2MBI200S-120 Fuji
Produktcode: 34633
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fuji
Gehäuse: 2 in one-package
Vces: 1200
Vce: 5,5...8,5
Ic 25: 300
Ic 100: 200
Pd 25: 1500
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,35/0,45
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Technische Details 2MBI200S-120 Fuji
- IGBT MODULE, 1200V, 200A
- Transistor Type:IGBT Module
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:300A
- Max Voltage Vce Sat:2.6V
- Power Dissipation:1500W
- Case Style:M234
- Termination Type:Screw
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Ic @ Vce Sat:200A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:62mm
- External Length / Height:30mm
- External Width:108mm
- Fall Time Tf:300ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:1500W
- Pulsed Current Icm:600A
- Rise Time:600ns
- Weight:0.18kg
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2MBI200S-120 | Hersteller : module |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2MBI200S120 | Hersteller : FUJI | MODULE |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |