Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN4R3-30BL,118 | NEXPERIA |
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PSMN4R3-30PL,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R3-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN4R3-40MSHX | NEXPERIA |
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PSMN4R3-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 688A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R4-30MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R4-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R5-40BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN4R5-40PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 565A Power dissipation: 211W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R6-60PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN4R8-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 405W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 278nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R8-100PSEQ | NEXPERIA |
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PSMN4R8-100YSEX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 622A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN5R0-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-40MSHX | NEXPERIA |
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PSMN5R0-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN5R0-80PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN5R2-60YLX | NEXPERIA |
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PSMN5R3-25MLDX | NEXPERIA |
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PSMN5R4-25YLDX | NEXPERIA |
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PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 74A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2819 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN5R6-100BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN5R6-100PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN5R6-60YLX | NEXPERIA |
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PSMN5R8-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN6R0-25YLB,115 | NEXPERIA |
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PSMN6R0-25YLDX | NEXPERIA |
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PSMN6R0-30YL,115 | NEXPERIA |
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PSMN6R0-30YLDX | NEXPERIA |
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PSMN6R1-25MLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A Pulsed drain current: 235A Power dissipation: 42W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN6R1-30YLDX | NEXPERIA |
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PSMN6R3-120PS | NEXPERIA |
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PSMN6R4-30MLDX | NEXPERIA |
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PSMN6R5-25YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN6R5-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 470A Power dissipation: 210W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN6R7-40MLDX | NEXPERIA |
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PSMN6R7-40MSDX | NEXPERIA |
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PSMN6R9-100YSFX | NEXPERIA |
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PSMN7R0-100BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN7R0-100PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN7R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
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PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 63A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R5-30MLDX | NEXPERIA |
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PSMN7R5-30YLDX | NEXPERIA |
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PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 346A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 19.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R6-100BSEJ | NEXPERIA |
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PSMN7R6-60BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN7R6-60PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN7R8-100PSEQ | NEXPERIA |
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PSMN8R0-40BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN8R0-80YLX | NEXPERIA |
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PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN8R3-40YS,115 | NEXPERIA |
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PSMN8R5-100PSQ | NEXPERIA |
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PSMN4R3-30BL,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R3-30PL,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R3-40MLHX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R3-40MSHX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R3-80PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 688A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 688A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R4-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PSMN4R4-80BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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15+ | 4.98 EUR |
16+ | 4.58 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
25+ | 3.73 EUR |
100+ | 3.45 EUR |
PSMN4R5-40BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R5-40PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R5-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN4R5-40PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 2.77 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
PSMN4R6-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100BSEJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100PSEQ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R8-100YSEX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 622A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 622A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN5R0-40MLHX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-40MSHX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80BS,118 |
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PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80PS,127 |
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PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R2-60YLX |
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PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R3-25MLDX |
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PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R4-25YLDX |
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PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN5R6-100BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R6-100PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R6-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R8-40YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
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PSMN6R0-25YLB,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX |
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PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL,115 |
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PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YLDX |
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PSMN6R1-25MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN6R1-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX |
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PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC,115 |
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PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS,118 |
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PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
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18+ | 3.99 EUR |
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PSMN6R7-40MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R7-40MSDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN6R9-100YSFX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 1406 Stücke:
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73+ | 0.99 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
PSMN7R0-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.29 EUR |
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47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
PSMN7R5-30MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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35+ | 2.1 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
250+ | 1.47 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1500+ | 1.26 EUR |
PSMN7R6-100BSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN7R6-60BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN7R6-60PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN7R8-100PSEQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN8R0-40BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN8R0-40PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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44+ | 1.63 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
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PSMN8R0-80YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN8R2-80YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
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---|---|
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
PSMN8R3-40YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN8R5-100PSQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH