IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFZ34NPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 22.7nC On-state resistance: 40mΩ |
auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 25700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 53766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 53767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
auf Bestellung 15277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 49352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 152+ | 0.47 EUR |
| 159+ | 0.45 EUR |
| 168+ | 0.43 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.34 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.47 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| 10000+ | 0.37 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| 10000+ | 0.39 EUR |
| IRFZ34NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 182+ | 0.8 EUR |
| 184+ | 0.78 EUR |
| 236+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| IRFZ34NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 53766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 172+ | 0.85 EUR |
| 173+ | 0.83 EUR |
| 228+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2000+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| 10000+ | 0.36 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 173+ | 0.85 EUR |
| 175+ | 0.83 EUR |
| 231+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 173+ | 0.85 EUR |
| 175+ | 0.81 EUR |
| 231+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 53767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 171+ | 0.86 EUR |
| 173+ | 0.82 EUR |
| 228+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| 2000+ | 0.41 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |
| 10000+ | 0.32 EUR |
| IRFZ34NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 148+ | 0.99 EUR |
| 250+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.45 EUR |
| 50+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 2000+ | 0.66 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
auf Bestellung 15277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.66 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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| IRF1010NPBF Produktcode: 26804
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 248 St.
- 12 St. - stock Köln
- 236 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.72 EUR |
| IRF9Z34NPBF Produktcode: 31477
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 235 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.44 EUR |
| 10+ | 0.41 EUR |
| IRFZ44NPBF Produktcode: 35403
7
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1512 St.
- 25 St. - stock Köln
- 1487 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.32 EUR |
| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 210 St.
- 16 St. - stock Köln
- 194 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.32 EUR |
| 1N4007-SMD M7 DO214AC Produktcode: 73458
8
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|
![]() |
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 1980 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.017 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |









