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IRFZ34NPBF

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Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82
Produktcode: 30764
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 2115 Stücke:
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152+0.47 EUR
159+0.45 EUR
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180+0.4 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 1000
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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4000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
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2+1.94 EUR
10+0.98 EUR
100+0.87 EUR
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1000+0.62 EUR
2000+0.56 EUR
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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9+2.08 EUR
50+0.97 EUR
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500+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : INFINEON 140096.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : International Rectifier irfz34npbf.pdf MOSFET N-CH 55V 29A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFZ34NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfz34npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. ви
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804
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description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 248 St.
12 St. - stock Köln
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IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1651 St.
25 St. - stock Köln
1626 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRF9Z24NPBF
Produktcode: 40284
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 224 St.
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1N4007-SMD M7 DO214AC
Produktcode: 73458
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1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 10075 St.
1980 St. - stock Köln
8095 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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