IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
3
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
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Technische Details IRF540ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.0265ohm
- Power Dissipation:92W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:36A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
- Power Dissipation Pd:92W
- Pulse Current Idm:140A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF540ZPBF nach Preis ab 2.62 EUR bis 4.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 21637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 21643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF540ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 2.62 EUR |
| IRF540ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 2.62 EUR |
| IRF540ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 2.95 EUR |
| IRF540ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21643 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.5 EUR |
| IRF540ZPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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| STP55NF06 Produktcode: 1982
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 160 St.
- 160 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator) Produktcode: 2705
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|
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
- 1000 St. - erwartet 01.11.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| IRF540NPBF Produktcode: 3289
2
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
- 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 358 St.
- 358 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 9969
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|
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
erwartet: 100000 St.
- 40000 St. - erwartet
- 60000 St. - erwartet
auf Bestellung: 19 St.
- 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 10000+ | 0.012 EUR |
| 10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano) Produktcode: 13787
6
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 6831 St.
- 6831 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 0.044 EUR |
| 1000+ | 0.015 EUR |








