Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMV50XNEAR | NEXPERIA |
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PMV50XPR | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV52ENEAR | NEXPERIA |
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PMV55ENEAR | NEXPERIA |
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PMV60ENEAR | NEXPERIA |
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PMV65ENEAR | NEXPERIA |
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PMV65UNEAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Gate charge: 6nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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PMV65UNER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 6nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13584 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV65XP,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 833mW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5694 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV65XPEAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV65XPER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV65XPVL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMV74EPER | NEXPERIA |
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PMV75UP,215 | NEXPERIA |
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PMV88ENEAR | NEXPERIA |
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PMV88ENER | NEXPERIA |
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PMV90ENER | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.5nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMXB120EPEZ | NEXPERIA |
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PMXB350UPEZ | NEXPERIA |
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PMXB360ENEAZ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC On-state resistance: 887mΩ Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 4.4A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Kind of package: reel; tape Case: DFN1010D-3; SOT1215 Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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PMXB40UNEZ | NEXPERIA |
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PMXB43UNEZ | NEXPERIA |
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PMXB56ENZ | NEXPERIA |
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PMXB65ENEZ | NEXPERIA |
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PMXB65UPEZ | NEXPERIA |
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PMXB75UPEZ | NEXPERIA |
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PMZ1000UN,315 | NEXPERIA |
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PMZ1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ130UNEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ200UNEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ320UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -700mA Pulsed drain current: -2.8A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8294 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMZ370UNEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A Pulsed drain current: 3.6A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ390UN,315 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 790mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ550UNEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.37A Pulsed drain current: 2.3A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ600UNELYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PMZ600UNEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.3A Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZ950UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.3A Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | NEXPERIA |
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PMZB150UNEYL | NEXPERIA |
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PMZB200UNEYL | NEXPERIA |
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PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
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auf Bestellung 7205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMZB320UPEYL | NEXPERIA |
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PMZB350UPE,315 | NEXPERIA |
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PMZB390UNEYL | NEXPERIA |
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PMZB550UNEYL | NEXPERIA |
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PMZB600UNELYL | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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PNE20010ERX | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 25ns; SOD123W; Ufmax: 0.93V; 1.43W Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD123W Max. forward voltage: 0.93V Max. forward impulse current: 38A Power dissipation: 1.43W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PNS40010ER,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V Type of diode: rectifying Case: SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 32A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.3W Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 1.8µs Leakage current: 0.5mA Max. forward voltage: 0.93V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PQMD10Z | NEXPERIA |
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PQMD12Z | NEXPERIA |
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PQMD16Z | NEXPERIA |
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PQMD3Z | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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PRTR5V0U2AX,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...9V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 0.1µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PRTR5V0U2F,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...9V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT886 Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 0.1µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV50XNEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
PMV50XNEAR SMD N channel transistors
PMV50XNEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV50XPR |
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Hersteller: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
PMV50XPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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171+ | 0.42 EUR |
408+ | 0.18 EUR |
431+ | 0.17 EUR |
PMV52ENEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
PMV52ENEAR SMD N channel transistors
PMV52ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV55ENEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV60ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65UNEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV65UNER |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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132+ | 0.54 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
197+ | 0.36 EUR |
262+ | 0.27 EUR |
500+ | 0.25 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
3000+ | 0.22 EUR |
PMV65XP,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 833mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 833mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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167+ | 0.43 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
612+ | 0.12 EUR |
648+ | 0.11 EUR |
PMV65XPEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
178+ | 0.4 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
500+ | 0.18 EUR |
PMV65XPER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
143+ | 0.5 EUR |
208+ | 0.34 EUR |
263+ | 0.27 EUR |
297+ | 0.24 EUR |
PMV65XPVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV74EPER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV74EPER SMD P channel transistors
PMV74EPER SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV75UP,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV88ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV88ENER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMV88ENER SMD N channel transistors
PMV88ENER SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMV90ENER |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
633+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.1 EUR |
PMXB120EPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB350UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB360ENEAZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB40UNEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB43UNEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB56ENZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB65ENEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB65UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMXB75UPEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ1000UN,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ1200UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ130UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ200UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ290UNE2YL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ320UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ350UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
285+ | 0.25 EUR |
338+ | 0.21 EUR |
612+ | 0.12 EUR |
1060+ | 0.067 EUR |
1122+ | 0.064 EUR |
30000+ | 0.062 EUR |
PMZ370UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ390UN,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ550UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ600UNELYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ600UNEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PMZ600UNEZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ950UPELYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ950UPEYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZB1200UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB150UNEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB200UNEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB290UNE2YL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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177+ | 0.41 EUR |
1067+ | 0.067 EUR |
1128+ | 0.063 EUR |
10000+ | 0.061 EUR |
PMZB320UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
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PMZB350UPE,315 |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB390UNEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB550UNEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
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PMZB600UNELYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
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PMZB670UPE,315 |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
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PMZB950UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
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PNE20010ERX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 25ns; SOD123W; Ufmax: 0.93V; 1.43W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 38A
Power dissipation: 1.43W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 25ns; SOD123W; Ufmax: 0.93V; 1.43W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 38A
Power dissipation: 1.43W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PNS40010ER,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
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auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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64+ | 1.12 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
237+ | 0.3 EUR |
651+ | 0.11 EUR |
9000+ | 0.064 EUR |
PQMD10Z |
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Hersteller: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
PQMD10Z Complementary transistors
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PQMD12Z |
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Hersteller: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
PQMD12Z Complementary transistors
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Stück im Wert von UAH
PQMD16Z |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
PQMD16Z Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PQMD3Z |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
PQMD3Z Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PRTR5V0U2AX,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 0.51 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
286+ | 0.25 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
PRTR5V0U2F,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
235+ | 0.3 EUR |
269+ | 0.27 EUR |
282+ | 0.25 EUR |
305+ | 0.23 EUR |