IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF540ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.0265ohm
- Power Dissipation:92W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:36A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
- Power Dissipation Pd:92W
- Pulse Current Idm:140A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF540ZPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 22243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 22243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 35894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
auf Bestellung 18943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 1.45 EUR |
| 64+ | 1.34 EUR |
| 80+ | 1.07 EUR |
| 87+ | 0.99 EUR |
| 96+ | 0.89 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 1.55 EUR |
| 122+ | 1.39 EUR |
| 131+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.67 EUR |
| 112+ | 1.49 EUR |
| 122+ | 1.32 EUR |
| 130+ | 1.19 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.67 EUR |
| 112+ | 1.51 EUR |
| 122+ | 1.37 EUR |
| 130+ | 1.25 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 2.83 EUR |
| 113+ | 1.48 EUR |
| 123+ | 1.3 EUR |
| 132+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 35894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 50+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 4.75 EUR |
| 39+ | 4.38 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 18943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| 90+ | 2.59 EUR |
| 106+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 5000+ | 1.55 EUR |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| STP55NF06 Produktcode: 1982
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 172 St.
- 172 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 2705
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
- 1000 St. - erwartet 01.11.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| IRF540NPBF Produktcode: 3289
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
- 26 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
- 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 406 St.
- 406 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 9969
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 19 St.
- 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 10000+ | 0.012 EUR |
| 10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano) Produktcode: 13787
6
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 8470 St.
- 8470 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 0.044 EUR |
| 1000+ | 0.015 EUR |










