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IRFZ34NPBF

Name: IRFZ34NPBF
Brand: IR
SKU: 30764
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82

Produktcode: 30764

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT

auf Bestellung 97 Stück:

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1+	0.36 EUR
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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 899 Stücke:

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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308+	0.47 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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302+	0.48 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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302+	0.48 EUR
313+	0.45 EUR
324+	0.42 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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303+	0.48 EUR
321+	0.43 EUR
500+	0.41 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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305+	0.46 EUR
318+	0.42 EUR
1000+	0.33 EUR
4000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 291

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

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25+	0.72 EUR
50+	0.65 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.52 EUR
2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFZ34N_DataSheet_v01_01_EN-3363377.pdf

MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC

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4+	0.73 EUR
10+	0.7 EUR
25+	0.65 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.51 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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142+	1.02 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.82 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
70+	1.03 EUR
79+	0.91 EUR
159+	0.45 EUR
168+	0.43 EUR

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IRFZ34NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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70+	1.03 EUR
79+	0.91 EUR
159+	0.45 EUR
168+	0.43 EUR
10000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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IRFZ34NPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 899 Stücke:

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IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET

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IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET

auf Bestellung 983 Stücke:

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IRFZ34NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

verfügbar: 1255 Stück

25 Stück - stock Köln
1230 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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1+	0.32 EUR
10+	0.28 EUR
100+	0.27 EUR

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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381

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irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT

verfügbar: 492 Stück

39 Stück - stock Köln
453 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.4 EUR
10+	0.35 EUR
100+	0.28 EUR

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Platte Adapter SO28/SSOP28/SOIC28/MSOP28/TSSOP28/SSOP28 für DIP-28
Produktcode: 39689

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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння

auf Bestellung 244 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	0.64 EUR

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TL494IN
Produktcode: 40196

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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494

Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C

auf Bestellung 367 Stück:

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Anzahl	Preis
1+	0.44 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.36 EUR

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IRF5305PBF
Produktcode: 40618

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT

auf Bestellung 596 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1+	0.47 EUR
10+	0.45 EUR

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