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IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

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Produktcode: 42002
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
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Technische Details IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.18 EUR
125+1.16 EUR
140+1.01 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.66 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.19 EUR
124+1.14 EUR
139+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
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94+1.56 EUR
105+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 17178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.34 EUR
10+2.09 EUR
100+1.38 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 34679 Stücke:
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5+4.14 EUR
50+2 EUR
100+1.79 EUR
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5000+1.11 EUR
10000+1.04 EUR
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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72+1 EUR
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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125+1.16 EUR
140+1.01 EUR
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1000+0.79 EUR
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5000+0.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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123+1.19 EUR
124+1.14 EUR
139+0.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
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105+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IRF540ZPBF description Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 17178 Stücke:
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10+2.09 EUR
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2000+0.89 EUR
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IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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IRF540ZPBF description INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 2144 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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L7812CV
Produktcode: 29158
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description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
auf Bestellung 3349 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
AnzahlPreis
1+0.24 EUR
10+0.22 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
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MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EBA-Hitano)
Produktcode: 2705
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MER_070523.pdf
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1uF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=20mm, 10,5x18x24mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 159 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1581 St.
  • 26 St. - stock Köln
  • 1555 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 9969
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 799 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet
AnzahlPreis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0042 EUR
10000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1747 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1697 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH