Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN2R0-60PSRQ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 1135A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN2R1-40PLQ | NEXPERIA |
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PSMN2R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 55nC On-state resistance: 4.6mΩ Power dissipation: 141W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN2R2-40BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN2R2-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN2R2-40YSDX | NEXPERIA |
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PSMN2R4-30MLDX | NEXPERIA |
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PSMN2R4-30YLDX | NEXPERIA |
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PSMN2R5-30YL,115 | NEXPERIA |
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PSMN2R5-40YLDX | NEXPERIA |
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PSMN2R5-60PLQ | NEXPERIA |
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PSMN2R6-30YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN2R6-40YS,115 | NEXPERIA |
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PSMN2R6-60PSQ | NEXPERIA |
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PSMN2R7-30BL,118 | NEXPERIA |
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PSMN2R7-30PL,127 | NEXPERIA |
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PSMN2R7-30PL | NEXPERIA | PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors |
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PSMN2R8-25MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN2R8-40PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN2R8-40YSDX | NEXPERIA |
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PSMN2R8-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN2R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R0-30YL,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 46.4nC On-state resistance: 5.1mΩ Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 91W Drain current: 90A Pulsed drain current: 512A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R0-60BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 824A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN3R2-40YLDX | NEXPERIA |
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PSMN3R3-40MLHX | NEXPERIA |
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PSMN3R3-40YS,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R3-60PLQ | NEXPERIA |
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PSMN3R3-80BS,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R3-80PS,127 | NEXPERIA |
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PSMN3R4-30BL,118 | NEXPERIA |
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PSMN3R4-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 609A Power dissipation: 114W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R5-25MLDX | NEXPERIA |
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PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 447A Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 19nC On-state resistance: 3.37mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN3R5-40YSDX | NEXPERIA |
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PSMN3R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Gate charge: 139nC On-state resistance: 7.2mΩ Power dissipation: 338W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 803A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R5-80YSFX | NEXPERIA |
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PSMN3R7-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 405W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 246nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R8-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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PSMN3R9-100YSFX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R9-25MLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN3R9-60PSQ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Pulsed drain current: 705A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.94mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-25YLC,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 69W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 472A Drain current: 83A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 38nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 472A Drain current: 83A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 38nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-60YS,115 | NEXPERIA |
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PSMN4R1-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Pulsed drain current: 367A Power dissipation: 67W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN4R1-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 593A Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 103nC On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 238W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1264 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R2-30MLDX | NEXPERIA |
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PSMN4R2-40VSHX | NEXPERIA |
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PSMN4R2-60PLQ | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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PSMN4R2-80YSEX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 110nC On-state resistance: 9.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 294W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 698A Drain current: 123A Drain-source voltage: 80V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R3-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 673A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
PSMN4R3-30BL,118 | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
PSMN2R0-60PSRQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1135A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1135A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R1-40PLQ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R2-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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36+ | 2.03 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
PSMN2R2-40BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R2-40PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R2-40YSDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R4-30MLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R4-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R5-30YL,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R5-40YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R5-60PLQ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN2R6-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN2R6-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-60PSQ |
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PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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PSMN2R7-30BL,118 |
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PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R7-30PL,127 |
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PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 |
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PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R8-80BS,118 |
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PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R9-25YLC,115 |
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PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 |
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PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YL,115 |
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PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46.4nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 91W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46.4nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 91W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
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PSMN3R0-60BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.72 EUR |
17+ | 4.36 EUR |
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PSMN3R2-40YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40MLHX |
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PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN3R3-40YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-40YS.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-60PLQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN3R3-80BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R3-80PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R3-80PS.127 THT N channel transistors
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PSMN3R4-30BL,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R4-30PL,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R5-25MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
72+ | 1 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
PSMN3R5-40YSDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN3R5-80PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Gate charge: 139nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 338W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN3R5-80YSFX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PSMN3R7-100BSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 246nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 246nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
PSMN3R8-100BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
PSMN3R9-100YSFX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R9-25MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN3R9-60PSQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
28+ | 2.6 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.4 EUR |
PSMN4R0-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R0-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R0-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
114+ | 0.63 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
200+ | 0.49 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
PSMN4R0-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
100+ | 1.07 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
PSMN4R0-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
100+ | 1.07 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
PSMN4R0-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PSMN4R1-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R1-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.59 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
50+ | 1.6 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
200+ | 1.37 EUR |
250+ | 1.32 EUR |
500+ | 1.3 EUR |
PSMN4R2-30MLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN4R2-40VSHX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
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PSMN4R2-60PLQ |
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN4R2-80YSEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.86 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
39+ | 1.84 EUR |
200+ | 1.79 EUR |
500+ | 1.77 EUR |
PSMN4R3-100PS,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 673A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 673A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R3-30BL,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
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