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PSMN4R3-40MLHX NEXPERIA PSMN4R3-40MLH.pdf PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-40MSHX NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 688A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R4-30MLC,115 NEXPERIA PSMN4R4-30MLC.pdf PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.98 EUR
16+4.58 EUR
17+4.23 EUR
25+3.73 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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PSMN4R5-40BS,118 NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN4R5-40PS.pdf PSMN4R5-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
36+2.03 EUR
45+1.62 EUR
48+1.52 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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PSMN4R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN4R6-60PS.pdf PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780815D2565E7A259&compId=PSMN4R8-100BSE.pdf?ci_sign=3fb82daffe14b70cb909ddfa8d5c544863f9d5e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN4R8-100PSE.pdf PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
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PSMN4R8-100YSEX NEXPERIA PSMN4R8-100YSE.pdf PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 622A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN5R0-40MLHX NEXPERIA PSMN5R0-40MLH.pdf PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-40MSHX NEXPERIA PSMN5R0-40MSH.pdf PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80BS,118 NEXPERIA PSMN5R0-80BS.pdf PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-80PS.pdf PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R2-60YLX NEXPERIA PSMN5R2-60YL.pdf PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R3-25MLDX NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R4-25YLDX NEXPERIA PSMN5R4-25YLD.pdf PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780819F6B5A85C259&compId=PSMN5R5-60YS.pdf?ci_sign=7e0d1b7966d5f68f7609a25c4f69cb1d2e262d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
35+2.04 EUR
40+1.79 EUR
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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PSMN5R6-100BS,118 NEXPERIA PSMN5R6-100BS.pdf PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R6-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R6-100PS.pdf PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
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PSMN5R8-40YS,115 NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R0-25YLB,115 NEXPERIA PSMN6R0-25YLB.pdf PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX NEXPERIA PSMN6R0-25YLD.pdf PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN6R0-30YL.pdf PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YLDX NEXPERIA PSMN6R0-30YLD.pdf PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R1-25MLDX NEXPERIA PSMN6R1-25MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R1-30YLDX NEXPERIA PSMN6R1-30YLD.pdf PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS NEXPERIA PSMN6R3-120PS.pdf PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX NEXPERIA PSMN6R4-30MLD.pdf PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC,115 NEXPERIA PSMN6R5-25YLC.pdf PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS,118 NEXPERIA PSMN6R5-80BS.pdf PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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PSMN6R7-40MLDX NEXPERIA PSMN6R7-40MLD.pdf PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R7-40MSDX NEXPERIA PSMN6R7-40MSD.pdf PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN6R9-100YSFX NEXPERIA PSMN6R9-100YSF.pdf PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100BS,118 NEXPERIA PSMN7R0-100BS.pdf PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN7R0-100PS.pdf PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30MLC.pdf PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
89+0.81 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30MLDX NEXPERIA PSMN7R5-30MLD.pdf PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-30YLDX NEXPERIA PSMN7R5-30YLD.pdf PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
41+1.77 EUR
100+1.59 EUR
250+1.47 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA PSMN7R6-100BSE.pdf PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN7R6-60BS.pdf PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN7R6-60PS.pdf PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN7R8-100PSE.pdf PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
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PSMN8R0-40BS,118 NEXPERIA PSMN8R0-40BS.pdf PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
100+1.12 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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PSMN8R0-80YLX NEXPERIA PSMN8R0-80YL.pdf PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
41+1.74 EUR
46+1.56 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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PSMN8R3-40YS,115 NEXPERIA PSMN8R3-40YS.pdf PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN8R5-100PSQ NEXPERIA PSMN8R5-100PS.pdf PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
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PSMN8R5-40MLDX NEXPERIA PSMN8R5-40MLD.pdf PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN8R5-40MSDX NEXPERIA PSMN8R5-40MSD.pdf PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-40MLHX PSMN4R3-40MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R3-80PS.pdf
PSMN4R3-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 688A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R4-80BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R6-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R8-100BSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN5R0-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 622A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
35+2.04 EUR
40+1.79 EUR
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
89+0.81 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b
PSMN7R0-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
41+1.77 EUR
100+1.59 EUR
250+1.47 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
100+1.12 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-80YLX PSMN8R0-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
41+1.74 EUR
46+1.56 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PS.pdf
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PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
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PSMN8R5-40MLDX PSMN8R5-40MLD.pdf
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PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSD.pdf
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PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
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