Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF540ZPBF
IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
Produktcode: 42002
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
auf Bestellung 12 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 55 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.64 EUR
10+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF540ZPBF nach Preis ab 0.75 EUR bis 4.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
91+0.94 EUR
114+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.06 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.06 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
126+1.84 EUR
144+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.19 EUR
87+2 EUR
100+1.76 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.01 EUR
10000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
87+1.98 EUR
100+1.7 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.89 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 49320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.15 EUR
10000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 14996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+1.19 EUR
91+0.94 EUR
114+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.06 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.06 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.75 EUR
126+1.84 EUR
144+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.19 EUR
87+2 EUR
100+1.76 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.01 EUR
10000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.21 EUR
87+1.98 EUR
100+1.7 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.89 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 49320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.15 EUR
10000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 14996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

L7812CV
Produktcode: 29158
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
auf Bestellung 2681 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.26 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 2705
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MER_070523.pdf
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1527 St.
  • 26 St. - stock Köln
  • 1501 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.05 EUR
10+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 9969
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung 769 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.024 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.005 EUR
10000+0.0039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 1688 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1638 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH