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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMV50XNEAR NEXPERIA PMV50XNEA.pdf PMV50XNEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XPR NEXPERIA PMV50XP.pdf PMV50XPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1908 Stücke:
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171+0.42 EUR
408+0.18 EUR
431+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV52ENEAR NEXPERIA PMV52ENEA.pdf PMV52ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV55ENEAR NEXPERIA PMV55ENEA.pdf PMV55ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV60ENEAR NEXPERIA PMV60ENEA.pdf PMV60ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65ENEAR NEXPERIA PMV65ENEA.pdf PMV65ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65UNEAR PMV65UNEAR NEXPERIA PMV65UNEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65UNER PMV65UNER NEXPERIA PMV65UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
157+0.46 EUR
197+0.36 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XP,215 PMV65XP,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A075995330E747&compId=PMV65XP.pdf?ci_sign=d3bcc7c559a77ac56d54c2295b14182eacf29bea Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 833mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
321+0.22 EUR
385+0.19 EUR
612+0.12 EUR
648+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPEAR PMV65XPEAR NEXPERIA PMV65XPEA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
178+0.4 EUR
248+0.29 EUR
360+0.2 EUR
379+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPER PMV65XPER NEXPERIA PMV65XPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
208+0.34 EUR
263+0.27 EUR
297+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPVL PMV65XPVL NEXPERIA PMV65XP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV74EPER NEXPERIA PMV74EPE.pdf PMV74EPER SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV75UP,215 NEXPERIA PMV75UP.pdf PMV75UP.215 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV88ENEAR NEXPERIA PMV88ENEA.pdf PMV88ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV88ENER NEXPERIA PMV88ENE.pdf PMV88ENER SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV90ENER PMV90ENER NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
227+0.32 EUR
388+0.18 EUR
633+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZ NEXPERIA PMXB120EPE.pdf PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZ NEXPERIA PMXB350UPE.pdf PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZ NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZ NEXPERIA PMXB40UNE.pdf PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZ NEXPERIA PMXB43UNE.pdf PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZ NEXPERIA PMXB56EN.pdf PMXB56ENZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZ NEXPERIA PMXB65ENE.pdf PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZ NEXPERIA PMXB65UPE.pdf PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZ NEXPERIA PMXB75UPE.pdf PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1000UN,315 NEXPERIA PMZ1000UN.pdf PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1200UPEYL NEXPERIA PMZ1200UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ130UNEYL NEXPERIA PMZ130UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL NEXPERIA PMZ200UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ290UNE2YL NEXPERIA PMZ290UNE2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ320UPEYL NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
338+0.21 EUR
612+0.12 EUR
1060+0.067 EUR
1122+0.064 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ370UNEYL NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UN,315 NEXPERIA PMZ390UN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYL NEXPERIA PMZ550UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYL NEXPERIA PMZ600UNEL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEYL NEXPERIA PMZ600UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZ NEXPERIA PMZ600UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYL NEXPERIA PMZ950UPEL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYL NEXPERIA PMZ950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB1200UPEYL NEXPERIA PMZB1200UPE.pdf PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB150UNEYL NEXPERIA PMZB150UNE.pdf PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYL NEXPERIA PMZB200UNE.pdf PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.41 EUR
1067+0.067 EUR
1128+0.063 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYL NEXPERIA PMZB320UPE.pdf PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315 NEXPERIA PMZB350UPE.pdf PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYL NEXPERIA PMZB390UNE.pdf PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYL NEXPERIA PMZB550UNE.pdf PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYL NEXPERIA PMZB600UNEL.pdf PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315 NEXPERIA PMZB670UPE.pdf PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYL NEXPERIA PMZB950UPE.pdf PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PNE20010ERX PNE20010ERX NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC823B822E3FE0C4&compId=PNE20010ERX.pdf?ci_sign=679c6b91e47ddc7539236a1b4d8e558d76a6a5fd Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 25ns; SOD123W; Ufmax: 0.93V; 1.43W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 38A
Power dissipation: 1.43W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.12 EUR
100+0.72 EUR
237+0.3 EUR
651+0.11 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD10Z NEXPERIA PQMD10.pdf PQMD10Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD12Z NEXPERIA NEXP-S-A0003059963-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PQMD12Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD16Z NEXPERIA PQMD16.pdf PQMD16Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PQMD3Z NEXPERIA PQMD3.pdf PQMD3Z Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
168+0.43 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
235+0.3 EUR
269+0.27 EUR
282+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XNEAR PMV50XNEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV50XNEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XPR PMV50XP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.42 EUR
408+0.18 EUR
431+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV52ENEAR PMV52ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV52ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV55ENEAR PMV55ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV60ENEAR PMV60ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65ENEAR PMV65ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65UNEAR PMV65UNEA.pdf
PMV65UNEAR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65UNER PMV65UNE.pdf
PMV65UNER
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
157+0.46 EUR
197+0.36 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XP,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A075995330E747&compId=PMV65XP.pdf?ci_sign=d3bcc7c559a77ac56d54c2295b14182eacf29bea
PMV65XP,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 833mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
321+0.22 EUR
385+0.19 EUR
612+0.12 EUR
648+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
178+0.4 EUR
248+0.29 EUR
360+0.2 EUR
379+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
PMV65XPER
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
208+0.34 EUR
263+0.27 EUR
297+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPVL PMV65XP.pdf
PMV65XPVL
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV74EPER PMV74EPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV74EPER SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV75UP,215 PMV75UP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV88ENEAR PMV88ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV88ENER PMV88ENE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENER SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
227+0.32 EUR
388+0.18 EUR
633+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZ PMXB120EPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZ PMXB350UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZ PMXB40UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZ PMXB43UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZ PMXB56EN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZ PMXB65ENE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZ PMXB65UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZ PMXB75UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1000UN,315 PMZ1000UN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ1200UPEYL PMZ1200UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ350UPEYL PMZ350UPE.pdf
PMZ350UPEYL
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
338+0.21 EUR
612+0.12 EUR
1060+0.067 EUR
1122+0.064 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ370UNEYL PMZ370UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UN,315 PMZ390UN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYL PMZ600UNEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEYL PMZ600UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZ PMZ600UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYL PMZ950UPEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYL PMZ950UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
auf Bestellung 7205 Stücke:
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Anzahl Preis
177+0.41 EUR
1067+0.067 EUR
1128+0.063 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PNE20010ERX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC823B822E3FE0C4&compId=PNE20010ERX.pdf?ci_sign=679c6b91e47ddc7539236a1b4d8e558d76a6a5fd
PNE20010ERX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 25ns; SOD123W; Ufmax: 0.93V; 1.43W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 38A
Power dissipation: 1.43W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PNS40010ER,115 PNS40010ER.pdf
PNS40010ER,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.12 EUR
100+0.72 EUR
237+0.3 EUR
651+0.11 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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PQMD10Z PQMD10.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
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PQMD12Z NEXP-S-A0003059963-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
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PQMD16Z PQMD16.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
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PQMD3Z PQMD3.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
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PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
PRTR5V0U2AX,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
168+0.43 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf
PRTR5V0U2F,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
235+0.3 EUR
269+0.27 EUR
282+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 235
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