
IRFZ34NPBF

Produktcode: 30764
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.33 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 65636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 65636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 53841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF |
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auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFZ44NPBF Produktcode: 35403
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1367 Stück
25 Stück - stock Köln
1342 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1342 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 515 Stück
39 Stück - stock Köln
476 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
476 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.40 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
Platte Adapter SO28/SSOP28/SOIC28/MSOP28/TSSOP28/SSOP28 für DIP-28 Produktcode: 39689
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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
auf Bestellung 268 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.64 EUR |
TL494IN Produktcode: 40196
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 377 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.40 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
IRF5305PBF Produktcode: 40618
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 613 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.47 EUR |
10+ | 0.45 EUR |