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IRF540ZPBF

Name: IRF540ZPBF
Brand: IR
SKU: 42002
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6

Produktcode: 42002

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT

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Technische Details IRF540ZPBF IR

MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
Transistor Polarity:N
Max Voltage Vds:100V
On State Resistance:0.0265ohm
Power Dissipation:92W
Transistor Case Style:TO-220AB
Case Style:TO-220AB
Cont Current Id:36A
Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
Power Dissipation Pd:92W
Pulse Current Idm:140A
Termination Type:Through Hole
Transistor Type:MOSFET
Typ Voltage Vds:100V
Typ Voltage Vgs th:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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IRF540ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF540ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B74F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540z.pdf?ci_sign=dc37eeef6533ef9813e70c1f6eb24e960c6946c6

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF540ZPBF

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IRF540ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

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IRF540ZPBF

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF540ZPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF540ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF540ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

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P Nenn.,W: 0,25W
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Größe Typ: 1206

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