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PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
180+0.4 EUR
200+0.36 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
104+0.69 EUR
115+0.62 EUR
180+0.4 EUR
195+0.37 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
19+3.9 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.93 EUR
17+4.35 EUR
25+3.92 EUR
100+3.65 EUR
800+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 NEXPERIA PSMN005-75B.pdf PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN008-75B,118 NEXPERIA PSMN008-75B.pdf PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118 NEXPERIA PSMN009-100B.pdf PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX NEXPERIA PSMN011-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26.2A
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 152W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 NEXPERIA PSMN011-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 150A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 29W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX NEXPERIA PSMN011-60ML.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 242A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 242A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
68+1.07 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 NEXPERIA PSMN011-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 266A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLX NEXPERIA PSMN012-100YL.pdf PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
32+2.29 EUR
100+1.6 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
1500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX NEXPERIA PSMN012-60MS.pdf PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 NEXPERIA PSMN012-60YS.pdf PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118 NEXPERIA PSMN012-80BS.pdf PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
250+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
35+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.79 EUR
800+1.67 EUR
1600+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127 NEXPERIA PSMN013-100PS.pdf PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX NEXPERIA PSMN013-100YSE.pdf PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
142+0.51 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
61+1.18 EUR
100+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 NEXPERIA PSMN013-80YS.pdf PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 NEXPERIA PSMN014-40YS.pdf PSMN014-40YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX NEXPERIA PSMN014-80YL.pdf PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118 NEXPERIA PSMN015-100B.pdf PSMN015-100B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100YLX NEXPERIA PSMN015-100YL.pdf PSMN015-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
36+1.99 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
250+1.22 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
44+1.66 EUR
50+1.54 EUR
100+1.5 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 NEXPERIA PSMN016-100BS.pdf PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.7 EUR
25+2.92 EUR
50+2.52 EUR
100+2.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 NEXPERIA PSMN016-100YS.pdf PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN017-30BL,118 NEXPERIA PSMN017-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 154A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 47W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
63+1.15 EUR
77+0.93 EUR
122+0.59 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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PSMN017-80BS,118 NEXPERIA PSMN017-80BS.pdf PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.83 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
250+1.03 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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PSMN019-100YLX NEXPERIA PSMN019-100YL.pdf PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
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PSMN020-30MLCX NEXPERIA PSMN020-30MLC.pdf PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
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PSMN021-100YLX NEXPERIA PSMN021-100YL.pdf PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
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PSMN022-30BL,118 NEXPERIA PSMN022-30BL.pdf PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN022-30PL,127 NEXPERIA PSMN022-30PL.pdf PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN025-100D,118 NEXPERIA PSMN025-100D.pdf PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
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PSMN025-80YLX NEXPERIA PSMN025-80YL.pdf PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
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PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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PSMN027-100BS,118 NEXPERIA PSMN027-100BS.pdf PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf PSMN027-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 NEXPERIA PSMN028-100YS.pdf PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN030-150P,127 PSMN030-150P,127 NEXPERIA PSMN030-150P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118 NEXPERIA PSMN034-100BS.pdf PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
109+0.66 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115 NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2X,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea
PRTR5V0U2X,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
180+0.4 EUR
200+0.36 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2
PRTR5V0U4D,125
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
104+0.69 EUR
115+0.62 EUR
180+0.4 EUR
195+0.37 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147
PSC1065KQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
19+3.9 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.35 EUR
25+3.92 EUR
100+3.65 EUR
800+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118 PSMN005-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118 PSMN009-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26.2A
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 152W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 150A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 29W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 242A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 242A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
68+1.07 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 266A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLX PSMN012-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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24+3.07 EUR
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PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
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PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
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PSMN013-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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74+0.97 EUR
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96+0.75 EUR
142+0.51 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
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PSMN013-40VLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
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PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1365 Stücke:
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Anzahl Preis
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
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PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
36+1.99 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
250+1.22 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
44+1.66 EUR
50+1.54 EUR
100+1.5 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.7 EUR
25+2.92 EUR
50+2.52 EUR
100+2.35 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30BL,118 PSMN017-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 154A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 47W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
63+1.15 EUR
77+0.93 EUR
122+0.59 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
250+1.03 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLX PSMN019-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118 PSMN022-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127 PSMN022-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118 PSMN025-100D.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLX PSMN025-80YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN027-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P,127 PSMN030-150P.pdf
PSMN030-150P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
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PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
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