IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

Produktcode: 42002
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42

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Technische Details IRF540ZPBF

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Preis IRF540ZPBF ab 0.51 EUR bis 3.09 EUR

IRF540ZPBF
Hersteller: INFIN

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IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
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IRF540ZPBF
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN-1732424.pdf
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IRF540ZPBF
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF540ZPBF
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.0265
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 92
Continuous Drain Current Id: 36
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
695950.pdf
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IRF540ZPBF
Hersteller:
IRF540Z MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
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IRF540ZPBF
Hersteller:
IRF540Z MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
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IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF540ZPBF THT N channel transistors
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IRF540Z MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10
Produktcode: 1289
STP24NF10.pdf
STP24NF10
Hersteller: ST
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 26
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
ZCODE: 8541290010
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10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3693
RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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120000 Stück - erwartet 30.01.2022
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Möglichen Substitutionen
10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-0710KL-Yageo)
Produktcode: 60691
IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
14 Stück - stock Köln
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10+ 0.52 EUR
BAV199
Produktcode: 271
BAV199.pdf
BAV199
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 75
Iausricht.,А: 0.16
Beschreibung: Schneller Umschaltung Ir 5mA, 2pF, 3nS
1200 Stück - stock Köln
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