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IRFZ34NPBF

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Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82
Produktcode: 30764
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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308+0.48 EUR
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303+0.49 EUR
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272+0.54 EUR
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1000+0.41 EUR
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256+0.58 EUR
271+0.53 EUR
275+0.50 EUR
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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25+0.72 EUR
50+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ34N_DataSheet_v01_01_EN-3363377.pdf MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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142+1.05 EUR
250+0.97 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.84 EUR
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : INFINEON 140096.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFZ34NPBF Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1367 Stück
25 Stück - stock Köln
1342 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 515 Stück
39 Stück - stock Köln
476 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.40 EUR
10+0.35 EUR
100+0.28 EUR
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Platte Adapter SO28/SSOP28/SOIC28/MSOP28/TSSOP28/SSOP28 für DIP-28
Produktcode: 39689
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Platte Adapter SO28/SSOP28/SOIC28/MSOP28/TSSOP28/SSOP28 für DIP-28
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
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Anzahl Preis
1+0.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL494IN
Produktcode: 40196
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494IN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 377 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.40 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 613 Stück:
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Anzahl Preis
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