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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN2R0-60PSRQ NEXPERIA PSMN2R0-60PSR.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1135A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R1-40PLQ NEXPERIA PSMN2R1-40PL.pdf PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-25YLC.pdf PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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PSMN2R2-40BS,118 NEXPERIA PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R2-40PS,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C7AF53FD8259&compId=PSMN2R2-40PS.pdf?ci_sign=966b56384dfd5c0296dfa856d01245d564d45ccb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R2-40YSDX NEXPERIA PSMN2R2-40YSD.pdf PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX NEXPERIA PSMN2R4-30MLD.pdf PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30YLDX NEXPERIA PSMN2R4-30YLD.pdf PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX NEXPERIA PSMN2R5-40YLD.pdf PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf PSMN2R6-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-60PSQ NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA PSMN2R7-30BL.pdf PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R7-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R7-30PL.pdf PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL NEXPERIA PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 NEXPERIA PSMN2R8-25MLC.pdf PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R8-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R8-40PS.pdf PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R8-40YSDX NEXPERIA PSMN2R8-40YSD.pdf PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R9-25YLC.pdf PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN3R0-30MLC.pdf PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R0-30YL.pdf PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46.4nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 91W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA PSMN3R0-60BS.pdf PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
250+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PSMN3R2-40YLDX NEXPERIA PSMN3R2-40YLD.pdf PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40MLHX NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40YS,115 NEXPERIA PSMN3R3-40YS.pdf PSMN3R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-60PLQ NEXPERIA PSMN3R3-60PL.pdf PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN3R3-80BS,118 NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R3-80PS.pdf PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118 NEXPERIA PSMN3R4-30BL.pdf PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL,127 NEXPERIA PSMN3R4-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R5-25MLDX NEXPERIA PSMN3R5-25MLD.pdf PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDX NEXPERIA PSMN3R5-40YSD.pdf PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80YSFX NEXPERIA PSMN3R5-80YSF.pdf PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 246nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-25MLC,115 NEXPERIA PSMN3R9-25MLC.pdf PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
23+3.25 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-25YLC,115 NEXPERIA PSMN4R0-25YLC.pdf PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN4R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
122+0.59 EUR
134+0.53 EUR
140+0.51 EUR
200+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
100+1.07 EUR
500+1.03 EUR
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PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
100+1.07 EUR
500+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN4R0-60YS.pdf PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-30YLC,115 NEXPERIA PSMN4R1-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1264 Stücke:
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PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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PSMN4R2-60PLQ NEXPERIA PSMN4R2-60PL.pdf PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN4R2-80YSEX
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 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
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PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 673A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R3-30BL,118 NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSR.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1135A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R1-40PLQ PSMN2R1-40PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
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PSMN2R2-40BS,118 PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-40PS,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C7AF53FD8259&compId=PSMN2R2-40PS.pdf?ci_sign=966b56384dfd5c0296dfa856d01245d564d45ccb
PSMN2R2-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R2-40YSDX PSMN2R2-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30YLDX PSMN2R4-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX PSMN2R5-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-40YS.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46.4nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 91W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
250+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R3-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL.pdf
PSMN3R4-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDX PSMN3R5-25MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS.pdf
PSMN3R5-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 246nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R8-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad
PSMN3R8-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
23+3.25 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
122+0.59 EUR
134+0.53 EUR
140+0.51 EUR
200+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
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500+1.03 EUR
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PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1264 Stücke:
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Anzahl Preis
28+2.59 EUR
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500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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PSMN4R2-60PLQ PSMN4R2-60PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
200+1.79 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS.pdf
PSMN4R3-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 673A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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