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IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Produktcode: 26804
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar 253 St.:
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Technische Details IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1010ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1010N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
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Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
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Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 30 St.
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5 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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2000 St. - erwartet 17.04.2026
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