2MBI200S-120 Fuji


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Produktcode: 34633
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Hersteller: Fuji
Gehäuse: 2 in one-package
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 5,5...8,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 300 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 200 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 1500 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 0,35/0,45
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Technische Details 2MBI200S-120 Fuji

  • IGBT MODULE, 1200V, 200A
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:300A
  • Max Voltage Vce Sat:2.6V
  • Power Dissipation:1500W
  • Case Style:M234
  • Termination Type:Screw
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Ic @ Vce Sat:200A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:62mm
  • External Length / Height:30mm
  • External Width:108mm
  • Fall Time Tf:300ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2500V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:1500W
  • Pulsed Current Icm:600A
  • Rise Time:600ns
  • Weight:0.18kg

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2MBI200S-120 module description
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2MBI200S120 FUJI MODULE
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2MBI200S-120 description
Hersteller: module
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2MBI200S120
Hersteller: FUJI
MODULE
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