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2SC3835

2SC3835 SPTECH

2sc3835_ds_en.pdf
Produktcode: 184379
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Hersteller: SPTECH
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 30 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 200 В
Kollektorstrom Ic, A: 7 А
Montage: THT
auf Bestellung 21 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3835 (NPN-Bipolartransistor) 2SC3835 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31737
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Sanken 2SC3835Y.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 200 V
Kollektorstrom Ic, A: 7 A
Stromverstärkung h21: 220
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2SC3835 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31737
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2SC3835Y.pdf
2SC3835 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Sanken
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 200 V
Kollektorstrom Ic, A: 7 A
Stromverstärkung h21: 220
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1000uF 6,3V 8x12,5mm (Chongx)(Elektrolytkondensator)
Produktcode: 204980
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1000uF 6,3V 8x12,5mm (Chongx)(Elektrolytkondensator)1000uF 6,3V 8x12,5mm (Chongx)(Elektrolytkondensator)
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Hersteller: Chongx
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 6,3 В
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12,5 mm
auf Bestellung 3872 St.:
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Lötkolben YIHUA 947 VII, Stecker Typ: "C"
Produktcode: 203292
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yihua947-7.pdf
Lötkolben YIHUA 947 VII, Stecker Typ: "C"
Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötkolben
Typ: Lötkolben
Beschreibung: Lötkolben mit Ständer. Regelbarer Temperaturbereich: 220°C...450°C. Taste zum Ausschalten der Heizung. Integrierte Betriebsanzeige des Lötkolbens am Griff. Spitzentyp: 900M-T.
Stromversorgung: 220 В
Leistung, W: 60 Вт
Heizertyp: Keramik
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50 St. - erwartet 07.08.2026
50 St. - erwartet 02.12.2026
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SMAJ28A
Produktcode: 49143
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maj-778033.pdf
SMAJ28A
Hersteller: Bourns/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Spitzenleistung, P, W: 400 W
Durchbruchspannung, Vbr: 31,1 V
Sperrspannung, Vrm: 28 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
SMAJ28A
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100+0.12 EUR
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MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 35896
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MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Montage: SMD
auf Bestellung 460 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 St.:
AnzahlPrivatkunde
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804
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description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 246 St.
  • 12 St. - stock Köln
  • 234 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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