| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SURHS8160T3G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.4V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT5112VI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT5113ZI-10-T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT5111VI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF20N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 15.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQPF20N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 15 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDPF320N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 26 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDP027N08B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP140G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-218 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQAF13N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7SZ32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL17SZ32DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 17SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 17SZ32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 79 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC144EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC144E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT9532HV6I-GT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT9554YI-GT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Schnittstelle: I2C, SMBus Versorgungsspannung, min.: 2.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Busfrequenz: 400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP Chipkonfiguration: 8bit SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| FQU2N100TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251 Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP2820FCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s) tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Verstärker: FCCSP Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 4ohm Verstärkerklasse: D euEccn: NLR Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsleistung: 2.63W Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1822267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NLV74VHC00DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00 Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74VHC Bauform - Logikbaustein: TSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74VHC00 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC807-40LT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - TRANSISTOR PNP, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3WtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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NTHL067N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FFSH4065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 119nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCD57080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCD57080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV33161DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8 Rücksetzungs-Typ: - Verzögerungszeit: - Bauform - digitaler IC: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 40 Schwellenspannung: 1.27 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV210RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C tariffCode: 85423390 CMRR: 125dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 200V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV21911SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.6V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz Eingangsoffsetspannung: 1µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 74LCX245BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C Logik-IC-Sockelnummer: 74245 Logik-IC-Familie: 74LCX Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245 Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 74LCX245BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51145PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP51145PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5353 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86252 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 94240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1774G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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80SQ045NG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 80SQ0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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80SQ045NRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 80SQ0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB14AN06LA0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAT54XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 32229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS400T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS400T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV1SS400T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 38702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV1SS400T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 38702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP43080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCP43080 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP43080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCP43080 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP43080DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP43080 Versorgungsspannung, max.: 35 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP43080DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TCA0372BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TCA0372BDWR2G - Operationsverstärker, zweifach, 2 Kanäle, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Strom rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 5V bis 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.4MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV0372BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s) Versorgungsspannung: 5V bis 40V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Bauform - Verstärker: WSOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 1.4 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Bandbreite: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV0372BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDPF5N50UT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 17282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP5181PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5181PG - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.2Aout, 100ns Verzögerung, DIP-8 Sinkstrom: 2.2 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 1.4 Bauform - Treiber: PDIP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP5111DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP5111DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCV7718CDQR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER Ausgangsstrom: 550 Motortyp: Halbbrücke MSL: MSL 2 - 1 Jahr Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.15 Bauform - Treiber: SSOP-EP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Ausgänge: 3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NCV7718CDQR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER Ausgangsstrom: 550 Motortyp: Halbbrücke MSL: MSL 2 - 1 Jahr Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.15 Bauform - Treiber: SSOP-EP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Ausgänge: 3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SURHS8160T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NVTR4502PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NVTR4502PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT5112VI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5113ZI-10-T3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5111VI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF20N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF20N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDPF320N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDP027N08B-F102 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP140G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQAF13N80 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ32P5X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NL17SZ32DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP30N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP30N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTC144EET1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT9532HV6I-GT2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT9554YI-GT2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQU2N100TU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP2820FCT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1822267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NLV74VHC00DTR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC807-40LT1G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - TRANSISTOR PNP, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - TRANSISTOR PNP, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTHL067N65S3H |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFSH4065A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV33161DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV210RSQT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21911SN2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74LCX245BQX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74LCX245BQX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP51145PDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP51145PDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDD5353 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDD86252 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 94240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SA1774G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 80SQ045NG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 80SQ045NRLG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDB14AN06LA0-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAT54XV2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1SS400T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1SS400T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SS400T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSV1SS400T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSV1SS400T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP43080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCP43080
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCP43080
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP43080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCP43080
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP43080ADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCP43080
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP43080DDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP43080
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP43080
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP43080DDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP43080DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, max. 35Vin, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TCA0372BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCA0372BDWR2G - Operationsverstärker, zweifach, 2 Kanäle, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Strom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.4MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TCA0372BDWR2G - Operationsverstärker, zweifach, 2 Kanäle, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Strom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.4MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV0372BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Verstärker: WSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.4
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Verstärker: WSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.4
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV0372BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV0372BDWR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDPF5N50UT |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 17282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5181PG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5181PG - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.2Aout, 100ns Verzögerung, DIP-8
Sinkstrom: 2.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 1.4
Bauform - Treiber: PDIP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP5181PG - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.2Aout, 100ns Verzögerung, DIP-8
Sinkstrom: 2.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 1.4
Bauform - Treiber: PDIP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5111DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5111DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV7718CDQR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV7718CDQR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH