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2SB688

2SB688 SPTech

o4YBAF56yZiAGS5oAAMP.pdf
Produktcode: 189651
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Hersteller: SPTech
Gehäuse: TO-247
Grenzfrequenz fT, MHz: 10 МГц
Spannung Uce, V: 120 В
Spannung Ucb, V: 120 В
Strom Ic, A: 8 А
Stromverstärkung h21, max: 160
auf Bestellung: 17 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB688 2SB688 EVVO 5272_2SB688.pdf Description: TRANS PNP 120V 8A TO-3PS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
10+6.06 EUR
100+4.32 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SB688 5272_2SB688.pdf
2SB688
Hersteller: EVVO
Description: TRANS PNP 120V 8A TO-3PS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
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2,2 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-2R2-Hitano) (SMD-Widerstand)
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2,2 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-2R2-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 2,2 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 2991 St.
  • 2991 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 30 St.
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 968 St.
  • 968 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Produktcode: 30764
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IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1040/41
Montage: THT
auf Bestellung: 65 St.
  • 65 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804
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description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 229 St.
  • 229 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+1.24 EUR
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TIP3055 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 25149
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TIP3055 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: STMicroelectronics
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Montage: THT
auf Bestellung: 48 St.
  • 48 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH