Hersteller: MURATA
CAP CER .15UF 630V 10% X7R 2220

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 8200 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 8200uH±10%, Idc=0.17А, Rdc мax/typ=14/11 Ohm, Ausgang radial, d=10.5mm, h=14.4mm
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=10,5mm, h=14,4mm
Робочий струм, А: 0,17 A

Hersteller: AD
IC > IC Interface
Gehäuse: DIP-18
Eigenschaften: RS-232 Interface IC 200KB / S 0.1UF W / SHTDWN & EN
Strom: 4,5 ... 5,5 V
Temperaturbereich: -40 ... +85°C
Тип монтажу: THT
Інтерфейс: RS232

Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Опис: Frequenz: 900, 1800 MHz, Spannung: 5V, Datenübertragungsrate: 115200, Schnittstelle: TTL, Antenne: auf die Platine/Brettschaltung
Тип: Shield

Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 2200 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf Ferrithantel, 2200uH, ±20%, Idc=А, Rdc= Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 7,8x7,0mm, h=5,0mm
Робочий струм, А: 0.11A
№ 7: 8504 50 20 90

Hersteller: Jantzen Audio
Конденсатор MKP поліпропілен (PP) Cross Cap 0,1 мкФ 5% 400 В (DC) 7x18 мм аксіальний; -40C..+85C

Hersteller: Jantzen Audio
Конденсатор super MKP поліпропілен (PP) Superior Z-Cap 0,1 мкФ 2% 1200 В (DC) 17x43 мм аксіальний; TKE -200 ppm; -55C..+85C

Hersteller: Jantzen Audio
Конденсатор super MKP поліпропілен (PP) Superior Z-Cap 0,15 мкФ 2% 1200 В (DC) 17x43 мм аксіальний; TKE -200 ppm; -55C..+85C

Hersteller: Jantzen Audio
Конденсатор super MKP поліпропілен (PP) Silver Z-Cap 0,1 мкФ 2% 1200 В (DC) 17x43 мм аксіальний; -55...+85°C

Hersteller: Diotec Semiconductor
Імпульсний діод вивідний; Uзвор, В = 1; Iо, A = 0,15; Cj, пФ = 4; trr, нс = 4 мс; Uf, В = 1; Тексп, °C = -50...+200; DO-35

Hersteller: Microsemi
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 150; Zzt, Ом = 1 500; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 114; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Infineon Technologies
Імпульсний діод SMD; Ur, В = 200; Iо, A = 0,25; Cj, пФ = 5 @ 0 В, 1 МГц; If, A = 0,2; Ir, мкА = 0,1 @ 200 В; trr, нс = 50; Uf, В = 1,25; Тексп, °С = -65...+150; SOT-323

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Імпульсний діод SMD; Ur, В = 250; Iо, A = 0,225; If, A = 0,2; Ir, мкА = 0,1 @ 200; trr, нс = 50; Uf, В = 1,25; Тексп, °С = -65...+150; SOT-323

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
2 послідовно з'єднаних імпульсних діоди SMD; Ur, В = 250; Iо, A = 0,225; If, A = 0,2; Ir, мкА = 0,1 @ 200 В; trr, нс = 50; Uf, В = 1,25; Тексп, °С = -65...+150; Темп.опір,°C/Вт = 300; SOT-323

Hersteller: Kingtronics
Імпульсний діод SMD; Uзвор, В = 250; Iо, A = 0,2; Cj, пФ = 1,5; If, A = 0,1; Ir, мкА = 0,1 @ 200; trr, нс = 50 мс; Uf, В = 1; Тексп, °C = -65...+175; SOD-80 (DO-213AA)

Hersteller: Vishay Semiconductor
Імпульсний діод SMD; Ur, В = 200; Iо, A = 0,25; Cj, пФ = 1,5 @ 0 В, 1 МГц; If, A = 0,1; Ir, мкА = 0,1 @ 200 В; trr, нс = 50; Uf, В = 1; Тексп, °С = -65...+175; SOD-80

Hersteller: Vishay Semiconductor
Імпульсний діод SMD; Ur, В = 200; Iо, A = 0,25; Cj, пФ = 1,5 @ 0 В, 1 МГц; If, A = 0,1; Ir, мкА = 0,1 @ 200 В; trr, нс = 50; Uf, В = 1; Тексп, °С = -65...+175; Темп.опір,°C/Вт = 500; SOD-80

Hersteller: Diodes INC.
Випрямний діод SMD; Io, A = 0,2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,25; If, А = 0,2; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 5 @ 0; 1 кГц; trr, нс = 50 мс; Тексп, °C = -65...+150; Темп.опір,°C/Вт = 500; I, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 200; SOD-123

Hersteller: Micro Commercial Components
Випрямний діод SMD; Io, A = 0,2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,25; If, А = 0,2; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 1,5 @ 0; 1 кГц; trr, нс = 50 мс; Тексп, °C = -55...+150; I, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 200; Темп. опір = 305 °C/Вт; SOD-123

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
2 імпульсних діоди SMD зі спільним анодом; Ur, В = 200; Iо, A = 0,225; If, A = 0,2; Ir, мкА = 0,1 @ 200; trr, нс = 50; Uf, В = 1,25; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3

Hersteller: Micro Commercial Components
2 послідовно з'єднаних імпульсних діоди SMD; Uзвор, В = 200; Iо, A = 0,225; If, A = 9; Ir, мкА = 0,1; Uf, В = 1,25; Р, Вт = 0,315; SOT-23-3

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
2 випрямних вивідних діоди зі спільним катодом; Io, A = 10; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,25; If, А = 10; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -40...+150; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200; D-PAK-3

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 7,5; Zzt, Ом = 7; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 5; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 2; DO-213AB (MicroMELF)

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 13; Zzt, Ом = 26; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 10; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; SOD-80 (QuadroMELF)

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 5,1; Zzt, Ом = 60; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 1; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; SOD-80 (QuadroMELF)

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 10; Uf (max), В = 0,9; Zzt, Ом = 20; Точн., % = 2; Pmax, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,2 @ 7; Тексп, °C = -65...+200; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 20; Zzt, Ом = 55; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,05 @ 14; Uf, В = 20; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 2; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3; Zzt, Ом = 95; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 10 @ 1; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 2; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 10; Zzt, Ом = 20; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,2 @ 7; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: ON Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 11; Zzt, Ом = 20; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 8,2; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 12; Zzt, Ом = 25; Ptot, Вт = 500; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 8; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 13; Zzt, Ом = 30; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 8; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 20; Zzt, Ом = 55; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,05 @ 14; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 30; Zzt, Ом = 80; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,05 @ 21; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3; Zzt, Ом = 95; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 10 @ 1; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; SOD-80

Hersteller: Taiwan Semiconductor
Стабілітрон SMD; Uz, В = 15; Zzt, Ом = 30; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 11; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 6; LL-34

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 20; Zzt, Ом = 24; Ptot, Вт = 1,3; If, мА = 50; Irl, мкА @ Ur, В = 0,05 @ 14; Uf, В = 1; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; DO-41

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 10; Zzt, Ом = 15; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 7,5; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 12; Zzt, Ом = 20; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 9,1; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 13; Zzt, Ом = 26; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 100; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 10; Uf, В = 1,3; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 6; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 13; Zzt, Ом = 26; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 10; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 6; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 16; Zzt, Ом = 40; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 12; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 18; Zzt, Ом = 50; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 13; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 18; Zzt, Ом = 50; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 13; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 33; Zzt, Ом = 80; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 100; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 24; Uf, В = 33; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 6; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 5,1; Zzt, Ом = 35; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 1; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 5,6; Zzt, Ом = 25; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 100; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 1; Uf, В = 1,3; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 7; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 6,2; Zzt, Ом = 10; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 2; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Vishay Semiconductor
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 9,1; Zzt, Ом = 10; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 0,1 @ 6,8; Uf, В = 1,5; Тексп, °C = -65...+175; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Стабілітрон вивідний; Uz, В = 10; Zzt, Ом = 20; Ptot, Вт = 0,4; If, мА = 10; Irl, мкА @ Ur, В = 0,2 @ 7; Uf, В = 0,9; Тексп, °C = -65...+200; Точн., % = 5; DO-35

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Конденсатор електролітичний низькоімпедансний SMD; С = 220 мкФ; U, В = 25; Розм = 8 х 10,5 мм; Точн., % = 20; Ir = 390 мА; R, Ом = 0,16; Тексп, °C = -55...+105; Термін експл., г @ T,°C = 2000 @ 105; 8x10.2mm

Hersteller: Panasonic
220uF; 25V; SMT; low ESR; Impedance: 0,16 Ohm; 8x10,2mm; tolerance: ?20%; operating temperature: -55?105°C load life min. 2000h at 105°C temperature EEEFK1E221P PANASONIC Electrolytic capacitor KELS EEEFK1E221P
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

Hersteller: Panasonic
330uF; 25V; SMT; low ESR; Impedance: 0,14 Ohm; 8x10,2mm; tolerance: ?20%; operating temperature: -55?105°C load life min. 2000h at 105°C temperature EEEFK1E331P PANASONIC Electrolytic capacitor KELS EEEFK1E331P
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

Hersteller: Panasonic
100uF; 35V; SMT; low ESR; Impedance: 0,16 Ohm; 8x10,2mm; tolerance: ?20%; operating temperature: -55?105°C load life min. 2000h at 105°C temperature EEEFK1V101P PANASONIC Electrolytic capacitor KELS EEEFK1V101P
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

Hersteller: Diotec Semiconductor
Імпульсний діод SMD; Ur, В = 100; Iо, A = 0,15; If, A = 0,01; Uf, В = 1; Тексп, °С = -50...+200; SOD-80

Hersteller: Optosupply International Ltd
5 мм світлодіод індикаторний; ? p, нм/Т, К = 620...630; I, мКд @ мА = 15000...20000 @ 20; Iживл = 50 мА; Колір = червоний; Р, Вт = 0,13; Тексп, °C = -30...+85; Тип лінзи = Прозора безбарвна; Кут св, 2? = 30; Uf, В = 2,1...2,6; Rm = 2,54 мм; 5 mm

Hersteller: Optosupply International Ltd
5 мм світлодіод індикаторний; ? p, нм/Т, К = 500...510; I, мКд @ мА = 12000...14000 @ 20; Iживл = 30 мА; К-сть виводів = 2; Колір = зелений; Р, Вт = 0,18; Тексп, °C = -30...+85; Тип лінзи = Прозора безбарвна; Кут св, 2? = 30; Uf, В = 2,9...3,6; Rm = 2,5

Hersteller: Optosupply International Ltd
5 мм світлодіод індикаторний; ? p, нм/Т, К = 470; I, мКд @ мА = 4200...7000 @ 20; Iживл = 30 мА; К-сть виводів = 2; Колір = голубий; Р, Вт = 0,12; Тексп, °C = -30...+80; Тип лінзи = Прозора безбарвна; Кут св, 2? = 30; Uf, В = 2,8...4,0; Rm = 2,54 мм; 5