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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA PSMN1R2-55SLH.pdf PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R3-30YL.pdf PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R4-30YLDX NEXPERIA PSMN1R4-30YLD.pdf PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R4-40YLDX NEXPERIA PSMN1R4-40YLD.pdf PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30BLEJ NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN1R5-40PS.pdf PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
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PSMN1R5-40YSDX NEXPERIA PSMN1R5-40YSD.pdf PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30BL,118 NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30MLHX NEXPERIA PSMN1R6-30MLH.pdf PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX NEXPERIA PSMN1R7-25YLD.pdf PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA PSMN1R7-40YLD.pdf PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+3.2 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
100+2.85 EUR
250+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN1R8-30MLHX NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780818C50454BC259&compId=PSMN1R8-40YLC.pdf?ci_sign=450192be85df9d8cd478a262677bf8a040d8a13d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40PLQ NEXPERIA PSMN1R9-40PL.pdf PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN1R9-40YSDX NEXPERIA PSMN1R9-40YSD.pdf PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R9-80SSEJ NEXPERIA PSMN1R9-80SSE.pdf PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-100SSFJ NEXPERIA PSMN2R0-100SSF.pdf PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-25MLDX NEXPERIA PSMN2R0-25MLD.pdf PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-25YLDX NEXPERIA PSMN2R0-25YLD.pdf PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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PSMN2R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YL.pdf PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLDX NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
250+1.16 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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PSMN2R0-40YLDX NEXPERIA PSMN2R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 807A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN2R0-60PS.pdf PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ NEXPERIA PSMN2R0-60PSR.pdf PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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PSMN2R1-40PLQ NEXPERIA PSMN2R1-40PL.pdf PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-25YLC.pdf PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
58+1.24 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PSMN2R2-40BS,118 NEXPERIA PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 962A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.76mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 962A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R2-40PS,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C7AF53FD8259&compId=PSMN2R2-40PS.pdf?ci_sign=966b56384dfd5c0296dfa856d01245d564d45ccb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R2-40YSDX NEXPERIA PSMN2R2-40YSD.pdf PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30MLDX NEXPERIA PSMN2R4-30MLD.pdf PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30YLDX NEXPERIA PSMN2R4-30YLD.pdf PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R5-40YLDX NEXPERIA PSMN2R5-40YLD.pdf PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081955B4F498259&compId=PSMN2R6-40YS.pdf?ci_sign=ce545379d9b8422113c4a1bd62cc43c625063f9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-60PSQ NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA PSMN2R7-30BL.pdf PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R7-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R7-30PL.pdf PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL NEXPERIA PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 NEXPERIA PSMN2R8-25MLC.pdf PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R8-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 797A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN2R8-40YSDX NEXPERIA PSMN2R8-40YSD.pdf PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R9-25YLC.pdf PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN3R0-30MLC.pdf PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R0-30YL.pdf PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA PSMN3R0-60BS.pdf PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
250+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDX NEXPERIA PSMN3R2-40YLD.pdf PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHX NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf PSMN3R3-40MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
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PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDX PSMN1R4-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R5-40PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDX PSMN1R5-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
23+3.2 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
100+2.85 EUR
250+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
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PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-40YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
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PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.73 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
250+1.16 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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PSMN2R0-40YLDX PSMN2R0-40YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 807A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
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PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSR.pdf
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PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
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PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
58+1.24 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40BS,118 PHGLS24325-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 962A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.76mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 962A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C7AF53FD8259&compId=PSMN2R2-40PS.pdf?ci_sign=966b56384dfd5c0296dfa856d01245d564d45ccb
PSMN2R2-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSDX PSMN2R2-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R4-30MLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
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PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R6-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081955B4F498259&compId=PSMN2R6-40YS.pdf?ci_sign=ce545379d9b8422113c4a1bd62cc43c625063f9d
PSMN2R6-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
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PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30BL.pdf
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PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN2R7-30PL
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
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PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS.pdf
PSMN2R8-40PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 797A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
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PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-25YLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-30YL.115 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
17+4.36 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
250+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
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