current: 1070A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 242nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN2R0-25MLDX NEXPERIA PSMN2R0-25MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 555A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-25YLDX NEXPERIA PSMN2R0-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 115W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.1nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLDX NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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PSMN2R0-40YLDX NEXPERIA PSMN2R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
Pulsed drain current: 807A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C3E0721B4259&compId=PSMN2R0-60PS.pdf?ci_sign=9a12f046de64cedf03626497dfa1d84f302326f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
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PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
84+0.85 EUR
121+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN057-200B,118 PSMN057-200B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
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PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
32+2.25 EUR
38+1.92 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 109nC
On-state resistance: 1.44mΩ
Power dissipation: 291W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 1.8kA
Drain current: 284A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
49+1.49 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 216A
Pulsed drain current: 1226A
Power dissipation: 160W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40ULD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 277A
Pulsed drain current: 1564A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
50+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
47+1.54 EUR
54+1.34 EUR
65+1.12 EUR
100+0.87 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDX PSMN1R4-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R5-40PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDX PSMN1R5-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX PSMN1R7-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
23+3.25 EUR
24+2.99 EUR
25+2.87 EUR
27+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40PLQ PSMN1R9-40PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN1R9-40YSDX PSMN1R9-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R9-80SSEJ PSMN1R9-80SSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-100SSFJ PSMN2R0-100SSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 189A; Idm: 1070A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 189A
Pulsed drain current: 1070A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 242nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 555A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-25YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 115W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.1nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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PSMN2R0-40YLDX PSMN2R0-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
Pulsed drain current: 807A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-60PS,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C3E0721B4259&compId=PSMN2R0-60PS.pdf?ci_sign=9a12f046de64cedf03626497dfa1d84f302326f4
PSMN2R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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