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IRF540ZPBF

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Produktcode: 42002
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
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Technische Details IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf540zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF Hersteller : International Rectifier irf540z.pdf TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF540ZPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf540zpbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 92, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1770 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 26.5 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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Temperaturbereich: 0…150
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Kapazität: 1uF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=20mm, 10,5x18x24mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
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