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IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Produktcode: 26804
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 234 St.
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Technische Details IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Infineon Technologies infineonirf1010ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
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IRF1010NPBF description infineonirf1010ndatasheetv0101en.pdf
IRF1010NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktcode: 27992
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description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 100 St.
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IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Produktcode: 30764
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IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1040/41
Montage: THT
auf Bestellung: 65 St.
  • 65 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1447 St.
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100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
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IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.99 EUR
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HER508
Produktcode: 197873
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HER501-data.pdf
HER508
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 1000 В
Mittlerer Strom Iav, A: 5 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 100 ns
auf Bestellung: 515 St.
  • 515 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH