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IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Produktcode: 26804
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar 272 Stück:
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Technische Details IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 43
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1010N_DataSheet_v01_01_EN-3362836.pdf MOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5939 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
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100+1.00 EUR
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TL494CN
Produktcode: 36468
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 271 Stück
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257 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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100uF 16V EXR 6,3x11mm (EXR101M16B-Hitano)
Produktcode: 2463
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EXR_080421.pdf
100uF 16V EXR 6,3x11mm (EXR101M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 8084 Stück:
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1500uF 10V EXR 10x21mm (EXR152M10B-Hitano)
Produktcode: 15885
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EXR_080421.pdf
1500uF 10V EXR 10x21mm (EXR152M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1500uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
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3300uF 6,3V EXR 10x21mm (EXR332M0JBA-Hitano)
Produktcode: 15971
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EXR_080421.pdf
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (EXR332M0JBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2030 Stück:
2000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
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10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
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