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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN2R0-25YLDX NEXPERIA PSMN2R0-25YLD.pdf PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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PSMN2R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YL.pdf PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLDX NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
100+1.14 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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PSMN2R0-40YLDX NEXPERIA PSMN2R0-40YLD.pdf PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN2R0-60PS.pdf PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ NEXPERIA PSMN2R0-60PSR.pdf PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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PSMN2R1-40PLQ NEXPERIA PSMN2R1-40PL.pdf PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-25YLC.pdf PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
61+1.19 EUR
70+1.03 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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PSMN2R2-40BS,118 NEXPERIA PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R2-40PS.pdf PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R2-40YSDX NEXPERIA PSMN2R2-40YSD.pdf PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX NEXPERIA PSMN2R4-30MLD.pdf PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30YLDX NEXPERIA PSMN2R4-30YLD.pdf PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX NEXPERIA PSMN2R5-40YLD.pdf PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf PSMN2R6-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-60PSQ NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA PSMN2R7-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 730A; 170W
Power dissipation: 170W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 730A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R7-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R7-30PL.pdf PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL NEXPERIA PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 NEXPERIA PSMN2R8-25MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 70A; Idm: 536A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R8-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 797A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R8-40YSDX NEXPERIA PSMN2R8-40YSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R9-25YLC.pdf PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN3R0-30MLC.pdf PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R0-30YL.pdf PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA PSMN3R0-60BS.pdf PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.64 EUR
21+3.44 EUR
250+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PSMN3R2-40YLDX NEXPERIA PSMN3R2-40YLD.pdf PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40MLHX NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40YS,115 NEXPERIA PSMN3R3-40YS.pdf PSMN3R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-60PLQ NEXPERIA PSMN3R3-60PL.pdf PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN3R3-80BS,118 NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R3-80PS.pdf PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN3R4-30BL,118 NEXPERIA PSMN3R4-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 465A; 103W
Power dissipation: 103W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 465A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL,127 NEXPERIA PSMN3R4-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R5-25MLDX NEXPERIA PSMN3R5-25MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 405A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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PSMN3R5-40YSDX NEXPERIA PSMN3R5-40YSD.pdf PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80YSFX NEXPERIA PSMN3R5-80YSF.pdf PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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PSMN3R7-100BSEJ NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf PSMN3R7-100BSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 NEXPERIA PSMN3R8-100BS.pdf PSMN3R8-100BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf PSMN3R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN3R9-25MLC,115 NEXPERIA PSMN3R9-25MLC.pdf PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.25 EUR
28+2.59 EUR
30+2.45 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN4R0-25YLC,115 NEXPERIA PSMN4R0-25YLC.pdf PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN4R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf PSMN4R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
100+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
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PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
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36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
100+1.14 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
61+1.19 EUR
70+1.03 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
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PSMN2R2-40BS,118 PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 730A; 170W
Power dissipation: 170W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 730A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 70A; Idm: 536A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS.pdf
PSMN2R8-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 797A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.64 EUR
21+3.44 EUR
250+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS.pdf
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PSMN3R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 465A; 103W
Power dissipation: 103W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 465A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL.pdf
PSMN3R4-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDX PSMN3R5-25MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 405A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS.pdf
PSMN3R5-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R7-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R8-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-100YSFX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
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PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.25 EUR
28+2.59 EUR
30+2.45 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
86+0.84 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
100+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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86+0.84 EUR
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PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
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