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IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)

IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)

Produktcode: 30764
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1040/41
Montage: THT
auf Bestellung 84 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
159+0.54 EUR
168+0.51 EUR
180+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.64 EUR
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5000+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.64 EUR
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5000+0.5 EUR
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 978 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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172+1.01 EUR
173+0.99 EUR
228+0.74 EUR
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1000+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.01 EUR
175+0.99 EUR
231+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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173+1.01 EUR
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500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
250+1.12 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
50+1.36 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
auf Bestellung 15277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
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100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON 140096.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 49270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+0.56 EUR
159+0.54 EUR
168+0.51 EUR
180+0.48 EUR
500+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.64 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.95 EUR
184+0.93 EUR
236+0.71 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 53766 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
172+1.01 EUR
173+0.99 EUR
228+0.74 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
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10000+0.43 EUR
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
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175+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
173+1.01 EUR
175+0.96 EUR
231+0.7 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 53767 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
171+1.02 EUR
173+0.98 EUR
228+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.39 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1886 Stücke:
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148+1.18 EUR
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IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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AnzahlPrivatkunde
8+2.92 EUR
50+1.36 EUR
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5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFZ34NPBF Infineon_IRFZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
auf Bestellung 15277 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
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IRFZ34NPBF 140096.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 49270 Stücke:
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IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804
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description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 248 St.
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IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
auf Bestellung 235 St.:
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 1504 St.
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IRF9Z24NPBF
Produktcode: 40284
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irf9z24npbf-datasheet.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
verfügbar: 202 St.
  • 16 St. - stock Köln
  • 186 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 sht./b.)
Produktcode: 73458
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 sht./b.)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AC
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 V
verfügbar: 1980 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
    10+0.036 EUR
    100+0.02 EUR
    1000+0.013 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH