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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
47+1.54 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 366A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-60PLQ NEXPERIA PSMN4R2-60PL.pdf PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-100PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-100PS.pdf PSMN4R3-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-30BL,118 NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Power dissipation: 103W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 6.65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 465A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-30PL,127 NEXPERIA PSMN4R3-30PL.pdf PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MLHX NEXPERIA PSMN4R3-40MLH.pdf PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-40MSHX NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-80PS.pdf PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-30MLC,115 NEXPERIA PSMN4R4-30MLC.pdf PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
22+3.35 EUR
27+2.7 EUR
28+2.56 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R5-40BS,118 NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN4R5-40PS.pdf PSMN4R5-40PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
36+2.03 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN4R6-60PS.pdf PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA PSMN4R8-100BSE.pdf PSMN4R8-100BSEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN4R8-100PSE.pdf PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEX NEXPERIA PSMN4R8-100YSE.pdf PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-100PS.pdf PSMN5R0-100PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHX NEXPERIA PSMN5R0-40MLH.pdf PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHX NEXPERIA PSMN5R0-40MSH.pdf PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80BS,118 NEXPERIA PSMN5R0-80BS.pdf PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127 NEXPERIA PSMN5R0-80PS.pdf PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLX NEXPERIA PSMN5R2-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.4nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R3-25MLDX NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R4-25YLDX NEXPERIA PSMN5R4-25YLD.pdf PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780819F6B5A85C259&compId=PSMN5R5-60YS.pdf?ci_sign=7e0d1b7966d5f68f7609a25c4f69cb1d2e262d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
46+1.57 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100BS,118 NEXPERIA PSMN5R6-100BS.pdf PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100PS,127 NEXPERIA PSMN5R6-100PS.pdf PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115 NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115 NEXPERIA PSMN6R0-25YLB.pdf PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDX NEXPERIA PSMN6R0-25YLD.pdf PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN6R0-30YL.pdf PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDX NEXPERIA PSMN6R0-30YLD.pdf PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDX NEXPERIA PSMN6R1-25MLD.pdf PSMN6R1-25MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDX NEXPERIA PSMN6R1-30YLD.pdf PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PS NEXPERIA PSMN6R3-120PS.pdf PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDX NEXPERIA PSMN6R4-30MLD.pdf PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115 NEXPERIA PSMN6R5-25YLC.pdf PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118 NEXPERIA PSMN6R5-80BS.pdf PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
31+2.36 EUR
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDX NEXPERIA PSMN6R7-40MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 16.7mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 282A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDX NEXPERIA PSMN6R7-40MSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 282A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFX NEXPERIA PSMN6R9-100YSF.pdf PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118 NEXPERIA PSMN7R0-100BS.pdf PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127 NEXPERIA PSMN7R0-100PS.pdf PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30MLC.pdf PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
113+0.63 EUR
127+0.56 EUR
134+0.53 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30MLDX NEXPERIA PSMN7R5-30MLD.pdf PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30YLDX NEXPERIA PSMN7R5-30YLD.pdf PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA PSMN7R6-100BSE.pdf PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN7R6-60BS.pdf PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA PSMN7R6-60PS.pdf PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA PSMN7R8-100PSE.pdf PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
47+1.54 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 366A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Power dissipation: 103W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 6.65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 465A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN4R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R4-80BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
22+3.35 EUR
27+2.7 EUR
28+2.56 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN4R5-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN4R6-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
36+2.03 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
100+1.47 EUR
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PSMN4R8-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
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PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
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PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.4nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN5R5-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
46+1.57 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100BS.pdf
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PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLB.pdf
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PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R1-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS.pdf
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PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
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PSMN6R4-30MLDX PSMN6R4-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS.pdf
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PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
31+2.36 EUR
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 16.7mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 282A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 282A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFX PSMN6R9-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
113+0.63 EUR
127+0.56 EUR
134+0.53 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b
PSMN7R0-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R5-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS.pdf
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PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS.pdf
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PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSE.pdf
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