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IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

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Produktcode: 42002
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF540ZPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.0265ohm
  • Power Dissipation:92W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:36A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.64`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm
  • Power Dissipation Pd:92W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF540ZPBF nach Preis ab 0.62 EUR bis 4.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
91+0.94 EUR
114+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
125+1.38 EUR
133+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
125+1.34 EUR
133+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
122+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
122+1.42 EUR
131+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.71 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 17394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.51 EUR
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 7715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
94+2.49 EUR
121+1.77 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 42667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.15 EUR
10000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+1.19 EUR
91+0.94 EUR
114+0.75 EUR
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IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.5 EUR
125+1.38 EUR
133+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.5 EUR
125+1.34 EUR
133+1.21 EUR
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IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36133 Stücke:
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122+1.38 EUR
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2000+0.76 EUR
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IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36127 Stücke:
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113+1.55 EUR
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131+1.29 EUR
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IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
auf Bestellung 17394 Stücke:
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10+2.51 EUR
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5000+1.24 EUR
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IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 7715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.25 EUR
94+2.49 EUR
121+1.77 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 42667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.15 EUR
10000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 2705
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MER_070523.pdf
MER 1uF 250V K(+/-10%), P=20mm; 10,5x18x24mm (MER105K2EB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 µF
Nennspannung, V: 250 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 10,5x18x24 mm
Part Nummer: MER105K2EBA
ZCODE: 8532 29 00 00
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
10+0.26 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 9969
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 769 St.
  • 769 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1618 St.
  • 1618 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF
Produktcode: 24062
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 88 St.
  • 88 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.96 EUR
10+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL072CP
Produktcode: 24233
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tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL072CP
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 3 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 3 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: JFET-Eingang, Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 162 St.
  • 162 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.7 EUR
100+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH