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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMCM6501VNEZ NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf PMCM6501VNEZ SMD N channel transistors
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PMCM6501VPEZ NEXPERIA PMCM6501VPE.pdf PMCM6501VPEZ SMD P channel transistors
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PMCM650CUNEZ NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf PMCM650CUNEZ Multi channel transistors
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PMCPB5530X,115 NEXPERIA PMCPB5530X.pdf PMCPB5530X.115 Multi channel transistors
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PMCXB1000UEZ NEXPERIA PMCXB1000UE.pdf PMCXB1000UEZ Multi channel transistors
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PMCXB900UELZ NEXPERIA PMCXB900UEL.pdf PMCXB900UELZ Multi channel transistors
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PMCXB900UEZ NEXPERIA PMCXB900UE.pdf PMCXB900UEZ Multi channel transistors
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PMD2001D,115 PMD2001D,115 NEXPERIA PMD2001D.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 540mW
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common base; common emitter
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Power dissipation: 0.54W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMD3001D,115 NEXPERIA PMD3001D.pdf PMD3001D.115 Complementary transistors
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PMDPB30XN,115 NEXPERIA PMDPB30XN.pdf PMDPB30XN.115 Multi channel transistors
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PMDPB30XNZ NEXPERIA PMDPB30XN.pdf PMDPB30XNZ Multi channel transistors
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PMDPB55XP,115 NEXPERIA PMDPB55XP.pdf PMDPB55XP.115 Multi channel transistors
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PMDPB56XNEAX NEXPERIA PMDPB56XNEA.pdf PMDPB56XNEAX Multi channel transistors
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PMDPB58UPE,115 NEXPERIA PMDPB58UPE.pdf PMDPB58UPE.115 Multi channel transistors
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PMDPB70XP,115 NEXPERIA PMDPB70XP.pdf PMDPB70XP.115 Multi channel transistors
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PMDPB70XPE,115 NEXPERIA PMDPB70XPE.pdf PMDPB70XPE.115 Multi channel transistors
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PMDPB80XP,115 NEXPERIA PMDPB80XP.pdf PMDPB80XP.115 Multi channel transistors
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PMDPB85UPE,115 NEXPERIA PMDPB85UPE.pdf PMDPB85UPE.115 Multi channel transistors
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PMDPB95XNE2X NEXPERIA PMDPB95XNE2.pdf PMDPB95XNE2X Multi channel transistors
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PMDT290UCE,115 NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/1.14nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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PMDT290UCEH NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/1.14nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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PMDT290UNE,115 NEXPERIA PMDT290UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 610mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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PMDXB1200UPEZ NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf PMDXB1200UPEZ Multi channel transistors
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PMDXB550UNEZ NEXPERIA PMDXB550UNE.pdf PMDXB550UNEZ Multi channel transistors
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PMDXB600UNELZ NEXPERIA PMDXB600UNEL.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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PMDXB600UNEZ NEXPERIA PMDXB600UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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PMDXB950UPEZ NEXPERIA PMDXB950UPE.pdf PMDXB950UPEZ Multi channel transistors
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PMEG030V030EPDZ NEXPERIA PMEG030V030EPD.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 30V; 3A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: CFP15; SOT1289
Capacitance: 495pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.45V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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PMEG030V050EPDZ NEXPERIA PMEG030V050EPD.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 30V; 5A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: CFP15; SOT1289
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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PMEG040V030EPDZ NEXPERIA PMEG040V030EPD.pdf PMEG040V030EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG040V050EPDZ NEXPERIA PMEG040V050EPD.pdf PMEG040V050EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T030EPDZ NEXPERIA PMEG045T030EPD.pdf PMEG045T030EPDZ SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
226+0.32 EUR
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PMEG045T050EPDZ NEXPERIA PMEG045T050EPD.pdf PMEG045T050EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T100EPDAZ NEXPERIA PMEG045T100EPD.pdf PMEG045T100EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T100EPDZ NEXPERIA PMEG045T100EPD.pdf PMEG045T100EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T100EPEZ NEXPERIA PMEG045T100EPE.pdf PMEG045T100EPEZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T150EIPDZ NEXPERIA PMEG045T150EIPD.pdf PMEG045T150EIPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T150EPDAZ NEXPERIA PMEG045T150EPD.pdf PMEG045T150EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG045T150EPDZ NEXPERIA PMEG045T150EPD.pdf PMEG045T150EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V050EPDAZ NEXPERIA PMEG045V050EPD.pdf PMEG045V050EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V050EPDZ NEXPERIA PMEG045V050EPD.pdf PMEG045V050EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V100EPDAZ NEXPERIA PMEG045V100EPD.pdf PMEG045V100EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V100EPDZ NEXPERIA PMEG045V100EPD.pdf PMEG045V100EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V150EPDAZ NEXPERIA PMEG045V150EPD.pdf PMEG045V150EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG045V150EPDZ NEXPERIA PMEG045V150EPD.pdf PMEG045V150EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG050T150EPDZ NEXPERIA PMEG050T150EPD.pdf PMEG050T150EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG050V030EPDZ NEXPERIA PMEG050V030EPD.pdf PMEG050V030EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG050V150EPDAZ NEXPERIA PMEG050V150EPD.pdf PMEG050V150EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG050V150EPDZ NEXPERIA PMEG050V150EPD.pdf PMEG050V150EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG060T050ELPE-QZ NEXPERIA PMEG060T050ELPE-QZ SMD Schottky diodes
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PMEG060T050ELPEZ NEXPERIA PMEG060T050ELPE.pdf PMEG060T050ELPEZ SMD Schottky diodes
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PMEG060T100CLPEZ NEXPERIA PMEG060T100CLPE.pdf PMEG060T100CLPEZ SMD Schottky diodes
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PMEG060V030EPDZ NEXPERIA PMEG060V030EPD.pdf PMEG060V030EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG060V050EPDAZ NEXPERIA PMEG060V050EPD.pdf PMEG060V050EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG060V050EPDZ NEXPERIA PMEG060V050EPD.pdf PMEG060V050EPDZ SMD Schottky diodes
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PMEG060V100EPDAZ NEXPERIA PMEG060V100EPD.pdf PMEG060V100EPDAZ SMD Schottky diodes
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PMEG060V100EPDZ
+1
 		PMEG060V100EPDZ NEXPERIA PMEG060V100EPD.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 60V; 14A; 16ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP15; SOT1289
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 350pF
Max. forward voltage: 0.435V
Leakage current: 0.7mA
Max. forward impulse current: 210A
Reverse recovery time: 16ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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123+0.58 EUR
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200+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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PMEG10010ELR-QX NEXPERIA PMEG10010ELR-QX SMD Schottky diodes
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PMEG10010ELRX PMEG10010ELRX NEXPERIA PMEG10010ELR.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 100V; 1.4A; 3.7ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 28pF
Max. forward voltage: 0.68V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 50A
Reverse recovery time: 3.7ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
293+0.24 EUR
412+0.17 EUR
479+0.15 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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PMEG10020AELPX NEXPERIA PMEG10020AELP.pdf PMEG10020AELPX SMD Schottky diodes
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PMCM6501VNEZ PMCM6501VNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCM6501VNEZ SMD N channel transistors
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PMCM6501VPEZ PMCM6501VPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCM6501VPEZ SMD P channel transistors
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PMCM650CUNEZ PMCM650CUNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCM650CUNEZ Multi channel transistors
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PMCPB5530X,115 PMCPB5530X.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCPB5530X.115 Multi channel transistors
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PMCXB1000UEZ PMCXB1000UE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCXB1000UEZ Multi channel transistors
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PMCXB900UELZ PMCXB900UEL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCXB900UELZ Multi channel transistors
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PMCXB900UEZ PMCXB900UE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMCXB900UEZ Multi channel transistors
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PMD2001D,115 PMD2001D.pdf
PMD2001D,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 540mW
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common base; common emitter
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Power dissipation: 0.54W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMD3001D,115 PMD3001D.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMD3001D.115 Complementary transistors
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PMDPB30XN,115 PMDPB30XN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB30XN.115 Multi channel transistors
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PMDPB30XNZ PMDPB30XN.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB30XNZ Multi channel transistors
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PMDPB55XP,115 PMDPB55XP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB55XP.115 Multi channel transistors
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PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB56XNEAX Multi channel transistors
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PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB58UPE.115 Multi channel transistors
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PMDPB70XP,115 PMDPB70XP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB70XP.115 Multi channel transistors
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PMDPB70XPE,115 PMDPB70XPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB70XPE.115 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDPB80XP,115 PMDPB80XP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB80XP.115 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDPB85UPE,115 PMDPB85UPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB85UPE.115 Multi channel transistors
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PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMDPB95XNE2X Multi channel transistors
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PMDT290UCE,115 PMDT290UCE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/1.14nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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PMDT290UCEH PMDT290UCE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/1.14nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT666
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 610mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 3.2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 30V; 3A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: CFP15; SOT1289
Capacitance: 495pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.45V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 30V; 5A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: CFP15; SOT1289
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP15,SOT1289; SMD; 60V; 14A; 16ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP15; SOT1289
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 350pF
Max. forward voltage: 0.435V
Leakage current: 0.7mA
Max. forward impulse current: 210A
Reverse recovery time: 16ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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PMEG10010ELRX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 100V; 1.4A; 3.7ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 28pF
Max. forward voltage: 0.68V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 50A
Reverse recovery time: 3.7ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2808 Stücke:
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Anzahl Preis
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PMEG10020AELPX PMEG10020AELP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMEG10020AELPX SMD Schottky diodes
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