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IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Produktcode: 26804
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar 109 Stück:
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Technische Details IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1010N_DataSheet_v01_01_EN-3362836.pdf MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
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2000+ 1.62 EUR
5000+ 1.56 EUR
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1118 Stücke:
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TL494CN
Produktcode: 36468		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 512 Stück
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10+ 0.26 EUR
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Produktcode: 8246		 kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 41693 Stück
erwartet: 100000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.02 EUR
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (EXR332M0JBA-Hitano)
Produktcode: 15971		 EXR_080421.pdf
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (EXR332M0JBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.17 EUR
IRF4905PBF
Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 154 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.13 EUR
IRL3705NPBF
Produktcode: 24017		 description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 424 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.84 EUR