Produkte > NEXPERIA > Alle Produkte des Herstellers NEXPERIA (86022) > Seite 369 nach 1434

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 143 286 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 429 572 715 858 1001 1144 1287 1430 1434  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
26+2.76 EUR
50+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.41 EUR
15+4.82 EUR
100+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
87+0.82 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA PSMN026-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
136+0.53 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
139+0.52 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
94+0.77 EUR
103+0.69 EUR
112+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
156+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.82 EUR
12+6.12 EUR
14+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
40+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.92 EUR
14+5.28 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
46+1.56 EUR
100+1.4 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.91 EUR
15+5.02 EUR
16+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.79 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
18+4.02 EUR
21+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
52+1.39 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.2 EUR
250+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
9+8.27 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
39+1.86 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
15+4.79 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
172+0.42 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
100+1.23 EUR
250+1.19 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
125+0.57 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX
+1
 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
50+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.89 EUR
12+6.33 EUR
13+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN5R5-60YS.pdf PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
125+0.57 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
110+0.65 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
250+0.52 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
100+1.37 EUR
250+1.32 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
100+1 EUR
250+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
64+1.13 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA PSMN8R7-80PS.pdf PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS10VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS10VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
184+0.39 EUR
276+0.26 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS11VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
256+0.28 EUR
323+0.22 EUR
341+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS11VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
432+0.17 EUR
455+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS12VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS12VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS13VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS13VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS14VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS14VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
113+0.63 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS15VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS15VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VP1UP,115 PTVS16VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
167+0.43 EUR
264+0.27 EUR
291+0.25 EUR
315+0.23 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VS1UR,115 PTVS16VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
285+0.25 EUR
379+0.19 EUR
421+0.17 EUR
455+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VS1UTR,115 PTVS16VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 185°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
260+0.28 EUR
348+0.21 EUR
385+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS17VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
194+0.37 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS22VP1UP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003407895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PTVS22VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.1 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS24VP1UP,115 PTVS24VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Type of diode: TVS
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
278+0.26 EUR
298+0.24 EUR
311+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS24VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS24VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
221+0.32 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
26+2.76 EUR
50+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.41 EUR
15+4.82 EUR
100+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
87+0.82 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
136+0.53 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
139+0.52 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
94+0.77 EUR
103+0.69 EUR
112+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
156+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.82 EUR
12+6.12 EUR
14+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
40+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
14+5.28 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
46+1.56 EUR
100+1.4 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.91 EUR
15+5.02 EUR
16+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.79 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
18+4.02 EUR
21+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
52+1.39 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.2 EUR
250+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+8.27 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
39+1.86 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
15+4.79 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
172+0.42 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
100+1.23 EUR
250+1.19 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
125+0.57 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
50+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
12+6.33 EUR
13+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
43+1.7 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
125+0.57 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
110+0.65 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
250+0.52 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
100+1.37 EUR
250+1.32 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
100+1 EUR
250+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
64+1.13 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS10VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS10VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.39 EUR
276+0.26 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS11VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.64 EUR
256+0.28 EUR
323+0.22 EUR
341+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS11VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
432+0.17 EUR
455+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS12VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS12VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS13VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS13VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.36 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS14VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS14VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
113+0.63 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS15VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS15VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
PTVS16VP1UP,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
167+0.43 EUR
264+0.27 EUR
291+0.25 EUR
315+0.23 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
PTVS16VS1UR,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
285+0.25 EUR
379+0.19 EUR
421+0.17 EUR
455+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS16VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
PTVS16VS1UTR,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 185°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
260+0.28 EUR
348+0.21 EUR
385+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS17VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
194+0.37 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS22VP1UP,115 NEXP-S-A0003407895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
PTVS22VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.1 EUR
78+0.92 EUR
214+0.33 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS24VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
PTVS24VP1UP,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Type of diode: TVS
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
278+0.26 EUR
298+0.24 EUR
311+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTVS24VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PTVS24VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.32 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 143 286 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 429 572 715 858 1001 1144 1287 1430 1434  [ Nächste Seite >> ]